公开(公告)号：KR1020170035635A

公开(公告)日：2017-03-31

申请号：KR1020150134764

申请日：2015-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노우철 ,  한원규 ,  오혁상 ,  이내인 ,  한경윤

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825

Abstract: 층간절연층 및배선을갖는반도체소자형성방법에관한것이다. 기판상에층간절연층을형성한다. 상기층간절연층 내에개구부를형성한다. 상기개구부를갖는상기층간절연층에마이크로웨이브(Microwave)를조사하여디개싱(degassing) 공정을수행한다. 상기개구부를갖는상기층간절연층에유브이(UV)를조사하여 K-값복구(K-value recovery) 공정을수행한다. 상기개구부내에도전층을형성한다. 상기디개싱공정및 상기 K-값복구공정은인-시츄(in-situ) 공정으로수행한다.

Abstract translation: 层间绝缘层和布线。 在衬底上形成层间绝缘层。 并且在层间绝缘层中形成开口。 将微波施加到具有开口的层间绝缘层以执行脱气过程。 通过用UV光照射具有开口的层间绝缘层来执行K值恢复处理。 导电层形成在开口中。 脱气过程和K值恢复过程通过原位过程进行。