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公开(公告)号：KR102235611B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020140072349A
申请日：2014-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 패턴 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법을 제공한다. 패턴 형성 방법에서, 피식각막의 제1 영역을 노출시키는 제1 개구가 형성된 포토레지스트 패턴을 형성한다. 제1 개구를 한정하는 포토레지스트 패턴의 측벽에 캡핑층을 형성한다. 캡핑층으로부터의 산을 포토레지스트 패턴의 내부로 확산시켜 제1 개구 주위에 불용성 영역을 형성한다. 포토레지스트 패턴 중 불용성 영역을 사이에 두고 제1 개구와 이격된 가용성 영역을 제거하여 피식각막의 제2 영역을 노출시키는 제2 개구를 형성한다. 불용성 영역을 식각 마스크로 이용하여 피식각막을 식각한다.
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Patent Agency Ranking2.发明专利
公开(公告)号：KR20210032266A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020200034093A
申请日：2020-03-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06N3/063 , G06F30/30 , G06F30/27 , G06F30/34 , G06F9/46 , G06N3/0454 , G06N3/06 , G06N3/08
Abstract: 전자 장치 및 이의 제어 방법이 개시된다. 본 개시의 전자 장치는 복수의 가속기와 복수의 신경망을 저장하는 메모리 및 복수의 신경망 중 제1 신경망을 선택하고, 복수의 가속기 중 제1 신경망을 구현할 제1 가속기를 선택하고, 제1 가속기 상에서 제1 신경망을 구현하여 구현 결과와 관련된 정보를 획득하고, 구현과 관련된 정보를 바탕으로 제1 가속기 및 제1 신경망에 대한 제1 보상 값을 획득하고, 복수의 신경망 중 제1 가속기에서 구현할 제2 신경망을 선택하고, 제1 가속기 상에서 제2 신경망을 구현하여 구현 결과와 관련된 정보를 획득하고, 구현과 관련된 정보를 바탕으로 제1 가속기 및 제2 신경망에 대한 제2 보상 값을 획득하고, 제1 보상 값 및 제2 보상 값을 바탕으로 복수의 신경망 및 복수의 가속기 중 가장 큰 보상 값을 가지는 신경망 및 가속기를 선택하는 프로세서를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150143169A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140072349
申请日：2014-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/0273 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , H01L27/10888
Abstract: 패턴형성방법및 집적회로소자의제조방법을제공한다. 패턴형성방법에서, 피식각막의제1 영역을노출시키는제1 개구가형성된포토레지스트패턴을형성한다. 제1 개구를한정하는포토레지스트패턴의측벽에캡핑층을형성한다. 캡핑층으로부터의산을포토레지스트패턴의내부로확산시켜제1 개구주위에불용성영역을형성한다. 포토레지스트패턴중 불용성영역을사이에두고제1 개구와이격된가용성영역을제거하여피식각막의제2 영역을노출시키는제2 개구를형성한다. 불용성영역을식각마스크로이용하여피식각막을식각한다.
Abstract translation: 提供一种用于形成图案的方法和用于制造集成电路器件的方法。 在形成图案的方法中，形成具有第一开口以暴露要蚀刻的对象层的第一区域的光致抗蚀剂图案。 在限定第一开口的光致抗蚀剂图案的侧壁上形成覆盖层。 通过将酸从覆盖层扩散到光致抗蚀剂图案中，在第一开口周围形成不溶性区域。 通过去除与第一开口分离的可溶性区域，同时插入光致抗蚀剂图案的不溶区域，来形成用于暴露被蚀刻对象层的第二区域的第二开口。 通过使用不溶性区域作为蚀刻掩模来蚀刻待蚀刻的对象层。
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公开(公告)号：KR102235611B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020140072349
申请日：2014-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 패턴형성방법및 집적회로소자의제조방법을제공한다. 패턴형성방법에서, 피식각막의제1 영역을노출시키는제1 개구가형성된포토레지스트패턴을형성한다. 제1 개구를한정하는포토레지스트패턴의측벽에캡핑층을형성한다. 캡핑층으로부터의산을포토레지스트패턴의내부로확산시켜제1 개구주위에불용성영역을형성한다. 포토레지스트패턴중 불용성영역을사이에두고제1 개구와이격된가용성영역을제거하여피식각막의제2 영역을노출시키는제2 개구를형성한다. 불용성영역을식각마스크로이용하여피식각막을식각한다.
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公开(公告)号：KR1020170085639A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：KR1020160004842
申请日：2016-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/027
Abstract: 3차원반도체메모리장치의제조방법을제공한다. 방법은, 기판상에희생막들및 절연막들상에포토레지스트막및 염료막을적층한후, 빛을조사하여제1 염료패턴및 제1 포토레지스트패턴을형성하고, 제1 염료패턴및 제1 포토레지스트패턴을식각마스크로희생막들및 절연막들을패터닝하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种制造三维半导体存储器件的方法。 该方法包括在衬底上的牺牲膜和绝缘膜上层压光刻胶膜和染料膜，照射光以形成第一染料图案和第一光刻胶图案，并且形成第一染料图案和第一照片 并且使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化牺牲膜和绝缘膜。
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公开(公告)号：KR1020170031302A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020150128489
申请日：2015-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/027 , H01L51/00 , H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/311
CPC classification number: H01L27/11582 , G03F7/0035 , G03F7/0382 , G03F7/0757 , G03F7/094 , H01L21/0273 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575
Abstract: 본발명은 3차원반도체메모리장치의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는, 기판상에교대로그리고반복적으로적층된절연막들및 희생막들을포함하는적층구조체를형성하는것; 상기적층구조체상에, 제1 하부막및 제1 포토레지스트패턴을형성하는것; 상기제1 포토레지스트패턴을마스크로상기제1 하부막을식각하여, 제1 하부패턴을형성하는것; 및상기제1 하부패턴을마스크로상기적층구조체의일단을식각하여, 상기일단을계단형태로형성하는것을포함한다. 상기제1 하부막은노볼락(novolac) 기반의유기고분자를포함하며, 상기제1 포토레지스트패턴은실리콘을함유하는고분자를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造三维半导体存储器件，并且更具体的方法中，交替地在基底上和haneungeot形成层压结构，其包括与绝缘膜的反复层叠，牺牲膜; 在叠层结构上形成第一下层膜和第一光致抗蚀剂图案; 使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻第一下部膜以形成第一下部图案; 然后使用第一下图案作为掩模蚀刻叠层结构体的一端以形成阶梯形状的一端。 第一基底膜包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且第一光刻胶图案包括含硅的聚合物。
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