公开(公告)号：KR1019990070494A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980005399

申请日：1998-02-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최기룡 ,  방민철

IPC: H01L21/66

Abstract: 웨이퍼 카운터를 개선하여 슬롯의 폭을 더 줄이고, 슬롯이 형성되는 깊이를 더 깊게 할 수 있는 웨이퍼 오탑재 방지 수단을 추가로 구성하여 웨이퍼 카운팅을 하기 전에 오탑재된 웨이퍼를 미리 발견하여 교정함으로써 공정중에 웨이퍼가 깨지는 문제점을 개선할 수 있는 웨이퍼 카운터 및 웨이퍼 카운팅 방법에 관해 개시한다. 웨이퍼 오탑재 탐지 수단은 웨이퍼 카운터의 본체 및 슬롯 구분판 상부에 구성되고, 슬롯의 폭을 줄이고, 웨이퍼와 접촉할 때 웨이퍼에 충격을 가하지 않는 재질을 사용하여 구성한다.

公开(公告)号：KR1020150138544A

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：KR1020140065389

申请日：2014-05-29

Applicant: 세메스 주식회사 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 송길훈 ,  최기룡 ,  최영철 ,  박귀수 ,  박선용

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: B08B13/00

Abstract: 본발명은기판처리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치에있어서, 내부에처리공간을가지는용기와상기용기내부에위치하며기판을지지하는기판지지유닛과상기기판지지유닛에놓여지는기판으로처리액을분사하는분사부재를포함하되상기용기의내측면에는결이형성되는기판처리장치를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理衬底的设备。 根据本发明的一个实施例，用于处理衬底的设备包括：容器，其内部具有处理空间; 位于容器内部并支撑衬底的衬底支撑单元; 以及将处理溶液喷射到放置在基板支撑单元上的基板上的喷涂构件。 在容器的内侧形成有纬纱。

公开(公告)号：KR100295443B1

公开(公告)日：2001-07-12

申请号：KR1019980036927

申请日：1998-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최기룡

IPC: H04B7/26

Abstract: 가. 본 발명의 청구범위가 속하는 기술분야
유럽형 이동통신단말기의 채널 수신감도 저하 방지 장치에 관한 것이다.
나. 본 발명이 해결하고자 하는 과제
유럽형 이동통신단말기의 채널 수신감도 저하를 방지하기 위한 장치를 제공함에 있다.
다. 본 발명의 기술적 요지
디지털 라인을 통해 소정의 제어신호를 입력받아 무선주파수부를 턴 온/오프 하는 무선주파수부 제어기를 가지는 유럽형 이동통신단말기의 무선주파수부에 있어서, 상기 디지털 라인 사이에 전자기 방해 필터를 연결하여 상기 디지털 라인을 통해 입력되는 13MHz 고조파 잡음을 제거하여 출력함을 특징으로 한다.
라. 본 발명의 중요한 용도
유럽형 이동통신단말기의 수신기에 이용한다.

公开(公告)号：KR1019970055702A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950072294

申请日：1995-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진자 ,  박정규 ,  최기룡

IPC: H04B1/48

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
무선 통신시스템
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
소형 경량화 및 저 가격화를 실현한 무선 통신시스템을 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
송신 혹은 수신상태에 따라 절환되는 다수의 스위치로써 송신기와 수신기가 중간주파수를 공유할 수 있도록 구성함을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
송·수신기가 중간주파수를 공유하도록 하는 데 이용한다.

公开(公告)号：KR1020010035848A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990042611

申请日：1999-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최기룡

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A chemical liquid supplying pipe used for manufacturing a semiconductor is provided to level an etch rate of a wafer, by making fluid flow vertically with reference to a lowermost portion of the wafer to minimize vortex generated when chemical liquid is supplied to a process bath. CONSTITUTION: Chemical liquid is supplied to a process bath through a supply pipe(10). The first, second, third and fourth spraying holes(12,14,16,18) having different spraying angles minimize vortex generated in the process bath in supplying the chemical liquid, uniformly installed in the process bath and corresponding to each other.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的化学液体供应管，以通过使液体相对于晶片的最下部分垂直流动来使晶片的蚀刻速率升高，以最小化将化学液体供应到工艺槽时产生的涡流 。 构成：将化学液体通过供给管（10）供给工艺浴。 具有不同喷射角度的第一，第二，第三和第四喷洒孔（12,14,16,18）最小化处理槽中产生的涡流，以均匀地安装在处理槽中并彼此对应。

