公开(公告)号：KR1019980011762A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960031998

申请日：1996-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한창엽

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：KR1019970023782A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950035631

申请日：1995-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한창엽 ,  전찬봉

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 웨이퍼표면에 매몰층이 형성되어 있는 반도체장치의 세정방법에 관한 것으로서, 그 방법은 사진현상 공정후 매몰층의 형성시에 남아 있는 고농도의 불순물을 사진현상장비(10)에 장착된 탈이온수조(12)에서 세척하는 공정을 포함한다. 이러한 사진현상장비에 설치된 탈이온수조에 의해서, 상기 사진현상공정에서 남아있는 고농도의 불순물을 세척하므로서, 후속하는 에퍼택셜층의 성장시 웨이퍼의 배면으로부터 고농도의 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있다.