公开(公告)号：KR1019990073971A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980007281

申请日：1998-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형진 ,  함상규

IPC: H01L21/66

Abstract: 레이저가 사용되어서 여러 종류의 측정이 이루어지는 다수 개의 설비를 하나의 설비에 통합하여 설치함으로써 측정설비의 활용도를 높이는 레이저를 이용한 다목적 측정설비에 관한 것이다.
본 발명은, 레이저가 조사된 소정 물체로부터 반사되어 입사되는 광을 선택하여 소정 측정이 이루어지는 레이저를 이용한 다목적 측정설비에 있어서, 상기 입사되는 광을 이용하여 서로 다른 종류의 측정이 이루어지는 제 1 측정수단 및 제 2 측정수단이 하나의 설비로 통합되어 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 서로 다른 계측작업이 하나의 설비로 통합됨으로써 설비가 차지하는 공간이 축소되고, 작업자의 작업동선이 줄어들어서 작업효율이 향상되며, 특히 설비에 투자되는 비용이 절감되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980029949A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960049282

申请日：1996-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영호 ,  함상규

IPC: H01L21/205

Abstract: 공정챔버 내부의 온도변화에 따라 송풍기(Blower)를 제어하여 공정챔버의 내부온도를 항상 일정한 온도로 유지시킬 수 있도록 개선시킨 반도체 공정챔버용 항온유지장치에 관한 것이다.
본 발명은, 공정챔버 내부의 온도를 소정의 항온으로 지속유지시키기 위하여 상기 공정챔버에서 발생되는 열을 외부로 배출시키는 송풍기(Blower)가 구비되는 반도체 공정챔버용 항온유지장치에 있어서, 상기 공정챔버의 온도변화를 측정하는 온도센서 및 상기 온도센서의 온도변화센싱신호의 입력에 따라 상기 송풍기를 제어하는 제어부를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 공정챔버의 온도변화에 따른 신속한 대응으로 안정된 공정조건으로 공정을 수행할 수 있어 생산성을 극대화시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020000015404A

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019980035282

申请日：1998-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형진 ,  함상규 ,  이석열 ,  최상봉

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: The method improves the productivity according to the fabrication of a semiconductor device by minimizing the loss of a wafer because of using the wafer used in the analysis of a film image in the post process continuously. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: grasping the image of a section of an area revealed by a milling, after milling a film using a focused ion beam(32); and filling a material which can be selected according to the film into the milled area. The fabrication apparatus comprises: an analysis tool capable of grasping the image of the section of the area revealed by the milling; and a nozzle capable of filling the material into the milled area. The method improves the reliability according to the fabrication of the semiconductor device.

Abstract translation: 目的：该方法通过在后续处理中使用用于分析胶片图像的晶片来最小化晶片的损耗，从而提高了根据半导体器件制造的生产率。 构成：该方法包括以下步骤：在使用聚焦离子束（32）研磨膜之后，通过研磨来获取通过研磨显示的区域的一部分的图像; 并将可根据膜选择的材料填充到研磨区域中。 该制造装置包括：分析工具，其能够抓取通过铣削显露的区域的部分的图像; 以及能够将材料填充到铣削区域中的喷嘴。 该方法根据半导体器件的制造提高了可靠性。

公开(公告)号：KR1020000013211A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980031934

申请日：1998-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형진 ,  함상규 ,  이석열

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A wafer analyzer is provided to eliminate an electrostatic charge distributed on the surface of a wafer. Consequentially, the wafer's image can be observed more clearly by means of a FIB (Focused Ion Beam) facility. CONSTITUTION: The analyzer is comprised of reverse bias supply area (10) providing reverse bias to the chuck (12) on which a wafer (10) that is loaded and tilted, and eliminating an electrostatic charge distributed on the surface of a sample; an object lens (18) observing the wafer (10); and a power supply area (22) charging an insulating material box (20) equipped with a probe (16) attached to one side, and a probe (16).

Abstract translation: 目的：提供晶片分析仪，以消除分布在晶片表面上的静电电荷。 因此，可以通过FIB（聚焦离子束）设备更清楚地观察晶片的图像。 构成：分析器包括反向偏压供应区域（10），其向装载和倾斜的晶片（10）上的卡盘（12）提供反向偏压，并消除分布在样品表面上的静电荷; 观察晶片（10）的物镜（18）; 以及对配备有安装在一侧的探针（16）的绝缘材料盒（20）和探针（16）的电源区域（22）。

公开(公告)号：KR1019980072335A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970007091

申请日：1997-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 함상규 ,  손세명

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은, 웨이퍼의 표면검사방법에 관한 것이다.
본 발명은, 고정거울과 스캐닝거울을 조합하여 레이저의 경로를 광원으로부터 웨이퍼의 표면으로 향하도록 하여 웨이퍼의 전면을 검사하는 웨이퍼의 표면검사방법에 있어서, 상기 웨이퍼를 지지하고, 웨이퍼의 전면을 검사한 후, 소정의 각으로 회전되는 지지부를 이용하여 웨이퍼의 후면 상에 레이저가 주사되도록 회전시키고, 상기 웨이퍼의 회전 후 상기 레이저의 경로중에 가변거울과 프로그램거울을 위치시켜 레이저의 경로가 상기 웨이퍼의 후면으로 주사되도록 하여 상기 웨이퍼의 후면을 검사토록 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼의 전,후면의 일괄적인 검사수행으로 반도체 장치의 수율 및 신뢰도 향상을 통하여 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019960043063A

