公开(公告)号：KR100771902B1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：KR1020060065636

申请日：2006-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김학 ,  장준영

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70283 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70308 ,  G03F7/70566

Abstract: A substrate exposure method and apparatus is provided to reduce a time required for an exposure process by projecting light of two patterns onto a substrate by using one polarizing mask, and to prevent the two patterns from mis-aligning. Two projection lights having different pattern information are generated from one polarizing mask(S100), and then the projection lights are projected onto a substrate along different light paths(S200). The step of generating the projection lights includes irradiating the light onto the polarizing mask and dividing the light projecting on the polarizing mask into two projection lights according to a polarizing mode.

Abstract translation: 提供了一种基板曝光方法和装置，通过使用一个偏光掩模将两种图案的光投射到基板上，并且防止两种图案错误对准，来减少曝光处理所需的时间。 从一个偏振掩模生成具有不同图案信息的两个投影光（S100），然后将投影光沿着不同光路投射到基板上（S200）。 产生投影光的步骤包括将光照射到偏光掩模上，并根据偏光模式将投影在偏光掩模上的光分成两个投影光。

公开(公告)号：KR100669101B1

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020050061028

申请日：2005-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유지용 ,  서전석 ,  김학 ,  김대중 ,  백경윤

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/3083

Abstract: 패턴 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 트렌치 형성 방법에서, 막 상에 서로 이격되는 마스크 패턴들을 포함하고 제1 패턴 밀도를 갖는 제1 영역과 상기 제1 패턴 밀도보다 실질적으로 낮은 제2 패턴 밀도를 갖는 제2 영역으로 구획되는 마스크 패턴 구조물을 형성한다. 마스크 패턴 구조물을 식각 마스크로 사용하여 막을 식각하여 제1 영역의 아래에 위치하는 제1 측벽들 및 제2 영역의 아래에 위치하는 제2 측벽들을 형성한다. 제1 측벽들은 실질적으로 수직인 제1 프로파일을 갖지만 제2 측벽들은 각도 로딩 현상으로 기인하여 하부로 갈수록 선폭들이 작아지는 제2 프로파일을 갖기 때문에 제2 측벽들을 사용하여 임계 치수를 효과적으로 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060123790A

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：KR1020050045341

申请日：2005-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김학

IPC: H01L21/027 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01J37/06 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

Abstract: An electron beam curing apparatus is provided to cure simultaneously an entire area of a photoresist layer on a wafer by arranging a plurality of tips at a predetermined interval on a semiconductor substrate. A plurality of tips(120) are projected from a lower side of a semiconductor substrate(110) in order to emit electron beams for providing on a wafer on which a photoresist layer is formed. An extractor electrode(140) is used for accelerating the electron beams emitted from the tips. An anode electrode(160) is used for focusing the accelerated electron beams. An aperture plate(180) includes a plurality of apertures through which the electron beams pass. A plurality of deflectors(200) are used for deflecting the electron beams.

Abstract translation: 提供电子束固化装置，通过在半导体衬底上以预定的间隔布置多个尖端，同时固化晶片上的光致抗蚀剂层的整个区域。 从半导体衬底（110）的下侧突出多个尖端（120），以便发射电子束以提供在其上形成有光致抗蚀剂层的晶片上。 提取器电极（140）用于加速从尖端发射的电子束。 阳极电极（160）用于聚焦加速电子束。 孔板（180）包括电子束通过的多个孔。 多个偏转器（200）用于偏转电子束。

公开(公告)号：KR1020010081502A

公开(公告)日：2001-08-29

申请号：KR1020000007121

申请日：2000-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정우 ,  김학

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F1/50

Abstract: PURPOSE: A photo-mask, a photo-etching method for forming the opening having a reduced size, and a semiconductor device are to form an opening image to be applied to a photoresist flowing process, thereby forming a fine opening having a small pitch. CONSTITUTION: A plurality of opening images, which are aligned in a desire pitch, are formed in one direction on a mask for fabricating a semiconductor memory device. The opening image is transferred to a photoresist layer. A space between center portions of the opening images is larger than the pitch. The plurality of opening images are arranged in the form of zigzag. The opening image has a larger length in other direction orthogonal to the direction. The semiconductor memory device is a non-volatile memory device. The opening image is a bit line contact hole image(117). Alternatively, The semiconductor memory device is a DRAM(Dynamic Random Access Memory) device, and the opening image is a storage electrode contact hole image.

