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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960002480A
公开(公告)日：1996-01-26
申请号：KR1019940013121
申请日：1994-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 콘택홀(Contact hole)이나 비아홀(Via hole)과 같은 개구부를 매몰하는 반도체 장치의 배선구조 및 그 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 그 내부에 형성된 개구부를 포함하는 절연층, 스퍼터 식각에 의해, 상기 개구부의 양측벽에 평활한 표면을 갖는 확산 방지막, 및 상기 확산 방지막상에 형성되어 있는 금속층을 포함한다. 상기 확산방지막은 내화금속 또는 내화금속 화합물로 구성하며, 본 발명에 의하면, 매끈한 확산방지막의 측벽에 형성되는 금속층이 알루미늄 원자의 초기 증착특성이 양호함으로 인하여, 알루미늄의 단차도포성이 양호하고, 균일하고 연속적인 막으로 증착된다. 따라서, 고단차의 접촉구를 보이드 없이 효과적으로 매몰할 수 있어, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100144956B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019940013121
申请日：1994-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76876 , H01L21/28518 , H01L21/76838 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76862 , H01L21/76865 , H01L21/76882 , Y10S257/915
Abstract: 콘택홀(Contact hole)이나 비아홀(Via hole)과 같은 개구부를 매몰하는 반도체 장치의 배선구조 및 그 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 그 내부에 형성된 개구부를 포함하는 절연층, 스퍼터 식각에 의해, 상기 개구부의 양측벽에 평활한 표면을 갖는 확산 방지막, 및 상기 확산 방지막상에 형성되어 있는 금속층을 포함한다. 상기 확산방지막은 내화금속 또는 내화금속 화합물로 구성하며, 본 발명에 의하면, 매끈한 확산방지막의 측벽에 형성되는 금속층이 알루미늄 원자의 초기 증착특성이 양호함으로 인하여, 알루미늄막의 단차도포성이 양호하고, 균일하고 연속적인 막으로 증착된다. 따라서, 고단차의 접촉구를 보이드 없이 효과적으로 매몰할 수 있어, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960014463B1
公开(公告)日：1996-10-15
申请号：KR1019920007669
申请日：1992-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: The method of manufacturing DRAM comprises the steps of : isolation by forming a rectangular trench(T) and a field oxide(42); removing the electrode layers(43,45) and a dielectric layer(44) on top and bottom of the trench(T) by etching after forming a capacitor by forming a plate electrode(43), the dielectric layer(44) and a storage electrode(45) on the surface of the trench(T); removing the electrode layers(43,45) and the dielectric layer(44) formed on the edge of the trench(T); forming an insulating film(46) and exposing the top of the storage electrode(45); filling the trench(T) with an epitaxial layer(141), and forming an insulating film(142) and a CVD oxide film; forming a gate oxide(144); photolithography processing after forming a transistor, a second interfacial insulating film(147), a contact part and a plate electrode(148); and photolithography processing after forming a third interfacial insulating film(150), a bit line contact part and a bit line electrode(151).
Abstract translation: 制造DRAM的方法包括以下步骤：通过形成矩形沟槽（T）和场氧化物（42）进行隔离; 通过形成电极（43），在形成电容器之后通过蚀刻来去除沟槽（T）的顶部和底部上的电极层（43,45）和电介质层（44），电介质层（44） 沟槽（T）表面上的电极（45）; 去除形成在沟槽（T）的边缘上的电极层（43,45）和电介质层（44）; 形成绝缘膜（46）并暴露存储电极（45）的顶部; 用外延层（141）填充沟槽（T），形成绝缘膜（142）和CVD氧化膜; 形成栅极氧化物（144）; 形成晶体管后的光刻处理，第二界面绝缘膜（147），接触部分和平板电极（148）; 以及形成第三界面绝缘膜（150），位线接触部分和位线电极（151）之后的光刻处理。
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公开(公告)号：KR1019950004464A
公开(公告)日：1995-02-18
申请号：KR1019930013346
申请日：1993-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: 칩 범프의 제조방법이 개시된다. 이는 패드가 완성된 기판의 전면에 베리어메탈을 형성하는 단계, 상기 기판의 전면에 포토레지스트막을 형성하여 패드 부위를 개구하는 단계, 상기 개구 부위에 도금을 통하여 금속 범프를 형성하는 단계, 상기 범프를 마스크로 하여 상기 포토레지스트막을 선택적으로 제거하는 단계, 잔여 포토레지스트막을 마스크로 하여 소정 영역의 베리어메탈을 식각하는 단계 및 상기 잔여 포토레지스트막을 제거하여 패드의 상부에 범프를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데, 공정이 단순화되고 비용이 절감되며 품질이 우수한 칩 범프를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019930024164A
公开(公告)日：1993-12-22
申请号：KR1019920007669
申请日：1992-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 반도체기판 상에 서로 직교하는 직선형태로 이루어진 비활성영역과; 그 비활성영역으로 각각 소자분리되고 그 분리된 하나의 사각소자영역 전체에 하나의 사각트랜치가 형성된 활성영역으로 구성되며; 그 활성영역은, 상기 사각트랜치의 측벽부중에서 한쌍의 마주보는 측벽들의 중앙부분의 길이벽면을 제외한 나머지 양측벽부 표면에 형성된 커패시터와, 상기 트랜치를 매운 에피텍셜층과, 그 에피텍셜층의 상부에 형성되어, 상기 양측벽부의 두 커패시터와 함께 구동하는 두 트랜지스터를 구동한 DRAM 및 그 제조방법을 제공함으로써 더욱 고집적화된 DRAM 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
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