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公开(公告)号：WO2012128601A2
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/KR2012/002187
申请日：2012-03-26
Abstract: 본 발명은 통신용 전자 장치를 위한 내장형 안테나 장치에 관한 것으로서, 접지 영역과 비 접지 영역을 포함하는 기판과, 상기 기판의 비 접지 영역에 배치되어 상기 기판에 구비된 급전부에 급전되는 안테나 방사체 및 상기 안테나 방사체에서 분기 되어 상기 접지 영역 근처에 일정 길이 및 일정 폭을 갖도록 배치되는 전송 라인을 포함하고, 전송 라인을 접지 영역과 커플링시킴으로써 리액턴스를 제어하여 안테나 방사체를 적어도 하나의 소망 대역에서 동작시킬 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于电子通信设备的嵌入式天线装置，并且所述嵌入式天线装置包括：基板，其包括接地区域和非接地区域; 天线辐射器，其设置在所述基板的非接地区域中，并被馈送到位于所述基板上的馈电部分; 以及从所述天线辐射体分离的传输线，并且设置在所述接地区域附近以具有一定的长度和一定宽度，其中所述传输线与所述接地区域耦合以控制电抗，使得 天线辐射器可以在至少一个期望的频带中操作。
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公开(公告)号：KR1020170097270A
公开(公告)日：2017-08-28
申请号：KR1020160018633
申请日：2016-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L29/417 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/6833 , H01L23/535 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/7848 , H01L29/7851
Abstract: 본발명은반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판으로부터수직적으로돌출되며, 상기기판의상면과평행한제1 방향으로연장하는핀 구조체를포함한다. 상기핀 구조체는, 하부패턴, 및상기하부패턴의상면으로부터수직하게돌출된활성패턴을포함하고, 상기하부패턴의상면은, 상기기판의상면과실질적으로평행한평평한부분을포함하며, 상기하부패턴은상기제1 방향으로연장되는제1 측벽, 및상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되는제2 측벽을포함하고, 상기제1 측벽과상기기판의상면이이루는제1 각도는, 상기제2 측벽과상기기판의상면이이루는제2 각도보다크다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地说，涉及一种引脚结构，该引脚结构垂直地从基板突出并沿平行于基板上表面的第一方向延伸。 其中，所述pin结构包括下图案和从所述下图案的上表面垂直突出的有源图案，其中，所述下图案的上表面包括基本平行于所述基板的上表面的平坦部分， 第一侧壁沿第一方向延伸，第二侧壁沿与第一方向交叉的第二方向延伸，其中由第一侧壁和衬底的上表面形成的第一角度与第一角度相同， 大于由第二侧壁和衬底的上表面形成的第二角度。
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公开(公告)号：KR1020080017118A
公开(公告)日：2008-02-26
申请号：KR1020060078516
申请日：2006-08-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: Cooling equipment of a diffuse furnace device is provided to reduce a cooling time in the diffuse furnace by exhausting rapidly heated air generated from a heat block through a duct. An inner tube(2) is used for executing a process in a diffuse furnace. An outer tube(3) surrounds the inner tube. A heat block(4), which is installed at an outer of the outer tube, constantly maintains temperature in the inner tube. A cooling unit(6), which is installed at an outer of the heat block, cools temperature heated in the heat block to prevent over heat. An air nozzle, which is installed between the inner and outer tubes, sprays compressed air after diffusion process. A duct, which is installed at an upper portion of the heat block, exhausts the heated air from the inner tube. A main duct(7) exhausts the heated air generated through the duct to outside.
