Patent search ap:("삼성전자주식회사") AND inv:"타무라야수유키" Page 1

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发明授权
반도체 장치의 듀얼 게이트 구조물 및 그 형성 방법. 有权
Title translation: 半导体器件双栅极结构及其形成方法。

公开(公告)号：KR100647472B1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：KR1020050112306

申请日：2005-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이명범 , 남갑진 , 오오츠카푸미오 , 아카사카야스시 , 타무라야수유키

IPC: H01L21/336 , H01L29/78

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