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公开(公告)号：KR1020170025889A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150122983
申请日：2015-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08L83/10 , C08K3/22 , C08G77/445 , H01L29/786 , H01L27/32 , H01L51/52
CPC classification number: C08F130/08 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08G77/442 , C08G83/001 , C09D183/10 , H01B3/46 , H01G4/14 , H01L51/004 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0537
Abstract: 하기화학식 1로표시되는화합물의가수분해및 축중합반응물과열가교성첨가제의축합반응생성물을포함하는조성물, 상기조성물을경화시켜얻어지는경화물을포함하는전자장치, 및박막트랜지스터를제공한다: (화학식 1)화학식 1의각 치환기는명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 组合物包括热交联剂与化学式1表示的化合物的水解和缩聚产物之间的缩合反应的产物：其中在化学式1中，取代基的定义与 详细说明。
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公开(公告)号：KR1020170041064A
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020150140544
申请日：2015-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/3105 , H01L21/02 , H01L51/50 , H01L27/32 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/0003 , H01L51/0005 , H01L51/0011 , H01L51/0074
Abstract: 게이트전극, 상기게이트전극과중첩하는반도체, 상기게이트전극과상기반도체사이에위치하는게이트절연체, 및상기반도체와전기적으로연결되어있는소스전극및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터로서, 상기게이트절연체는상기게이트전극측에위치하는무기절연막과상기반도체측에위치하는유기절연막을포함하는박막트랜지스터, 이박막트랜지스터의제조방법, 및상기박막트랜지스터를포함하는전자장치에관한것이다.
Abstract translation: 一种薄膜晶体管，包括栅电极，叠加在栅电极上的半导体，位于栅电极和半导体之间的栅绝缘体以及电连接到半导体的源电极和漏电极， 一种薄膜晶体管，包括位于栅电极侧的无机绝缘膜和位于半导体侧的有机绝缘膜，制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的电子设备。
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公开(公告)号：KR1020160093550A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020160007798
申请日：2016-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D345/00 , C07C391/00 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/00
Abstract: 8개이상의고리가융합되어있어고축합되고(highly-fused) 높은평면성으로인하여분자간에전하의이동이원활히일어날수 있는화학식 1A 또는 1B로표현되는축합다환헤테로방향족화합물을제공한다. 또한, 상기축합다환헤테로방향족화합물을포함하는유기박막및 상기박막을캐리어수송층으로포함하는전자소자에관한것이다.
Abstract translation: 提供由化学式1A或1B表示的稠合多环杂芳族化合物。 根据本发明，熔融多环杂芳族化合物由于至少八个环被熔合在一起而被高度融合，并且由于高的平面性，电荷也能在分子内自由移动。 此外，本发明还涉及包含熔融多环杂芳族化合物的有机薄膜，以及包括作为载流子转移层的薄膜的电子器件。
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公开(公告)号：KR1020170080175A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150191451
申请日：2015-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/283 , H01L51/0017 , H01L51/0018 , H01L51/0074 , H01L51/0558
Abstract: 게이트전극을형성하는단계와, 게이트전극위에게이트절연막을형성하는단계와, 게이트절연막위에유기반도체층을형성하는단계와, 유기반도체층위에용매선택성감광층을형성하는단계와, 유기반도체층과용매선택성감광층을함께패터닝하여유기반도체패턴및 용매선택성감광패턴을형성하는단계, 및유기반도체패턴및 용매선택성감광패턴위에유기반도체패턴과전기적으로연결되어있는소스전극및 드레인전극을형성하는단계를포함하는박막트랜지스터의제조방법과, 이를이용하여제조된박막트랜지스터, 및이를포함하는전자소자에관한것이다.
Abstract translation: 和形成栅电极，在栅极上形成栅电极绝缘膜，形成在所述栅极的有机半导体层绝缘膜，由此形成有机半导体层上的溶剂选择性光敏层和有机半导体层和所述溶剂 包括图案化的步骤，以形成所述有机半导体图案，以及溶剂的选择性，以形成光敏图案，以及有机半导体图案和溶剂选择性感光图案源极和漏极被电连接至所述有机半导体图案上与选择性感光层电极 一种使用其制造的薄膜晶体管，以及包括该薄膜晶体管的电子器件。
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公开(公告)号：KR1020170074212A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020160175842
申请日：2016-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/05 , H01L29/786 , H01L21/02 , C07D495/04 , C07D495/02
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/0003 , H01L51/0071 , H01L51/0074 , H01L51/0558 , Y02E10/549
Abstract: 게이트전극, 상기게이트전극과중첩하는반도체, 상기게이트전극과상기반도체사이에위치하는게이트절연체, 및상기반도체와전기적으로연결되어있는소스전극및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터로서, 상기반도체는용액공정으로적용가능한유기반도체이고, 상기게이트절연체는무기절연막을포함하고, 상기유기반도체측에위치하는상기무기절연막의표면이아크릴말단을갖는실록산중합체로코팅된것인박막트랜지스터, 이박막트랜지스터의제조방법, 및상기박막트랜지스터를포함하는전자장치에관한것이다.