Abstract translation: 提供扩散炉装置的冷却设备，以通过排出通过管道从热块产生的快速加热的空气来减少扩散炉中的冷却时间。 内管（2）用于在扩散炉中进行处理。 外管（3）围绕内管。 安装在外管外侧的热块（4）不断地保持内管的温度。 安装在热块外部的冷却单元（6）冷却在热块中加热的温度以防止过热。 安装在内管和外管之间的空气喷嘴在扩散过程后喷射压缩空气。 安装在加热块的上部的导管从内管排出加热的空气。 主管道（7）将通过管道产生的加热空气排出到外部。
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公开(公告)号：KR1020070018177A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020050072590
申请日：2005-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67201 , H01L21/67017
Abstract: 본 발명은 반도체 디바이스 제조설비의 로드락 챔버에 관한 것이다. 본 발명에서는, 프로세스 챔버로부터 유입되는 잔류 공정 가스를 외부로 보다 원활히 배출시키기 위해 로드락 챔버 내부에 게이트 밸브 및 팬을 장착함을 특징으로 한다. 상기 게이트 밸브 및 팬을 통해 프로세스 챔버로부터 유입된 잔류 공정 가스를 외부로 보다 원활히 배출시킴으로써 로드락 챔버 내부에 폴리머가 고착되는 문제점을 해소할 수 있게 된다.
반도체, 트랜스퍼 챔버, 로드락 챔버, 게이트 밸브, 팬-
公开(公告)号：KR1020060088968A
公开(公告)日：2006-08-07
申请号：KR1020050009500
申请日：2005-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/401
Abstract: 셀프 리프레시 펄스 생성 장치 및 이를 구비하는 반도체 메모리 장치가 개시되어 있다. 셀프 리프레시 펄스 생성 장치는, 반도체 메모리 장치에 구비된 N개의 뱅크의 셀프 리프레시를 수행하기 위한 표준 셀프 리프레시 펄스를 생성하는 표준 셀프 리프레시 펄스 발생부; 및 상기 생성된 표준 셀프 리프레시 펄스를 입력받고, 상기 각 뱅크의 셀프 리프레시 주기에 따라 상기 입력된 표준 셀프 리프레시 펄스의 주기를 변환시켜 N개의 뱅크 셀프 리프레시 펄스를 생성한 뒤, 상기 생성된 각 뱅크 셀프 리프레시 펄스를 대응되는 뱅크 측으로 전송하는 뱅크별 셀프 리프레시 신호 발생부로 구성된다. 따라서, 각 뱅크의 셀프 리프레시 주기 특성에 따른 각각의 뱅크에 대응되는 뱅크 셀프 리프레시 펄스를 생성하고, 그 주기에 따른 셀프 리프레시를 수행할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100594287B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040051975
申请日：2004-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C7/10
CPC classification number: H03K19/018528
Abstract: 본 발명은 넓은 범위의 입력 전압에 대응 가능한 입력 버퍼에 대하여 개시된다. 입력 버퍼는 입력 신호와 같은 레벨인 데이터 입출력 전원 전압에 의해 구동되고 입력 신호를 출력 신호로 전달하거나, 입력 신호와 기준 전압을 비교하여 출력 신호를 발생한다. 입력 버퍼의 전원은 입력 신호와 비교되어 입력 전압의 최대 값이 될 때까지 제1 전원 전압으로부터 차아지를 공급받는다. 이에 따라 입력 버퍼의 전원이 입력 신호의 전압 레벨을 따라 변동되기 때문에, 넓은 범위의 입력 신호들의 로직 레벨을 정확히 판정할 수 있다.
