公开(公告)号：KR1020040070628A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：KR1020030006802

申请日：2003-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영석 ,  한영국

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A phase shift mask is provided to form a photoresist pattern without a defect of micro-patterns by forming a phase shift mask having a shielding layer on an isolation region of a peripheral region. CONSTITUTION: A plate(100) includes a plurality of cell region(102), a center region(106) including an isolation region(104) between the cell regions, and a peripheral region(108) surrounding the center region in order to transmit the light having a single wavelength onto a substrate having a photoresist layer. A phase shift layer(120) is formed on the center region and the peripheral region of the plate in order to convert a phase of the light and expose selectively the photoresist layer. A shielding layer(140) is formed on the phase shift layer in order to shield the light irradiated onto the phase shift layer.

Abstract translation: 目的：通过在周边区域的隔离区域上形成具有屏蔽层的相移掩模，提供相移掩模以形成没有微图案缺陷的光致抗蚀剂图案。 构成：板（100）包括多个单元区域（102），包括单元区域之间的隔离区域（104）的中心区域（106）和围绕中心区域的周边区域（108），以便传输 在具有光致抗蚀剂层的基板上具有单一波长的光。 在板的中心区域和周边区域上形成相移层（120），以便转换光的相位并选择性地曝光光致抗蚀剂层。 屏蔽层（140）形成在相移层上以屏蔽照射到相移层上的光。

公开(公告)号：KR1019980003890A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960024013

申请日：1996-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한영국 ,  김학

IPC: G03F9/00

公开(公告)号：KR1020050051096A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：KR1020030084816

申请日：2003-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한영국

IPC: H01L21/027

Abstract: 광원으로부터 출사된 광들은 정렬 부재를 통하여 서로 평행한 방향으로 갖도록 변환된 후, 투과율이 서로 다른 적어도 두 영역을 갖는 필터에 조사되어 균일하게 분포된다. 필터를 경유한 광들은 집광 부재를 통하여 소정의 패턴이 형성된 마스크에 집중되고, 마스크에 집중된 광들은 투영 부재를 통하여 웨이퍼 상에 축소 투영된다. 정렬 부재와 집광 부재 사이에 필터를 배치하여, 집광 부재에 조사되는 광들의 분포도를 향상시키고, 최종적으로는 마스크 패턴의 이미지가 감광제가 도포된 웨이퍼 상에 정확히 전달된다.

公开(公告)号：KR1019990086370A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980019316

申请日：1998-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한영국 ,  김영창

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 사진식각 방법에 관한 것이다. DUV를 이용하는 반도체 장치의 사진식각 방법에 있어서, 패터닝의 대상이 되는 임의의 물질막 상부에 화학 증폭형 제1감광막을 도포한 뒤, 일정 시간 노광한다. 이어서 상기 제1감광막 상부에 제2감광막을 도포한 뒤, 베이크 공정을 실시하게 되면, 상기 제1감광막의 노광된 영역에서 발생된 수소 이온들이 상기 제2감광막으로 증폭 확산됨으로써, 마치 상기 제1감광막 및 제2감광막에 동시에 노광공정을 실시한 것과 같은 결과를 얻게 된다. 이처럼 본 발명에서는 노광공정을 상기 제1감광막에만 실시하므로 높은 해상도 및 초점심도를 가질 수 있으며, 최종적으로 얻어진 감광막 패턴은 상기 제1감광막 및 제2감광막을 합한 두께에서 얻어지므로 식각시 하부 물질막의 손상이 방지된다.

公开(公告)号：KR1020070012104A

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020050066949

申请日：2005-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 우상윤 ,  이중현 ,  한영국 ,  윤광섭 ,  이시형

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/165 ,  B05C11/10 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/683

Abstract: A method and an apparatus for coating a wafer are provided to coat a self-assembly monomer film on wafer surfaces according to a Langmuir-Blodgett scheme. An apparatus for coating a wafer includes a solution tub(100) and a jig unit(280). Solution and self-assembly monomers are contained in the solution tub. The self-assembly monomer floats on a surface of the solution. The jig unit impregnates or lifts up plural wafers into and from the solution tub. The jig unit includes a jig(200) and a lift(290). The jig holds the wafers. The lift is connected to the jig. The jig includes plural holders(210) and a driving unit(230). The holders grasp the respective wafers. The driving unit drives the holders.

Abstract translation: 提供一种用于涂覆晶片的方法和装置，以根据Langmuir-Blodgett方案在晶片表面上涂覆自组装单体膜。 用于涂覆晶片的装置包括溶液槽（100）和夹具单元（280）。 溶液和自组装单体包含在溶液桶中。 自组装单体漂浮在溶液的表面上。 夹具单元将多个晶片浸入或提升到溶液槽中。 夹具单元包括夹具（200）和升降机（290）。 夹具夹持晶片。 电梯连接到夹具。 夹具包括多个保持架（210）和驱动单元（230）。 支架夹住相应的晶片。 驱动单元驱动支架。

公开(公告)号：KR1020000002251A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980022912

申请日：1998-06-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재균 ,  한영국

IPC: H01L21/328

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a semiconductor device is provided to lessen a consumption of an oxide film for minimizing a base leaking current of a transistor. CONSTITUTION: A manufacturing method for a semiconductor element comprises: operating a plastic flow to a photo-resist film formed by a base photo process for lessening an etching damage of a device separating oxide film; and etching deposited films for exposing one part of a silicon substrate for base ion injection after a base photo process in a bipolar for a static random access memory(SRAM).