Abstract translation: 目的：形成具有减小尺寸的开口的光掩模，光蚀刻方法和半导体器件将形成用于光致抗蚀剂流动工艺的开口图像，从而形成具有小间距的精细开口。 构成：在用于制造半导体存储器件的掩模上的一个方向上形成以期望间距对准的多个开口图像。 将开口图像转印到光致抗蚀剂层。 开口图像的中心部分之间的间隔大于间距。 多个打开图像以Z字形的形式排列。 开口图像在与方向正交的另一方向上具有较大的长度。 半导体存储器件是非易失性存储器件。 打开图像是位线接触孔图像（117）。 或者，半导体存储器件是DRAM（动态随机存取存储器），开放图像是存储电极接触孔图像。

公开(公告)号：KR1019990081284A

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019980015133

申请日：1998-04-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 여기성 ,  김학

IPC: H01L21/66

Abstract: 반도체 장치의 패턴 변형 모니터링 방법을 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상부에 퓨필그램(pupilgram)용 패턴이 형성된 마스크를 도입한다. 마스크에 빛을 조사하여 반도체 기판 상에 퓨필그램 패턴을 형성하며 모니터링하여 디바이스 패턴 변형을 측정한다. 마스크는 퓨필그램 모니터링용 패턴이 형성된 면의 반대면에 디바이스용 패턴이 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR1019980014179A

公开(公告)日：1998-05-15

申请号：KR1019960033035

申请日：1996-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재필 ,  김학

IPC: H01L21/027

Abstract: 신규한 반도체 노광장치의 레벨링 장치가 개시된다. 본 발명은 웨이퍼 상에 콜리메이터 렌즈를 통해 레이저 빔을 투사하여 반사된 빔을 집광렌즈를 통하여 위치 검출수단에 의해 검출하여 웨이퍼의 기울어짐 정도를 보상하는 스테퍼의 레벨링 장치에 있어서, 상기 콜리메이터 렌즈와 웨이퍼와의 사이에 노광하고자 하는 칩의 크기에 따라 임의로 그 크기를 선택할 수 있도록 다양한 크기의 홀을 갖는 리볼보(revolver) 형상의 보정수단을 구비한다.

公开(公告)号：KR2019970015290U

公开(公告)日：1997-04-28

申请号：KR2019950025585

申请日：1995-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재필 ,  김학

IPC: H01L21/027

Abstract: 본고안은반도체장치제조장치에관한것으로서, 특히노광시포커스(focus)를웨이퍼에정확히맞추기위한반도체장치제조장치에관한것이다. 반도체장지제조공정중노광을위한반도체장치제조장치는, 웨이퍼스테이지상에노광시의포커스검출포커스불량을방지하기위하여웨이퍼와같은두께의위치조정가이드를갖는것을특징으로한다. 본고안에따른반도체장치제조장치는해머대신에웨이퍼와같은두께위치조정가이드를적용함으로써가장자리다이에대하여노광전 포커스체크시마치가장자리다이가웨이퍼내에존재하는효과를유발하게되고이러한효과가포커스불량을방지하게된다.

公开(公告)号：KR1019950008928B1

公开(公告)日：1995-08-09

申请号：KR1019920019223

申请日：1992-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김학 ,  강호영

IPC: G02F1/29

CPC classification number: G03F7/702

Abstract: The systems involves a filter for a light source and a strain lighting. The light source consistes of a lamp and a hemispherical mirror. The light beam passes into the input aperture of a light tube, where it is reflected by a conical lens onto the reflecting surface of the tube. A two-point, four point, or ring-shaped light source is used. The resultant larger diameter beam passes through a fly-eye lens of which output of is focused by a convex lens onto a mask. The system allows transmission of deep ultraviolet light.

Abstract translation: 该系统涉及用于光源和应变照明的过滤器。 光源由灯和半球镜组成。 光束进入光管的输入孔，其中它被锥形透镜反射到管的反射表面上。 使用两点，四点或环形光源。 所得到的较大直径的光束通过其中输出由凸透镜聚焦到掩模上的飞眼透镜。 该系统允许传输深紫外线。

公开(公告)号：KR1019940016481A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019920023269

申请日：1992-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김학 ,  강호영

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 전자선 노광 장치의 저가속 전압과 표면 형상기법을 이용한 초미세 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 전자선 노광장치를 사용하여 미세 패턴을 형성하는 포토리소그래피공정에 있어서, 낮은 가속 전압의 전자선을 사용하여 포토레지스트의 상부표면 부위만 선택적으로 노광시킨 후, 화학적 반응에 의해 상기 포토레지스트의 노광되지 않는 부위상에 실리콘을 함유한 층을 형성한 다음 산소플라즈마를 이용한 건식식각공정에 의해 상기 실리콘을 함유한 다음 산소플라즈마를 이용한 건식식각공정에 의해 상기 실리콘을 함유한 층과 산소플라즈마를 반응시켜 SiOx층을 형성하고 이 SiOx층을 마스크로 이용하여 상기 포토레지스트의 노광된 표면부위 및 그 하부층을 식각하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피공정에 의한 미세 턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 고행상도의 초미세 패턴의 형성이 가능하며 반도체장치 제조시 수율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019940009736A

公开(公告)日：1994-05-24

申请号：KR1019920019223

申请日：1992-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김학 ,  강호영

IPC: G02F1/29

Abstract: 본 발명은 포토 리소그래피법에 적용되는 투영 노광장치에 관해 기술한다. 본 발명의 투영 노광장치는 입사된 전량의 빛은 최대한으로 투사할 수 있도록, 상기 변형 조명 필터는 그 내측면에 반사면이 마련되어 있는 적어도 하나의 광통과공을 가지며, 광통과공의 중간에는 그 측면에 반사면이 마련된 원뿔형 밀러가 동축으로 마련되어 있다. 이로써, 광이용효율이 극대화되어 노광에 소요되는 시간이 크게 단축된다.