公开(公告)号：KR20210032111A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020190113429A

申请日：2019-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조정현 ,  주성훈 ,  최일한

IPC: G11C7/04 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/062 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/16 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이를 구비하는 메모리 시스템이 개시된다. 반도체 메모리 장치는 내부 온도를 감지하여 온도 신호를 발생하는 온도 센서, 및 특정 명령에 대응하는 동작이 실제 수행되는 동안에 발생되는 온도 코드 라이트 제어신호에 응답하여 온도 신호를 수신하여 온도 신호에 대응하는 동작 온도 코드를 발생하고, 동작 온도 코드와 기 저장된 온도 코드를 비교하여 큰 온도 코드를 최대 온도 코드로 저장하고, 온도 코드 리드 제어신호에 응답하여 최대 온도 코드를 외부로 출력하는 온도 코드 저장부를 포함한다.