Abstract translation: 包括栅电极，栅极绝缘体，以及电连接到位于半导体的半导体，栅电极和半导体，其中与栅电极重叠之间源电极和漏电极的薄膜晶体管中，半导体是溶液方法 通过施加有机半导体，栅极绝缘体是由无机绝缘膜，其位于涂覆有丙烯酸系端doengeot薄膜晶体管的硅氧烷聚合物的有机半导体侧的无机绝缘膜的表面上，制造该薄膜晶体管的方法， 以及包括该薄膜晶体管的电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160140022A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020150076082
申请日：2015-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09D183/06 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08G77/80 , C09D11/101 , C09D11/102 , H01L51/0003 , H01L51/0034 , H01L51/0065 , H01L51/0094 , H01L51/0537 , H01L51/0545 , H01L2251/303 , C08K3/22
Abstract: 중합성작용기를가지는치환기가결합된나노입자, 오가노실란화합물및 폴리오가노실록산중 적어도하나, 그리고용매를포함하는절연액, 상기절연액의경화물을포함하는절연체및 이를포함하는박막트랜지스터에관한것이다.
Abstract translation: 绝缘油墨包括与具有可聚合官能团的取代基，有机硅烷化合物和聚有机硅氧烷中的至少一种和溶剂结合的纳米颗粒。
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公开(公告)号：KR102254200B1
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：KR1020170033971
申请日：2017-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 기판위에서서로마주하는한 쌍의보조구조물, 유기반도체를포함하고상기한 쌍의보조구조물사이에서연속적으로성장되어있는활성층, 상기활성층과중첩하는게이트전극, 및상기활성층과전기적으로연결되어있는소스전극및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터및 그제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160150002A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：KR1020160061613
申请日：2016-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07D495/04 , C07D493/04 , C07D487/04 , C07D495/22 , C07D493/22 , C07D487/22 , C09K11/06 , H01L51/00 , H01L51/50
CPC classification number: C07D495/04 , C07D487/04 , C07D487/22 , C07D493/04 , C07D493/22 , C07D495/22 , C09K11/06 , C09K2211/1092 , H01L27/3248 , H01L51/0074 , H01L51/5012
Abstract: 하기화학식 1로표현되는유기화합물, 상기유기화합물을포함하는유기박막, 박막트랜지스터및 전자소자에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A 및 B는각각독립적으로치환또는비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 2가의치환또는비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는이들의조합이고, Z내지 Z은각각독립적으로수소, C1 내지 C10 할로알킬기또는할로겐원자이되, Z내지 Z중적어도하나는 C1 내지 C10 할로알킬기또는할로겐원자이고, n및 n은각각독립적으로 0 내지 5인정수이고, L은 6개이상의고리가융합된축합다환기로, 하기화학식 2로표현되는기이고, [화학식 2]상기화학식 2 및 3에서, Ar내지 Ar, X, X, R, R, R, a, b 및 *의정의는명세서에서기재한바와같다.
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公开(公告)号：KR1020160065765A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020150169861
申请日：2015-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08L43/04 , C08K3/08 , C08K5/098 , C08F230/08 , H01B3/46 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , C08F30/08 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08G77/26 , C08G77/442 , C08L43/04 , C08L83/08 , C08L83/10 , C09D4/00 , C09D183/08 , C09D183/10 , H01L51/0074 , H01L51/0537 , H01L51/0545
Abstract: 하기화학식 1로표시되는화합물의가수분해및 축중합반응물과열가교성첨가제의축합반응생성물을포함하는조성물, 상기조성물을경화시켜얻어지는경화물을포함하는전자장치, 및박막트랜지스터를제공한다: (화학식 1)화학식 1의각 치환기는명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 本发明提供一种组合物，其包含：通过化学式1表示的化合物的水解和缩聚获得的反应物;以及热交联添加剂的缩合反应的产物。还提供了一种电子器件，其包含通过 固化组合物和薄膜晶体管。 在化学式1中，每个取代基与本说明书中所定义的相同。
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