公开(公告)日：1996-12-21

申请号：KR1019950011019

申请日：1995-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 채승기 ,  안병설 ,  함상규 ,  김종수

IPC: H01L21/66

Abstract: 이물질이 부착된 웨이퍼를 형성하는 장치 및 이를 이용하여 웨이퍼에 이물질을 부착하는 방법에 대해 기재되어 있다. 이는 이물질 생성부, 이물질 생성부의 출력단과 연결되어 있는 이물질 크기조절부, 이물질 크기조절부의 출력단과 연결되어 있는 제1이물질 전송튜브, 제1이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 제2 및 제3이 물질 전송튜브, 제2이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 제1카운터부, 제3이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 이물질 부착부, 이물질 부착부와 연결되어 있는 제2카운터부, 및 이물질 부착부와 연결되어 있는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 이물질의 크기 뿐만아니라 갯수까지 정확하게 아는 이물질이 부착된 웨이퍼를 얻을 수 있고, 하나의 웨이퍼 상에 한 종류 및 크기 이상의 이물질을 같이 부착할 수 있다.

公开(公告)号：KR100290026B1

公开(公告)日：2001-07-12

申请号：KR1019980035282

申请日：1998-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형진 ,  함상규 ,  이석열 ,  최상봉

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 에프아이비를 이용한 분석을 병행하는 반도체소자의 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것이다.
본 발명의 제조방법은, 에프아이비를 이용하여 상기 소정의 막을 밀링시킨 후, 상기 밀링으로 노출되는 영역의 단면의 이미지를 파악하는 단계; 및 상기 밀링이 이루어진 영역에 상기 소정의 막에 따라 선택할 수 있는 물질을 채워넣는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
본 발명의 제조장치는, 소정의 막을 밀링시켜, 상기 밀링으로 노출되는 영역의 단면의 이미지를 파악할 수 있는 분석수단; 및 상기 밀링이 이루어진 영역에 상기 소정의 막에 따라 선택할 수 있는 물질을 채워넣을 수 있는 노즐을 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 분석에 이용된 웨이퍼를 후속공정에 계속적으로 이용하여 이에 따른 웨이퍼의 손실을 최소화시킴으로써 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있고, 또한 이상의 유무에 대한 조치를 신속하여 취함으로써 반도체소자의 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990058614A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970078756

申请日：1997-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형진 ,  함상규

IPC: H01L27/06

Abstract: 본 발명은 공정의 스텝을 간소화시킴과 동시에 커패시터의 하부전극물질층의 표면적을 증가시킨 반도체소자의 커패시터에 관한 것이다.
본 발명의 커패시터의 하부전극물질층은, 패턴이 형성된 반도체기판 상의 소정의 영역에 형성시키는 커패시터의 하부전극물질층의 표면을 소정의 간격마다로 움푹하게 파여진 형태로 형성시킨 것을 특징으로 한다.
따라서, 커패시터의 하부전극물질층의 표면적을 증가시키는 공정의 스텝을 간소화시킬 수 있어 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100191825B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960044434

申请日：1996-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 함상규

IPC: G02B21/24

Abstract: 반도체장치의 공정상태 검사시 주요기능을 담당하는 구성품들이 내장된 칼럼유니트에 진동이 전달되는 것을 방지하는 전자현미경의 진동 감쇠장치에 관한 것이다.
본 발명은 전자총, 포커스 렌즈, 시료챔버 및 디텍터등 주요구성품이 내부에 설치된 상부 칼럼유니트(12)와, 진공라인(15) 및 진공펌프가 내부에 설치된 하부 칼럼유니트(13)로 구성된 전자현미경에 있어서, 내부에 에어가 충진된 에어 패널(Air Panel)(14)이 상기 상부 칼럼유니트(12)의 저면에 설치되어 하부 칼럼유니트(13)로부터 전달되는 진동을 감쇠시키도록 구성된 것이다.
따라서 상부 칼럼유니트로 전달되는 진동이 최소화되어 정확한 검사가 이루어지는 것이고, 이로써 데이터의 신뢰도에 대한 안정성을 지속적으로 유지할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990018615A

公开(公告)日：1999-03-15

申请号：KR1019970041804

申请日：1997-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태경 ,  정용길 ,  함상규

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼에 산화막을 형성하고 이온주입을 실시한 다음 일정 온도에서 일정 시간동안 어니일링을 수행하여 반도체의 불순물 주입량 측정을 위한 측정설비에서의 기준시료를 제조하는 방법에 관한 것이다.
이는 이온주입후 어니일링을 실시하여 제조됨으로써 안정적인 데이터를 확보하여 반도체의 불순물 주입량 측정설비에서 기준시료로 사용될 경우 측정설비의 변화인지 시료 자체의 변화인지를 명확히 판단할 수 있도록 해준다.