公开(公告)号：KR100241906B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970000640

申请日：1997-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최기룡

IPC: H02J7/00

Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
배터리 충전회로에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
배터리 충전시 주변 온도에 따른 배터리의 만충전 전압 가변 특성에 적응적으로 그(만충전 전압에 대응되는) 기준전압을 변화시키는 배터리 충전회로를 제공함에 있다.
다. 발명의 해결방법의 요지
본 배터리 충전회로는 상기 배터리에 충전전원을 공급하는 수단과, 상기 배터리의 기준충전전류를 설정하는 기준전압을 발생하는 수단과, 상기 배터리의 부하전류에 대응되는 전압을 비교전압으로 수신하고 상기 기준전압을 수신하며, 상기 두전압을 비교하여 상기 배터리의 충전전류를 제어하기 위한 제어신호를 발생하는 수단과, 주변온도에 따라 저항치가 가변하는 센서를 포함하며, 상기 배터리의 만충전 전압을 설정하는 기준전압을 발생하는 수단과, 상기 배터리의 충전전압에 대응되는 전압을 비교전압으로 수신하고 상기 만충전 전압의 기준전압을 수신하며, 상기 두 전압을 비교하여 상기 배터리의 충전전원의 펄스 폭을 제어하는 신호를 발생하는 수단과, 상기 충전전원과 배터리 사이에 연결되는 스위치수단을 구비하며, 상기 제어신호에 � ��라 상기 스위치수단을 스위칭시켜 상기 충전전원의 펄스 폭을 제어하는 수단으로 구성되어, 상기 배터리의 충전전압이 설정된 만충전 전압을 초과할 시 상기 충전전원의 공급을 차단하는 것을 특징으로 한다.
라. 발명의 중요한 용도
배터리의 과충전 방지를 온도 보상형으로 구현하는 데 사용한다.

公开(公告)号：KR1019990040742A

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR1019970061216

申请日：1997-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최기룡

IPC: H04B1/40

Abstract: 전화기의 사용자 인터페이스 장치에 관한 기술이다.
본 전화기의 사용자 인터페이스 장치는, 액정표시부와, 상기 액정표시부에 표시되는 소정의 메뉴프로그램을 저장하는 메모리와, 상기 메뉴프로그램을 실행시키는 마이크로프로세서와, 상기 메뉴프로그램의 실행으로 액정표시부에 표시되는 소정의 메뉴를 지시하기 위해 상기 액정표시부에 표시되는 지시자의 이동을 제어하는 지시자 이동 제어부와, 상기 지시자에 의해 지시되고 있는 메뉴에 대한 선택 혹은 취소를 위한 수단으로 구성됨을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100481178B1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020020052861

申请日：2002-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임문택 ,  정은삼 ,  최기룡

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67265 ,  B08B3/00 ,  G01N21/55 ,  G01N21/94 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판유무검사장치에 관한 것으로서, 소정의 처리공간을 형성하는 처리챔버와; 상기 처리챔버의 바닥부에 기판가이드를 매개로 상기 바닥부와 직립된 상태로 배치되는 적어도 하나의 기판과; 상기 처리챔버의 양측에 설치되어 그 조사광축이 상기 직립된 기판과 직교되어 조사되는 제1발광부 및 그 조사광을 수광하는 제1수광부로 구성된 제1기판유무감지수단 및; 상기 처리챔버의 바닥에 설치된 광반사수단과; 상기 처리챔버의 일측에 설치되어 조사광을 상기 광반사수단측으로 소정각도로 출사하는 제2발광부 및 상기 광반사수단을 통해 반사된 광을 수광하는 제2수광부로 구성된 적어도 하나의 제2기판유무감지수단을 포함한다.
상술한 바와 같은 구성에 의해 기판의 입·출상태를 감지함과 아울러 그 바닥면에 잔류된 기판 또는 파손 조각 등의 존재 유무 상태를 감지하여 기판의 추가적인 파손을 방지하고 공정처리 불량률을 줄이는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1020040021263A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：KR1020020052861

