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公开(公告)号：KR1019980085877A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970022048
申请日：1997-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 평형부의 두께를 두껍게 형성함으로써 부품의 수명과 생산성을 향상시키는 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿에 관한 것이다.
본 발명은 본체와 슬롯홈으로 이루어지고 슬롯에 이온의 초점을 유지시키는 평형부가 형성된 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿에 있어서, 상기 평형부의 두께가 0.5mm를 초과하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서 이온빔에 의한 평형부의 마모를 줄이며 이온빔의 효율을 향상시키고 아크 챔버의 수명을 연장시켜 보전비가 절감되는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1019980011837A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960031905
申请日：1996-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
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公开(公告)号：KR200145645Y1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR2019960006987
申请日：1996-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조병배
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 고안은 반도체소자 제조 설비의 도어를 개페할 때 그 충격을 완화시키는 충격완화장치에 관한 것으로, 충격완화몸체와, 상기 충격완화몸체에 설치된 헤드고정축, 그리고 상기 헤드고정축에 고정 나사를 이용하여 고정된 충격완화헤드를 갖는 충격완화장치에 있어서, 상기 충격완화헤드는 상기 고정나사로 상기 고정축에 고정된 SUS를 사용한 하부헤드부와; 상기 하부 헤드부상에 결합된 테프론 재질의 상부헤드부를 포함하는 이중구조를 갖는다. 이와같은 장치에 의해서, 도어의 개폐시 발생되는 충격에 의해 충격완화헤드의 고정나사로 헤드고정축에 고정된 부위가 갈라지는 것을 방지할 수 있고, 따라서 도어의 높낮이가 틀어지는 문제점을 해결할 수 있으며, 또한 상기 도어가 틀어지는 것에 의해 웨이퍼를 설비내로 로딩할 때 발생되는 파티클 및 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000031416A
公开(公告)日：2000-06-05
申请号：KR1019980047461
申请日：1998-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조병배
IPC: H01L21/263
Abstract: PURPOSE: A device for driving a beam-gate of an ion implanter is provided to prevent the reduction of an equipment operating rate by an abnormal operation by stabilizing the rising and falling operation of the beam-gate inside an ion beam tube in which passes an ion beam. CONSTITUTION: A driving device of beam-gate(20) of an ion implanter is installed in an ion beam tube(21) for opening and closing the ion beam tube(21). Herein, the ion beam tube is arranged for ion beam, which is formed by atom ion injected to a wafer, to pass through. The driving device of beam-gate(20) is equipped with a beam-gate(22) installed inside the ion beam tube(21), and a penetrating hole of ion beam(23) is formed in the mmiddle of the beam-gate(22) for the ion beam to pass through. A supporting bar of beam-gate(24) projected to the outside by penetrating a side wall of the ion beam tube(21) is connected in a upper part of the beam-gate(22), a pneumatic cylinder(25) is installed in an external wall of the ion beam tube(21) by closing to the supporting bar of beam-gate(24), and a piston(26) to move up and down by the pneumaticity is installed in the pneumatic cylinder(25). A bellows-tube(30) to extend and shrink during shielding the supporting bar of beam-gate(24) is installed between the external wall of the ion beam tube(21) and the beam-gate(22), and the bellows-tube(30) buffers a shock generated when the beam-gate(22) is risen and fallen.
Abstract translation: 目的：提供一种用于驱动离子注入机的光束栅的装置，以通过稳定通过一个离子束的离子束管内的射束闸门的上升和下降操作来防止异常操作的设备运行速率的降低 离子束。 构成：离子注入机的光束入口（20）的驱动装置安装在用于打开和关闭离子束管（21）的离子束管（21）中。 这里，离子束管被布置成由原子离子注入晶片形成的离子束通过。 射束闸门（20）的驱动装置配备有安装在离子束管（21）内部的射束门（22），离子束（23）的穿透孔形成在射束闸门 （22），用于离子束通过。 通过穿过离子束管（21）的侧壁而突出到外部的梁 - 门（24）的支撑杆连接在梁闸门（22）的上部，气动缸（25）被安装 在离子束管（21）的外壁中通过关闭梁闸（24）的支撑杆，并且通过气动力上下移动的活塞（26）安装在气缸（25）中。 在屏蔽梁 - 门（24）的支撑杆的过程中延伸和收缩的波纹管（30）安装在离子束管（21）的外壁和射束闸（22）之间， 管（30）缓冲当光束门（22）上升并下降时产生的冲击。
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公开(公告)号：KR1020000028135A
公开(公告)日：2000-05-25
申请号：KR1019980046273
申请日：1998-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조병배
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A power supply system of a diffusion pump is provided to interrupt the overload to prevent the disorder of a semiconductor equipment and the danger of fire by isolating electric power fed to a diffusion pump through fine currents between the power supply unit of the diffusion pump and a circuit breaker. CONSTITUTION: A power supply system of a diffusion pump adds an overload isolation circuit unit(A) between a power supply unit(106) of a diffusion pump and a circuit breaker(104). The overload isolation circuit unit is composed of a second coil(114), a second relay(112), and a variable resistance(116). The second coil is selected to detect the more fine currents than a first coil(110) so that the fine currents are hanging to the second coil to work the second relay. The second relay functioning as a switch is connected with a circuit controlling power of the power supply unit to interrupt the power of the diffusion pump when the overload is fed to the power supply unit. Also, the variable resistance is installed on the overload isolation circuit unit to change the working currents as a random value to protect a semiconductor equipment from abnormality by detecting the over-currents come out of the power supply unit.
