公开(公告)号：WO2022225161A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：PCT/KR2022/002566

申请日：2022-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허준영 ,  박규준 ,  박종언 ,  배석진 ,  안치훈 ,  차현준 ,  김민정

IPC: H04L41/0695 ,  H04L41/0654 ,  H04L41/0213 ,  H04L69/18

Abstract: 일 실시예에 따른 전자 장치는, 외부 장치와 데이터를 교환하는 통신 모듈, 및 전자 장치를 제어하는 적어도 하나의 프로세서를 포함하고, 프로세서는, 통신 모듈에 대한 네트워크 인터페이스 컨트롤러(NIC: network interface controller) 드라이버의 상태에 대한 제1 정보를 수신하고, 네트워크 스택에 대한 SNMP(simple network management protocol) 정보 중 적어도 일부를 제2 정보로서 수신하고, 소켓들의 상태에 대한 제3 정보를 수신하고, 제1 정보, 제2 정보 및 제3 정보에 기초하여 전자 장치의 타겟 문제 상태를 결정하고, 결정된 타겟 문제 상태에 대응하는 미리 설정된 타겟 회복 동작을 수행할 수 있다. 그 외에도 다양한 실시예들이 가능할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000027094A

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019980044928

申请日：1998-10-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차현준

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: By etching protective film selectively with laser beam, defect analysis of semiconductor is performed without any damage to metal wire. CONSTITUTION: An isolation film, MOS transistor, storage electrode, and capacitor are deposited on a substrate(10). After multi layers of a metal wire(12) is formed on an ILD(inter layer dielectrics) according to the use of a semiconductor chip, a protective film(14) covering a metal wire(12) is formed. A laser beam from a laser gun(16) etches the protective film(14) of the metal wire expected as a defective selectively. By controlling the wave and the output of the laser, the metal wire is not damaged at all.

Abstract translation: 目的：通过激光束选择性地蚀刻保护膜，半导体的缺陷分析不会对金属线造成任何损害。 构成：在衬底（10）上沉积隔离膜，MOS晶体管，存储电极和电容器。 在根据半导体芯片的使用在ILD（层间电介质）上形成多层金属线（12）之后，形成覆盖金属线（12）的保护膜（14）。 来自激光枪（16）的激光束蚀刻预期为有缺陷的金属丝的保护膜（14）。 通过控制激光的波形和输出，金属丝根本就不会损坏。