公开(公告)号：KR1020110093112A

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：KR1020100012951

申请日：2010-02-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장종광 ,  지승헌 ,  신홍재 ,  정용진 ,  오영묵 ,  이주범

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to etch a metal layer back part to eliminate metal materials remaining in a recess part, thereby preventing a defect during a gate process. CONSTITUTION: Gate insulating films(121n,121p) and gate patterns are formed on a semiconductor substrate(100). The gate patterns include a sacrificial gate electrode. An etching stopping layer(130) and an insulating layer(140) are formed on the semiconductor substrate and the gate patterns. A metal layer is formed on the entire structure by eliminating the sacrificial gate electrode. The metal layer processed by an etch back process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法以蚀刻金属层背部以消除残留在凹部中的金属材料，从而防止栅极处理期间的缺陷。 构成：在半导体衬底（100）上形成栅极绝缘膜（121n，121p）和栅极图案。 栅极图案包括牺牲栅电极。 在半导体衬底和栅极图案上形成有蚀刻停止层（130）和绝缘层（140）。 通过消除牺牲栅电极在整个结构上形成金属层。 通过回蚀工艺处理的金属层。

公开(公告)号：KR1020080109231A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：KR1020070057302

申请日：2007-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동훈 ,  김근배 ,  지승헌

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F1/72 ,  H01L21/0337

Abstract: A repairing method of a photolithography mask and a precursor for the same are provided to repair the white defect without lowering the transmittance of mask and the damage of the substrate. A repairing method of a photolithography mask comprises the following steps: the step for providing the mask including the patterned portion having the white defect(300); the step for spraying the metal precursor(500) around the white defect; the step for forming the metal layer at the part where the white defect is located by irradiating the electron beam to the metal precursor. The metal precursor is made of the thermal agitation and the ligand covalent-bonding with the thermal agitation surrounding. The ligand is made of one or more first ligand species and one or more second ligand species different from the first ligand species.

Abstract translation: 提供光刻掩模及其前体的修复方法以修复白色缺陷而不降低掩模的透射率和基板的损坏。 光刻掩模的修复方法包括以下步骤：提供包括具有白色缺陷（300）的图案化部分的掩模的步骤; 围绕白色缺陷喷射金属前体（500）的步骤; 通过将电子束照射到金属前体而形成在白色缺陷所在部分处的金属层的步骤。 金属前体由热搅拌和配体共价键结合而形成。 配体由一种或多种第一配体物质和与第一配体物种不同的一种或多种第二配体物质制成。

公开(公告)号：KR101574107B1

公开(公告)日：2015-12-04

申请号：KR1020100012951

申请日：2010-02-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장종광 ,  지승헌 ,  신홍재 ,  정용진 ,  오영묵 ,  이주범

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체장치의제조방법은, 반도체기판상에게이트절연막및 희생게이트전극을포함하는게이트패턴을형성하는단계; 상기반도체기판및 상기게이트패턴상에식각정지층및 절연층을형성하는단계; 상기식각정지층이드러날때까지상기절연층을제거하는단계; 상기희생게이트전극이드러날때까지상기식각정지층을에치백하는단계; 상기희생게이트전극을제거하고, 결과물의전체구조상부에금속층을형성하는단계; 상기절연층이드러날때까지상기금속층을제거하는단계; 및상기금속층을미리설정된타겟으로에치백하는단계를포함한다.

Abstract translation: 提供了一种制造半导体器件的方法。 根据本发明实施例的制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成包括栅极绝缘膜和牺牲栅电极的栅极图案; 在半导体衬底和栅极图案上形成蚀刻停止层和绝缘层; 去除绝缘层直到暴露出蚀刻停止层; 蚀刻蚀刻停止层直到牺牲栅极电极暴露; 去除牺牲栅电极并在所得结构的整个结构上形成金属层; 去除金属层直到绝缘层暴露; 并将金属层回蚀至预定目标。

公开(公告)号：KR1020110115329A

公开(公告)日：2011-10-21

申请号：KR1020100034777

申请日：2010-04-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장종광 ,  지승헌 ,  오영묵 ,  이주범

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 제조 공정이 단순화된 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 제조 방법은 제1 및 제2 영역이 정의된 기판을 제공하고, 상기 기판 상에, 제1 및 제2 트렌치를 포함하는 층간 절연막을 형성하되, 상기 제1 및 제2 트렌치는 각각 제1 및 제2 영역에 형성되고, 상기 층간 절연막의 상면, 상기 제1 트렌치의 측면 및 바닥면, 상기 제2 트렌치의 측면 및 바닥면을 따라서, 일함수 조절 금속막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 상기 제1 및 제2 트렌치를 매립하도록 마스크막을 형성하되, 상기 마스크막은 현상 가능한 물질을 포함하고, 상기 마스크막을 현상하여, 상기 제1 영역에 형성된 일함수 조절 금속막을 노출하는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 이용하여, 상기 제1 영역에 형성된 일함수 조절 금속막을 제거하고, 상기 마스크 패턴을 제거하고, 상기 제1 트렌치를 매립하도록 제1 금속 게� �트를 형성하고, 상기 제2 트렌치를 매립하도록 제2 금속 게이트를 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060058529A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097602

申请日：2004-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 지승헌

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F7/427

Abstract: 반도체 소자 제조를 위한 포토 마스크 제조방법을 제공한다. 본 발명은 포토 마스크 제조 공정중 트랜치 형성을 위한 투명기판의 식각전, 이온주입법을 이용하여 식각하고자 코자하는 투명기판의 일부 영역에 일정한 에너지와 속도를 가지는 이온을 강제로 주입투사하여 투명기판을 형성하는 원자구조에 미리 손상(Damage)를 주어 식각속도를 빠르게 함으로써 패턴 밀도 차이에 따른 로딩효과를 최소화하여 패턴간 밀도가 다른 영역간에 균일한 깊이를 갖는 트랜치를 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 포토 마스크 제조에 따른 공정 수율과 소자동작의 신뢰성 향상 및 제조단가의 저하를 꾀할 수 있다.