Abstract translation: 目的：提供扩散泵的电源系统来中断过载，以通过在扩散泵的电源单元之间通过细电流隔离馈送到扩散泵的电力来防止半导体设备的混乱和火灾的危险 和断路器。 构成：扩散泵的电源系统在扩散泵的电源单元（106）和断路器（104）之间增加过载隔离电路单元（A）。 过载隔离电路单元由第二线圈（114），第二继电器（112）和可变电阻（116）组成。 选择第二线圈以检测比第一线圈（110）更细的电流，使得细电流悬挂到第二线圈以工作第二继电器。 用作开关的第二继电器与电源单元的电路连接，当过载被馈送到电源单元时，中断扩散泵的电力。 此外，可变电阻安装在过载隔离电路单元上，以将工作电流改变为随机值，以通过检测从电源单元出来的过电流来保护半导体设备免受异常。
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公开(公告)号：KR1019990048220A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066858
申请日：1997-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 빔게이트의 빔유입구를 통해서 유입된 빔을 센싱하여 스캔 맥스 작업을 수행하는 반도체 이온주입설비의 빔모니터 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 빔이 유입되도록 빔유입구가 형성되어 있는 빔게이트와 상기 빔게이트와 마주보며 상기 빔유입구를 통해서 유입된 빔을 디텍션하는 빔모니터와 상기 빔게이트와 상기 빔모니터 사이에 설치되고, 상부계단 및 하부계단으로 이루어지는 계단형상의 빔모니터 인슐레이터를 구비하는 반도체 이온주입설비의 빔모니터 장치에 있어서, 상기 빔모니터 인슐레이터는 나사에 의해 상기 빔게이트와 빔모니터 사이에 고정되며, 상기 빔모니터 인슐레이터의 노출표면을 증가시키기 위하여 상기 하부계단의 말단부가 상기 빔게이트의 유입구 근처까지 연장되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 빔모니터 인슐레이터의 절연능력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990026931A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970049248
申请日：1997-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 절연재질을 사용하여 부품의 스퍼터링현상을 방지함으로써 부품의 내구성 및 설비가동율을 향상시키게 하는 반도체 이온주입설비의 필라멘트 인서트에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 이온주입설비의 필라멘트 인서트는, 아크챔버내에 필라멘트를 고정시키는 반도체 이온주입설비의 필라멘트 인서트에 있어서, 중심부에 필라멘트가 삽입되도록 관통구멍이 형성된 원통형의 몸체와, 상기 몸체의 일측에 상기 필라멘트에 수직한 방향으로 형성된 플렌지를 구비하고, 절연재질로 만들어진 것을 특징으로 한다.
따라서 절연재질을 사용하여 부품의 스퍼터링현상을 방지함으로써 부품의 내구성 및 설비가동율을 향상시키게 하는 효과를 갖는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019990008723A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970030809
申请日：1997-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J3/04
Abstract: 본 발명은 이온주입 설비용 이온 발생장치의 구조에 관한 것으로, 본 발명에서는 다수개의 가스 공급구를 아크 챔버의 중앙으로부터 소정거리 이격시켜 분할·배치하고, 이를 통해 주입되는 이온재료가스가 필라멘트 표면을 직접 가격하는 것을 방지함으로써, 첫째, 전체적인 필라멘트의 열 방출 효과를 향상시킬 수 있고, 둘째, 프론트 슬릿을 통한 가스의 누출을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970063881A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960002848
申请日：1996-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 전원 공급 장치에 관한 것으로, 과부하로 인해 발생되는 전원 공급 장치의 파손을 방지하기 위한 휴즈(Fuse)를 휴즈 서키트 브레이크(Fuse Circuit Break)를 대체한다.
따라서 본 발명은 휴즈를 교체하는 번거로움을 제거하고, 휴즈를 교체하기 위한 장비를 다운시켜야 하는 불편함을 제거하고,일렉트론 플러드 건콘트롤러와 같이 휴즈가 내부에 내장되어 있는 경우에는 휴즈 교체시 고전압으로 발생되는 안전 사고를 방지할 수 있다.
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