입력 버퍼, 입력 신호 레벨, 전원 검출 및 유지부-
公开(公告)号：KR100532388B1
公开(公告)日：2006-01-27
申请号：KR1019980031692
申请日：1998-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
Abstract: 본 발명은 직렬 출력 비교기를 갖는 메모리 집적 회로에 관한 것으로서, 고주파수의 내부 데이터를 입력하고 내부 클럭 신호에 응답하여 상기 내부 데이터를 출력하는 데이터 전송 수단과, 각각 상기 데이터 전송 수단으로부터 출력되는 내부 데이터를 입력하고 제어 신호에 응답하여 입력되는 내부 데이터를 출력하는 다수개의 스위칭 수단들과, 상기 다수개의 스위칭 수단들로부터 출력되는 내부 데이터를 각각 입력하여 보존하는 다수개의 데이터 보존 수단들, 및 상기 데이터 전송 수단으로부터 출력되는 내부 데이터와 상기 다수개의 데이터 보존 수단들로부터 출력되는 내부 데이터를 입력하고 이들을 비교하는 비교 수단을 구비함으로써 저주파 테스트 장비를 이용하여 고주파로 동작하는 메모리 집적 회로를 테스트할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050117891A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：KR1020040043163
申请日：2004-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치를 공개한다. 이 반도체 메모리 장치는 적어도 하나 이상의 제 1 데이터 전원 패드들과, 복수개의 제 1 패드들이 일측에 배치되는 제 1 패드 그룹과, 적어도 하나 이상의 제 2 데이터 전원 패드들과, 복수개의 제 2 패드들이 상기 제 1 패드 그룹의 상대측에 배치되는 제 2 패드 그룹과, 상기 제 1 데이터 전원 패드와 상기 대응되는 제 1 패드에 연결되어, 입력된 신호를 버퍼한 후 각각 출력하는 제 1 버퍼와, 상기 제 2 데이터 전원 패드와 상기 대응되는 제 2 패드에 연결되어, 입력된 신호를 버퍼한 후 각각 출력하는 제 2 버퍼를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서 반도체 메모리 장치의 동작의 신뢰성을 증대하여 준다.
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公开(公告)号：KR1020020042186A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：KR1020000071976
申请日：2000-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14
Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device and a method for regulating a voltage level the same are provided to prevent over-killing by adjusting the number of voltage generators enabled at a test mode. CONSTITUTION: A semiconductor memory device includes many sub high voltage generators(20-1,...20-8), many controller(40-1...40-8), a high voltage level detector(22), and a mode setting part(42). The sub high voltage generators(20-1,...20-8) boost a high voltage level. The controllers(40-1,...40-8) control operations of the sub high voltage generators in response to a high voltage detection signal and many control signals in a test mode. The high voltage level detector(22) is enabled by an active signal, detects a level drop of the high voltage, and generates a high voltage detection signal. The mode setting part(42) sets a state of the control signals in response to an external input signal at a test mode.
Abstract translation: 目的：提供半导体存储器件和用于调节其电压电平的方法，以通过调节在测试模式下启用的电压发生器的数量来防止过度杀死。 构成：半导体存储器件包括许多次高压发生器（20-1，... 20-8），许多控制器（40-1 ... 40-8），高电压电平检测器（22）和 模式设定部（42）。 次高压发生器（20-1，... 20-8）提高了高电压电平。 控制器（40-1，... 40-8）响应于高电压检测信号和许多控制信号在测试模式下控制副高电压发生器的操作。 高电平电平检测器（22）由有源信号使能，检测高电平的电平下降，并产生高电压检测信号。 模式设置部分（42）响应于测试模式下的外部输入信号设置控制信号的状态。
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公开(公告)号：KR100307638B1
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：KR1019990050906
申请日：1999-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/407
Abstract: 본발명은반도체메모리장치의칼럼디코더에관한것으로서, 외부의칼럼어드레스를프리디코딩하여칼럼어드레스디코딩신호를발생하는프리디코더와상기칼럼어드레스디코딩신호를버퍼링하여칼럼어드레스신호를발생하는다수개의칼럼어드레스버퍼들에연결되는반도체메모리장치의칼럼디코더에있어서, 상기칼럼어드레스버퍼들로부터출력되는다수개의칼럼어드레스신호들을입력하고칼럼선택선신호를발생하며상기다수개의칼럼어드레스신호들중 하나가논리로우일경우에턴온되어상기칼럼선택선신호를액티브시키는 PMOS 트랜지스터와상기다수개의칼럼어드레스신호들이모두논리하이일경우상기칼럼선택선신호를인액티브시키는다수개의 NMOS 트랜지스터들을구비하는칼럼디코더, 및상기칼럼선택선신호에응답하여출력단에연결된칼럼선택선을활성화시키는칼럼선택선드라이버를구비함으로써반도체메모리장치의크기가작아진다.
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