公开(公告)号：KR1020170000025A

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020150088402

申请日：2015-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강동훈 ,  정준필 ,  김형동 ,  하경남

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/16145

Abstract: 스택칩은제1 반도체칩, 제2 반도체칩 그리고상기제1 반도체칩 및상기제2 반도체칩 사이에적층되는적어도하나의반도체칩을포함하고, 상기제1 반도체칩, 상기제2 반도체칩 및상기적어도하나의반도체칩은상기적어도하나의반도체칩을관통하는제1 및제2 연결구조체들을통해서서로연결되고, 상기제1 반도체칩은상기제1 연결구조체의일단과제1 전류소스의사이에연결되는제1 스위치; 상기제1 연결구조체의일단과상기제2 연결구조체의일단사이에연결되는제2 스위치; 및상기제2 연결구조체의일단에연결되는접지노드를포함하고, 상기제2 반도체칩은상기제1 연결구조체의타단과제2 전류소스의사이에연결되는제3 스위치; 및상기제1 연결구조체의타단과상기제2 연결구조체의타단사이에연결되는제4 스위치를포함한다.

公开(公告)号：KR1020160143988A

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：KR1020150080063

申请日：2015-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강동훈 ,  하경남 ,  김형동 ,  정준필

IPC: G11C29/42 ,  G11C5/04 ,  G11C5/06

CPC classification number: H01L23/481 ,  G06F11/1012 ,  G11C5/025 ,  G11C11/401 ,  G11C11/4093 ,  G11C29/022 ,  G11C29/025 ,  G11C29/4401 ,  G11C29/52 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311

Abstract: 본발명의반도체메모리장치는스택드칩 구조에서소프트데이터페일분석및 구제기능을제공한다. 본발명에따른반도체메모리장치는, 적어도하나의버퍼다이를가지는제1 그룹다이와, 상기제1 그룹다이의상부에적층되고복수의관통라인들을통해데이터를통신하는복수의메모리다이들을포함하는제2 그룹다이를구비한다. 상기복수의메모리다이들중 적어도하나는상기제1 그룹다이로전송되는전송데이터를이용하여전송패리티비트들을생성하는제1 타입 ECC 회로를가진다. 또한, 상기버퍼다이는상기복수의관통라인들을통해수신되는상기전송데이터에전송에러가발생된경우에상기전송패리티비트들을이용하여전송에러를정정함에의해에러정정된데이터를생성하는제2 타입 ECC 회로를가진다.

Abstract translation: 半导体存储器件包括包括至少一个缓冲管芯的第一组裸片，并且包括堆叠在第一组上的多个存储器管芯的第二组裸片通过多个TSV线传送数据。 这里，多个存储管芯中的至少一个存储器管芯包括第一型ECC电路，其使用要发送到第一组管芯的发送数据生成传输奇偶校验位，并且缓冲器管芯包括第二类型ECC电路，其在传输时校正 通过多个TSV线接收的发送数据发生误差，使用发送奇偶校验位的发送错误，并生成纠错数据。