申请日：2002-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임문택 ,  정은삼 ,  최기룡

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67265 ,  B08B3/00 ,  G01N21/55 ,  G01N21/94 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: An apparatus for checking substrate existence is provided to prevent the damage of wafers and reduce process errors by sensing the presence of the remaining wafers and the damage of the wafers as well as inputting states and outputting states of the wafers. CONSTITUTION: An apparatus for checking substrate existence includes a process chamber(10), one or more wafers(W), the first substrate detection unit(30), an optical reflection unit(40), and the second substrate detection unit(50). The wafers(W) are erected on a bottom face of the process chamber(10) by using a wafer guide. The first substrate detection unit(30) is formed with the first light emitting part(31) and the first light receiving part(33) in order to detect each state of the wafers. The optical reflection unit(40) is installed on the bottom of the process chamber. The second substrate detection unit(50) is formed with the second light emitting part(51) and the second light receiving part(53) in order to detect each wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于检查基板存在的装置，以防止晶片的损坏，并且通过检测剩余晶片的存在和晶片的损坏以及晶片的输入状态和输出状态来减少处理误差。 构成：用于检查基板存在的装置包括处理室（10），一个或多个晶片（W），第一基板检测单元（30），光反射单元（40）和第二基板检测单元（50） 。 晶片（W）通过使用晶片引导件竖立在处理室（10）的底面上。 为了检测晶片的每个状态，第一基板检测单元（30）形成有第一发光部分（31）和第一光接收部分（33）。 光反射单元（40）安装在处理室的底部。 为了检测每个晶片，第二基板检测单元（50）形成有第二发光部分（51）和第二光接收部分（53）。

公开(公告)号：KR1020030086660A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：KR1020020024766

申请日：2002-05-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최기룡

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: An apparatus for controlling the chemical temperature of semiconductor fabricating equipment is provided to perform a process at a standard process temperature even if a temperature decreases as a wafer is loaded by setting up different reference temperatures according to the number of wafers before the wafer is loaded into a chemical bath. CONSTITUTION: A chemical solution is stored in the chemical bath(100). A temperature sensor(102) senses the temperature of the chemical solution, installed in the lower end of the chemical bath. A temperature detecting unit detects each temperature sensed by the temperature sensor. An analog/digital converter(106) converts the temperature data detected from the temperature detecting unit into each digital data. A wafer supply unit(114) counts the number of wafers to be inserted into the chemical bath. A controller(108) receives the temperature data digitally converted by the analog/digital converter, compares the temperature data with reference temperature data according to the number of the wafers supplied from the wafer supply unit, and outputs a temperature control signal. A heat unit(110) supplies heater power to heat a heater(112), controlled by the controller. The heater increases the temperature of the chemical solution to a predetermined temperature, heated by the power supplied from the heat unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于控制半导体制造设备的化学温度的装置，以便在标准工艺温度下进行处理，即使当晶片被加载时，通过根据在晶片之前的晶片数目设置不同的参考温度来降低晶片， 装入化学浴。 构成：将化学溶液储存在化学浴（100）中。 温度传感器（102）感测安装在化学浴池下端的化学溶液的温度。 温度检测单元检测由温度传感器感测的每个温度。 模拟/数字转换器（106）将从温度检测单元检测的温度数据转换成每个数字数据。 晶片供给单元（114）对要插入化学浴的晶片数进行计数。 控制器（108）接收由模拟/数字转换器数字转换的温度数据，根据从晶片供应单元提供的晶片数将温度数据与参考温度数据进行比较，并输出温度控制信号。 加热单元（110）提供加热器电力以加热由控制器控制的加热器（112）。 加热器将化学溶液的温度升高到由加热单元供应的电力加热的预定温度。