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公开(公告)号:KR100216313B1
公开(公告)日:1999-08-16
申请号:KR1019970029708
申请日:1997-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G11C29/48
Abstract: 본 발명은 검사장치에서 공급할 수 있는 클록신호의 최대 주파수보다 더 빠른 동작 사이클 시간을 갖는 반도체 메모리 소자를 검사하는 검사방법에 관한 것으로서, 검사장치의 행번지와 열번지로 사용되던 범용 클록신호를 변조하여 소자의 동작 사이클 시간을 충족할 수 있는 CAS/ 신호를 공급하고, 기존의 CAS/ 신호로 사용되던 범용 클록과 기존에 열 번지의 인식에 사용되던 멀티신호를 변조하여 XY-나 Y- 형식을 갖는 번지신호를 공급함으로써 저속의 검사장치를 고속 메모리 소자의 검사에 활용할 수 있게 하여 설비투자를 줄이고 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号:KR1019990005510A
公开(公告)日:1999-01-25
申请号:KR1019970029708
申请日:1997-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/28
Abstract: 본 발명은 검사장치에서 공급할 수 있는 클록신호의 최대 주파수보다 더 빠른 동작 사이클 시간을 갖는 반도체 메모리 소자를 검사하는 검사방법에 관한 것으로서, 검사장치의 행번지와 열번지로 사용되던 범용 클록신호를 변조하여 소자의 동작 사이클 시간을 충족할 수 있는 CAS/ 신호를 공급하고, 기존의 CAS/ 신호로 사용되던 범용 클록과 기존에 열 번지의 인식에 사용되던 멀티신호를 변조하여 XY-나 Y- 형식을 갖는 번지신호를 공급함으로써 저속의 검사장치를 고속 메모리 소자의 검사에 활용할 수 있게 하여 설비투자를 줄이고 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
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