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公开(公告)号：KR1020140105108A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020130018869
申请日：2013-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/065 , H01L23/28
CPC classification number: H03H9/0542 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/15331 , H03H9/0547 , H03H9/1014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2224/45099
Abstract: Provided are a sealed crystal oscillator and a semiconductor package including the same. The semiconductor package includes: a package substrate; an integrated circuit chip formed on one surface of the package substrate; and a sealed quartz oscillator formed on at least one of the inside, one surface, and the other surface of the package substrate, wherein the sealed quartz oscillator includes a substrate, a quartz blank formed on one surface of the substrate, and a sealing cap covering at least one surface of the quartz blank and including metal.
Abstract translation: 提供一种密封晶体振荡器和包括该晶体振荡器的半导体封装。 半导体封装包括：封装衬底; 形成在所述封装基板的一个表面上的集成电路芯片; 以及密封石英振荡器，其形成在所述封装基板的内表面和所述另一表面中的至少一个上，其中所述密封石英振荡器包括基板，形成在所述基板的一个表面上的石英坯料，以及密封盖 覆盖石英坯料的至少一个表面并且包括金属。
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公开(公告)号：KR1020150096197A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020140017351
申请日：2014-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R31/025 , G01R31/2851
Abstract: 반도체 집적회로의 칩 내에서 트랜지스터들 또는 기능 블록들의 누설 전류를 측정할 수 있는 누설 전류 측정 회로가 개시된다. 누설 전류 측정 회로는 연산 증폭기, 제 1 PMOS 트랜지스터, 제 1 스위치, 제 2 PMOS 트랜지스터, 저항 및 아날로그-디지털(A/D) 컨버터를 포함한다. 연산 증폭기는 기준전압과 피드백 전압의 차이를 증폭한다. 제 1 PMOS 트랜지스터는 연산증폭기의 출력전압이 인가되는 게이트, 제 1 전원전압에 연결된 소스, 및 피드백 노드에 연결된 드레인을 갖는다. 제 1 스위치는 피드백 노드와 테스트 블록 사이에 연결된다. 제 2 PMOS 트랜지스터는 제 1 PMOS 트랜지스터의 게이트에 연결된 게이트, 제 1 전원전압에 연결된 소스를 갖는다. 저항은 제 2 PMOS 트랜지스터의 드레인과 접지 사이에 연결된다. A/D 컨버터는 저항의 양단에 걸리는 제 1 전압신호에 대해 아날로그-디지털(A/D) 변환을 수행하고 출력 데이터를 발생한다.
Abstract translation: 公开了一种泄漏电流测量电路，其可以测量半导体集成电路芯片中的晶体管或功能块的漏电流。 漏电流测量电路包括：运算放大器; 第一PMOS晶体管; 第一个开关 第二PMOS晶体管; 一个电阻; 和模拟数字（A / D）转换器。 运算放大器放大参考电压和反馈电压之间的差值。 第一PMOS晶体管具有施加运算放大器的输出电压的栅极，连接到第一电源电压的源极和连接到反馈节点的漏极。 第一个开关连接到反馈节点和一个测试块。 第二PMOS晶体管具有连接到第一PMOS晶体管的栅极的栅极和连接到第一电源电压的源极。 电阻器连接在第二PMOS晶体管的漏极和接地之间。 模拟数字（A / D）转换器对施加到电阻器两端的第一电压信号进行模数（A / D）转换，并产生输出数据。
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公开(公告)号：KR1020150050194A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020130131703
申请日：2013-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H03K3/03
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F2217/10
Abstract: 발진기의동작오류를발생하는초기조건을구할수 있는발진기의동작검증방법이개시된다. 발진기의동작검증방법은초기조건공간내부의각 지점에대해 Monte-Carlo 시뮬레이션을수행하는단계, 주파수오류가존재하는지판단하는단계, 주파수오류가존재하면발진오류가존재함을알리는단계, 주파수오류가존재하지않으면현재까지얻은정착시간최대값보다더 큰정착시간을가질확률이최대인지점을결정하는단계, 및결정된지점에대해 Monte-Carlo 시뮬레이션을수행한후 주파수오류가존재하는지판단하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明公开了能够获得振荡器的操作误差的初始状态的振荡器的验证方法。 振荡器的验证方法包括以下步骤：在初始条件下对空间内的每个点执行蒙特卡罗模拟; 确定是否存在频率误差; 如果存在频率误差，则通知振荡误差的存在; 确定如果不存在频率误差，则具有比迄今为止获得的最大设定时间更长的设定时间的最大概率点; 并且确定在确定点的蒙托卡罗模拟之后是否存在频率误差。
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