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件的制造方法，以减少用于使晶体管的基极泄漏电流最小化的氧化膜的消耗。 构成：半导体元件的制造方法包括：对通过基底光刻工艺形成的光致抗蚀剂膜进行塑性流动，以减少隔离氧化膜的器件的蚀刻损伤; 并且在用于静态随机存取存储器（SRAM）的双极性的基础照相处理之后，蚀刻用于暴露一部分用于基底离子注入的硅衬底的沉积膜。

公开(公告)号：KR1019980037966A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960056790

申请日：1996-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한영국

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명의 실시예에 의한 반도체장치의 제조공정에서 미세 패턴 형성방법에서는 2차에 걸친 열처리시 온도 및 시간을 조절하여 원하는 스페이스 폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다.
따라서 이를 식각마스크로 사용함으로써 종래의 디자인 룰 한계를 넘어서는 미세한 패턴을 형성할 수 있어서 반도체장치를 더욱 고 집적화 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970016479A

公开(公告)日：1997-04-28

申请号：KR1019950031120

申请日：1995-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한영국

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 미세 패턴 형성 방법에 과한 것으로서, 특히 마스크 패턴 내부의 광 차단 패턴을 이용한 미세패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 위해 마스크상의 콘택트 홀의 중심부에 광 차단물질인 광을 차단하는 마스크 패턴을 상용함으로서 광강도 분포를 조절하여 콘택트 홀을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 웨이퍼 기판상의 단차 지역에서 비교적 균일한 크기의 콘택트 홀 또는 스페이스 패턴을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100685743B1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：KR1020050053767

申请日：2005-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심우석 ,  이중현 ,  한영국 ,  윤광섭 ,  이시형

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G02B7/00 ,  G03F7/701 ,  G03F7/70825

Abstract: 광학 부재 홀더와 이를 갖는 투영 노광 장치에서, 광원으로부터 조사된 광 빔은 광학 부재 홀더에 의해 지지된 다수의 광학 부재들을 통해 목적하는 형태를 갖는 조명광으로 형성된다. 상기 광학 부재 홀더는 상기 광 빔을 서로 다른 형태의 조명광들로 형성하기 위한 다수의 광학 부재들이 원주 방향으로 배열되도록 지지하는 지지부재와, 상기 광학 부재들 중에서 하나를 선택하기 위하여 상기 지지부재를 회전시키며 상기 선택된 광학 부재의 배치 방향을 조절하기 위하여 상기 선택된 광학 부재를 회전시키는 회전 구동부를 포함한다. 상기 선택된 광학 부재를 통과한 조명광은 레티클 및 투영 광학 시스템을 통하여 기판 상으로 조사된다. 상기와 같이 선택된 광학 부재의 배치 방향을 조절할 수 있으므로, 상기 광학 부재들의 사용 효율 및 투영 노광 장치의 가동율을 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100670911B1

公开(公告)日：2007-01-19

申请号：KR1020050000009

申请日：2005-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한영국 ,  김대중 ,  김은성 ,  김재훈

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법에서 있어서, 칩 영역의 반도체 기판에 제1 종횡비를 갖는 제1 트랜치를 형성하는 동시에, 예정 영역의 반도체 기판에는 상기 제1 종횡비보다 작은 제2 종횡비를 갖는 제2 트랜치를 형성한다. 칩 영역에는 제1 트랜치를 매립하는 산화물 및 반도체 기판 상에 형성되는 폴리실리콘을 포함하는 제1 구조물을 형성하는 동시에, 예정 영역에는 제2 트랜치 내부를 매립하도록 적층된 산화물 및 폴리실리콘을 포함하는 제2 구조물을 형성한다. 제1 구조물의 상기 폴리실리콘을 부분적으로 제거하는 동시에 제2 트랜치 내부에 매립된 제2 구조물의 폴리실리콘을 제거함으로써, 칩 영역에 폴리실리콘 패턴과 예정 영역에 제2 트랜치의 입구 부위가 단차진 형태를 갖는 정렬 마크를 동시에 형성한다. 따라서, 별도의 공정을 수행하지 않고 정렬 마크를 용이하게 형성할 수 있다.

Abstract translation: 在半导体装置的制造方法中，在同一时间，以形成具有在所述芯片区域的半导体衬底中的第一宽高比的第一沟槽，所述预期区域的半导体基板，以形成具有更小的第二纵横比大于第一纵横比大的第二沟槽 。 形成在氧化物和半导体衬底以填充第一沟槽，期望区包含堆叠在同一时间以形成包含多晶硅的第一结构，以填充第二沟槽芯片区域的内部的氧化层和多晶硅，如权利要求 2结构。 去除嵌入在第二沟槽中的第二结构的多晶硅同时部分地去除第一结构的多晶硅允许多晶硅图案和第二沟槽的入口区域处于预定区域 同时。 因此，可以容易地形成对准标记而无需执行单独的处理。