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公开(公告)号：KR100689692B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020000066017
申请日：2000-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/24
Abstract: 샐리사이드 공정 진행중에 실시되는 두 번의 열처리 공정중, 1차 열처리 공정을 질소 가스 대신에 중수소(D
2 ) 가스 분위기에서 진행하여, 후속 공정에서 소자 특성을 개선하기 위해 진행하던 얼로이 공정을 생략(skip)할 수 있도록 한 반도체 소자 제조방법이 개시된다.
이를 위해 본 발명에서는, 반도체 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극의 양 측벽에 절연 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 스페이서 양 에지측의 기판 내부에 소스·드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 결과물 상에 고융점 금속막을 형성하는 단계와, 중수소를 소스 가스로 해서, 1차 열처리 공정을 실시하여 상기 게이트 전극과 소스·드레인 영역의 상면에만 선택적으로 실리사이드막을 형성하는 단계와, 상기 미반응 고융점 금속막을 제거하는 단계 및, 실리사이드막의 안정된 상전이를 위하여, 질소를 소스 가스로해서 2차 열처리 공정을 실시하는 단계로 이루어진 반도체 소자 제조방법이 제공된다.
그 결과, 얼로이 공정이 제거되었는데에도 불구하고 실제로는 얼로이 공정을 진행한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있게 되므로, 1) 기존대비 공정을 단순화할 수 있고, 2) 배선의 층수에 관계없이 얼로이 공정의 극대화된 효과를 얻을 수 있게 된다.Abstract translation: 在Sally侧工艺期间进行的两个热处理工艺中，第一热处理工艺通过使用氘（D
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公开(公告)号：KR100643483B1
公开(公告)日：2006-11-13
申请号：KR1020000028575
申请日：2000-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 웨이퍼상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후에 포토레지스트 플로잉을 행하여 미세패턴을 형성하는 패터닝공정에서, 벌크 포토레지스트 지역과 패턴이 형성되어 있는 지역의 열적영향의 차이에 기인하여 나타날 수 있는 비정상적인 프로파일을 방지하기 위한 개선된 반도체소자 제조방법이 개시되어 있다. 따라서, 웨이퍼상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후에 포토레지스트 플로잉을 행하여 미세패턴을 형성하는 반도체소자 제조방법은, 제품의 특성과 무관한 여분의 패턴을 상기 포토레지스트 패턴이 밀집되어 형성되어 있는 외곽에 형성하는 것에 의해 포토레지스트 벌크부와 밀집정렬된 패턴부간의 열적 영향의 차이를 최소토록 한것을 특징으로 한다. 그럼에 의해 열적영향의 차이는 제거 또는 최소화되어 미스 얼라인이 방지된다.
미세 패턴형성, 열적 영향, 더미 패턴, 더미 마스크, 아웃터 블록-
公开(公告)号：KR100642764B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020040071761
申请日：2004-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 이미지 소자가 제공된다. 이미지 소자는, 수광 소자가 형성된 기판과, 기판상에 형성되며, 수광 소자 상부에서 캐버티를 갖는 층간 절연막 구조물과, 캐버티에 매립되어 형성되며, 층간 절연막 구조물 상부로부터 돌출된 부분은 렌즈 타입으로 형성된 투명 절연막과, 투명 절연막 상부에 형성된 컬러 필터를 포함하여 이루어진다. 여기서, 투명 절연막은 그 상부가 볼록 렌즈 타입으로 형성될 수 있다. 또한, 투명 절연막은 그 상부가 오목 렌즈 타입으로 형성될 수도 있다. 이미지 소자의 제조 방법 또한 제공된다.
포토 다이오드, 스핀온 절연막, 마이크로 렌즈-
公开(公告)号：KR1020010107233A
公开(公告)日：2001-12-07
申请号：KR1020000028575
申请日：2000-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 웨이퍼상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후에 포토레지스트 플로잉을 행하여 미세패턴을 형성하는 패터닝공정에서, 벌크 포토레지스트 지역과 패턴이 형성되어 있는 지역의 열적영향의 차이에 기인하여 나타날 수 있는 비정상적인 프로파일을 방지하기 위한 개선된 반도체소자 제조방법이 개시되어 있다. 따라서, 웨이퍼상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후에 포토레지스트 플로잉을 행하여 미세패턴을 형성하는 반도체소자 제조방법은, 제품의 특성과 무관한 여분의 패턴을 상기 포토레지스트 패턴이 밀집되어 형성되어 있는 외곽에 형성하는 것에 의해 포토레지스트 벌크부와 밀집정렬된 패턴부간의 열적 영향의 차이를 최소토록 한것을 특징으로 한다. 그럼에 의해 열적영향의 차이는 제거 또는 최소화되어 미스 얼라인이 방지된다.
