公开(公告)号：KR1020170031301A

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：KR1020150128485

申请日：2015-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍석구 ,  강미영 ,  이효성 ,  조경용 ,  조선각

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/027 ,  H01L51/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/094 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11575

Abstract: 본발명은 3차원반도체메모리장치의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는, 기판상에교대로그리고반복적으로적층된절연막들및 희생막들을포함하는적층구조체를형성하는것; 상기적층구조체상에제1 포토레지스트패턴을형성하는것; 및상기제1 포토레지스트패턴을마스크로상기적층구조체의일단을식각하여, 상기일단을계단형태로형성하는것을포함한다. 상기제1 포토레지스트패턴은화학식 1 내지화학식 3의단위들을포함하는공중합체를함유한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造三维半导体存储器件，并且更具体的方法中，交替地在基底上和haneungeot形成层压结构，其包括与绝缘膜的反复层叠，牺牲膜; 在叠层结构上形成第一光致抗蚀剂图案; 然后以第一光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻叠层结构的一端以形成阶梯形状的一端。 第一光致抗蚀剂图案含有包含式（1）至（3）的单元的共聚物。

公开(公告)号：KR1020170085639A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：KR1020160004842

申请日：2016-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강미영 ,  홍석구 ,  조경용 ,  김보라 ,  김혜지 ,  이효성 ,  조선각 ,  조원혁

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/027

Abstract: 3차원반도체메모리장치의제조방법을제공한다. 방법은, 기판상에희생막들및 절연막들상에포토레지스트막및 염료막을적층한후, 빛을조사하여제1 염료패턴및 제1 포토레지스트패턴을형성하고, 제1 염료패턴및 제1 포토레지스트패턴을식각마스크로희생막들및 절연막들을패터닝하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种制造三维半导体存储器件的方法。 该方法包括在衬底上的牺牲膜和绝缘膜上层压光刻胶膜和染料膜，照射光以形成第一染料图案和第一光刻胶图案，并且形成第一染料图案和第一照片 并且使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化牺牲膜和绝缘膜。

公开(公告)号：KR1020170031302A

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：KR1020150128489

申请日：2015-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍석구 ,  강미영 ,  이효성 ,  조경용 ,  김보라 ,  김혜지 ,  조선각

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/027 ,  H01L51/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575

Abstract: 본발명은 3차원반도체메모리장치의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는, 기판상에교대로그리고반복적으로적층된절연막들및 희생막들을포함하는적층구조체를형성하는것; 상기적층구조체상에, 제1 하부막및 제1 포토레지스트패턴을형성하는것; 상기제1 포토레지스트패턴을마스크로상기제1 하부막을식각하여, 제1 하부패턴을형성하는것; 및상기제1 하부패턴을마스크로상기적층구조체의일단을식각하여, 상기일단을계단형태로형성하는것을포함한다. 상기제1 하부막은노볼락(novolac) 기반의유기고분자를포함하며, 상기제1 포토레지스트패턴은실리콘을함유하는고분자를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造三维半导体存储器件，并且更具体的方法中，交替地在基底上和haneungeot形成层压结构，其包括与绝缘膜的反复层叠，牺牲膜; 在叠层结构上形成第一下层膜和第一光致抗蚀剂图案; 使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻第一下部膜以形成第一下部图案; 然后使用第一下图案作为掩模蚀刻叠层结构体的一端以形成阶梯形状的一端。 第一基底膜包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且第一光刻胶图案包括含硅的聚合物。