Abstract:
본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이를 구비하는 메모리 시스템이 개시된다. 반도체 메모리 장치는 내부 온도를 감지하여 온도 신호를 발생하는 온도 센서, 및 특정 명령에 대응하는 동작이 실제 수행되는 동안에 발생되는 온도 코드 라이트 제어신호에 응답하여 온도 신호를 수신하여 온도 신호에 대응하는 동작 온도 코드를 발생하고, 동작 온도 코드와 기 저장된 온도 코드를 비교하여 큰 온도 코드를 최대 온도 코드로 저장하고, 온도 코드 리드 제어신호에 응답하여 최대 온도 코드를 외부로 출력하는 온도 코드 저장부를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 반도체 제조설비의 관리방법 및 그의 관리시스템을 개시한다. 그의 방법은 챔버의 부품들을 분해하여 세정하기 위한 예방정비를 지시에 따라 상기 부품들이 조립될 때마다 상기 부품들에 제공된 고주파 전압의 반사율과 흡수율을 이용하여 상기 부품들이 정상적으로 조립되는지를 개별적으로 확인하는 단계를 포함한다.
Abstract:
컴퓨터 시스템은 마더보드, 복수의 양면 메모리 모듈 소켓들, 적어도 하나의 양면 메모리 모듈, 복수의 전압 레귤레이터 모듈들, 전원 제어 장치를 포함한다. 양면 메모리 모듈 소켓들은 마더보드에 부착되어 양면 메모리 모듈이 장착될 수 있도록 한다. 양면 메모리 모듈은 직렬 프레즌스 검출 정보를 각각 저장하고 양면 메모리 모듈 소켓들에 장착된다. 전압 레귤레이터 모듈들은 마더보드에 부착되고 양면 메모리 모듈 소켓에 각각 인접하여 전력을 공급한다. 전원 제어 장치는 양면 메모리 모듈로부터 상기 직렬 프레즌스 검출 정보를 제공받아 전압 레귤레이터 모듈들을 제어한다.
Abstract:
PURPOSE: A main board and a data processing system including the same are provided to prevent a reflected wave caused by a memory socket not equipped with a memory module. CONSTITUTION: A main board(40) includes a first, a second memory sockets and a PCB(Printed Circuit Board). The PCB is detachable from the main board. The first and the second memory sockets are detachable from the PCB. The PCB electrically connects the first memory socket with the second memory socket. Plural holes(40-3) fix a support(40-1).
Abstract:
An image sensor manufacturing method and an image sensor manufactured thereby are provided to improve process stability and to increase a yield by preventing damage of a micro lens and generation of particles due to organic materials of the micro lens in a manufacturing process. A semiconductor substrate(101) in which a pixel region(A) and a pad area(B) are defined is provided. An active pixel sensor array and a color filter(510) formed on the active pixel sensor array are formed on the semiconductor substrate of the pixel region. A metal pad(330) is formed on the semiconductor substrate of the pad area. An upper part of the semiconductor substrate is planarized by a planarization layer(520). The micro lens is formed on an upper part of the planarization layer of the pixel region. A micro lens protection layer(620) formed with the non-photosensitive polymer layer is formed on the planarization layer in which the micro lens is formed. A mask layer for exposing an upper region of the metal pad is formed on the micro lens protection layer. The micro lens protection layer and the planarization layer are partially removed by using the mask layer as an etch mask. A partial upper side of the metal pad is exposed. The mask layer is removed.
Abstract:
An image sensor is formed by providing a semiconductor substrate having first, second and third pixel regions and first and second color filters disposed on their respective pixel regions. A photoresist layer is coated over the first and second color filters and the third color pixel region. The photoresist is removed from the first and second color filters, leaving a third color filter of substantially the same height as the first and second color filters. Micro lenses may then be formed on the color filters.
Abstract:
ECC 메모리 모듈이 개시된다. 본 발명에 따른 ECC 메모리 모듈은 ECC 메모리 모듈을 구성하는 메모리 소자 중 일부와 패리티 비트를 저장하기 위한 소자들을 2배의 덴시티와 2배의 비트 구성을 가지는 메모리 소자를 이용하여 통합 구성하여 실장한다. 본 발명에 다른 ECC 메모리 모듈은 ECC 기능 구현을 위해 추가되는 메모리 소자로 인한 실장 면적 증가, 신호선 로딩 증가, 비대칭 신호선 토폴로지로 인해 발생하는 신호 충실도 감소 등을 해결할 수 있다. ECC 메모리 모듈, 비대칭 토폴로지