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公开(公告)号：KR1019980084086A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970019714
申请日：1997-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조인수
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 습식 세정장치(wet clean station)의 퀵 드레인 세정(Quick Drain Rinse) 배쓰에 관한 것으로, 표면상의 유기물이 화학적으로 제거된 상태의 복수 매의 웨이퍼들을 퀵 세정하기 위해 탈이온수를 분출하는 샤워유니트를 상기 웨이퍼의 상부 중앙으로 이동시켜 샤워유니트와 웨이퍼간의 거리를 감소시키므로서 보다 빠른 시간내에 화학처리제를 제거할 수 있으며, 또한 각 웨이퍼를 전 표면에 걸쳐 고르게 세정할 수 있어 부분적으로 전해에칭에 의한 국부전지가 발생하지 않으며 이에 따라 표면이 손상을 받지 않게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019930008297A
公开(公告)日：1993-05-21
申请号：KR1019910018888
申请日：1991-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F04B23/00
Abstract: 본 발명은 드라이 에칭공정의 개스공급관로내에 정제되는 개스를 배기시킬 수 있는 드라이 에칭공정의 개스라인 펌핑 시스템을 제공하는 데 목적이 있다. 이를 실현하기 위하여 본 발명은, 개스봄베와 에칭시스템사이에 진공 발생기의 입구를 연결하고, 이 진공발생기의 출구를 진공펌프와 개스세정기 사이에 연결하여 공정완료 후, 정지 시간이 오래되는 경우 개스공급관내의 개스를 배기시킬 수 있도록 구성하고 있다.
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公开(公告)号：KR1020020072034A
公开(公告)日：2002-09-14
申请号：KR1020010011987
申请日：2001-03-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: PURPOSE: A formation method of an oxide of a semiconductor device is provided to increase a yield per a unit time by setting an optimum process condition of a reactive temperature, a reactive time and a reactive gas volume using a lamp heating type. CONSTITUTION: A formation method of an oxide of a semiconductor device comprises a first step of performing a lamp-up process to heat a substrate before forming an oxide, a second step of forming the oxide on the substrate in the temperature of 900-1300 deg.C and a third step of performing a lamp-down process to cool the substrate. At this point, the temperature rising and descending rates of the lamp-up and lamp-down are 20deg.C/second-50deg.C/second and the reactive gas volume in the lamp-up and lamp-down processes is 3l/min-50l/min.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的氧化物的形成方法，通过使用灯加热型设定反应温度，反应时间和反应气体体积的最佳工艺条件来提高单位时间的产率。 构成：半导体器件的氧化物的形成方法包括在形成氧化物之前进行加热工艺的第一步骤，在900-1300度的温度下在衬底上形成氧化物的第二步骤 C和第三步骤，进行降灯过程以冷却衬底。 此时，起升灯和降灯的升温和降温速率分别为20℃/秒-50℃/秒，灯管和灯管的反应气体体积为3l / min -50L /分钟。
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公开(公告)号：KR100242955B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970019714
申请日：1997-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조인수
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 습식 세정장치(wet clean station)의 퀵 드레인 세정(Quick Drain Rinse) 배쓰에 관한 것으로, 표면상의 유기물이 화학적으로 제거된 상태의 복수 매의 웨이퍼들을 퀵 세정하기 위해 탈이온수를 분출하는 샤워유니트를 웨이퍼의 상부 중앙으로 이동시켜 샤워유니트와 웨이퍼간의 거리를 감소시키므로서 보다 빠른 시간내에 화학처리제를 제거할 수 있으며, 또한 각 웨이퍼를 전 표면에 걸쳐 고르게 세정할 수 있어 부분적으로 전해에칭에 의한 국부전지가 발생하지 않으며 이에 따라 표면이 손상을 받지 않게 된다.
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公开(公告)号：KR1019980005717A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960022358
申请日：1996-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조인수
IPC: H01L21/304
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