디더 제어 회로와 이를 포함하는 장치들

    公开(公告)号:KR101870249B1

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:KR1020120007129

    申请日:2012-01-25

    CPC classification number: H03B19/00 H03L7/00 H03L7/099 H03L7/16 H03L2207/50

    Abstract: 디더제어회로는분주된클락신호에응답하여의사난수시퀀스를생성하는의사난수생성기와, 상기의사난수시퀀스의적어도하나의출력비트를이용하여입력디지털코드를디더링하고상기디더된디지털코드를출력하는디더회로를포함한다. 상기디더회로는상기적어도하나의출력비트에기초하여상기입력디지털코드와상기입력디지털코드의합 또는차에대응하는디지털코드를상기디더된디지털코드로서출력할수 있다. 상기디더된디지털코드는상기분주된클락신호에따라동작하는누산기로입력될수 있다.

    록인 증폭기, 이를 포함하는 집적 회로 및 휴대용 측정 장치
    4.
    发明公开
    록인 증폭기, 이를 포함하는 집적 회로 및 휴대용 측정 장치 审中-实审
    锁定放大器,集成电路和便携式测量设备

    公开(公告)号:KR1020170062341A

    公开(公告)日:2017-06-07

    申请号:KR1020150176565

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 록인증폭기는, 클록신호발생부및 검출부를포함한다. 상기클록신호발생부는 90도의위상차를갖고동일한복조주파수를갖는제1 복조클록신호및 제2 복조클록신호를발생한다. 상기검출부는입력신호, 상기제1 복조클록신호및 상기제2 복조클록신호에기초하여, 제1 동작모드에서내부회로의오프셋에상응하는오프셋전압을제공하고제2 동작모드에서상기입력신호의복조주파수성분의크기에상응하는제1 출력전압및 제2 출력전압을제공한다. 상기록인증폭기는종래의위상록인을위한위상조정회로및 피드백회로를제거하고단순화된구성및 감소된크기로구현될수 있으며, 내부회로의오프셋을나타내는오프셋전압을추출하여입력신호의복조주파수성분의크기를정확하게제공할수 있다.

    Abstract translation: 锁定放大器包括时钟信号发生器和检测器。 时钟信号发生器产生具有90度相位差并具有相同解调频率的第一解调时钟信号和第二解调时钟信号。 检测单元是从所述输入信号,所述第一解调时钟信号,并根据该信号的第二解调时钟的输入信号的解调,提供一个对应于内部电路的操作的第一模式和操作的第二模式中的偏移的偏移电压 并且提供与频率分量的大小相对应的第一输出电压和第二输出电压。 放大器的记录可以通过去除相位调整电路和用于上述简化的配置的常绿的现有技术的反馈电路来实现,并且减小尺寸,提取表示所述内部电路的信号的输入解调频率分量的偏移的偏移电压 可以准确的大小。

    멀티-파워와 게인-부스팅 기술을 이용하는 전압 레귤레이터와 이를 포함하는 모바일 장치들
    5.
    发明公开
    멀티-파워와 게인-부스팅 기술을 이용하는 전압 레귤레이터와 이를 포함하는 모바일 장치들 审中-实审
    利用多功率和增益提升技术的电压调节器和集成它们的移动设备

    公开(公告)号:KR1020170035310A

    公开(公告)日:2017-03-30

    申请号:KR1020150181279

    申请日:2015-12-17

    Abstract: 멀티-파워와게인부스팅기술을이용하는전압레귤레이터가공개된다. 상기전압레귤레이터는제1노드로공급되는제1전압을동작전압으로서사용하고, 기준전압과네거티브피드백루프를통해수신되는피드백전압과의차이를증폭하고증폭된전압을출력하는에러증폭기와, 제2전압을공급하는제2노드와상기전압증폭기의출력노드사이에연결된전력트랜지스터와, 상기제1전압의제1파워시퀀스, 상기제2전압의제2파워시퀀스, 및동작제어신호에기초하여, 상기전력트랜지스터의게이트로공급되는게이트전압의레벨과상기전력트랜지스터의바디로공급되는바디전압의레벨을선택하는스위치회로를포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种使用多功率和增益增强技术的电压调节器。 以及使用所述电压调节器的第一电压误差放大器被提供到第一节点作为操作电压,并放大所述反馈电压之间的差是通过参考电压和负反馈回路和输出放大后的电压,所述第二接收 和连接在第二节点和提供电压功率晶体管,所述第二功率序列的基础上,所述电压放大器的输出节点,并且第一电压的操作控制信号的第二电压的第一功率序列,其中间 以及开关电路,用于选择提供给功率晶体管的栅极的栅极电压的电平和提供给功率晶体管的本体的本体电压的电平。

    노이즈를줄이기위한아날로그디지탈변환기
    6.
    发明授权
    노이즈를줄이기위한아날로그디지탈변환기 失效
    模拟数字转换器降低噪音

    公开(公告)号:KR100466970B1

    公开(公告)日:2005-05-20

    申请号:KR1019970026910

    申请日:1997-06-24

    Inventor: 이호영 박재진

    Abstract: 본 발명은 아날로그 디지탈 변환기에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 노이즈를 줄이기 위한 아날로그 디지탈 변환기에 관한 것으로서, 외부로부터 아날로그 신호들을 인가받아 이를 소정레벨로 증폭하는 전치 증폭기와; 상기 전치 증폭기로부터 증폭된 신호를 인가받는 제 1 입력 단자 및 제 2 입력 단자와; 클럭 신호를 인가받아 상기 제 1 입력 단자와 제 2 입력 단자에 전달된 신호를 저장하고, 반전 클럭 신호를 인가받아 상기 신호를 저장하는 동안 제 1 입력 단자 및 제 2 입력 단자의 접속이 차단되어 디지털 신호를 출력하는 래치 수단을 포함한다. 이와 같은 장치에 의하면 노이즈의 영향을 줄일 수 있다.

    다크 픽셀 센서 메트릭을 이용한 이미지 센서에서 다크레벨 보상을 위한 장치 및 방법
    7.
    发明公开
    다크 픽셀 센서 메트릭을 이용한 이미지 센서에서 다크레벨 보상을 위한 장치 및 방법 失效
    使用深色像素传感器公差在图像传感器中补偿深度水平的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020030085457A

    公开(公告)日:2003-11-05

    申请号:KR1020020053325

    申请日:2002-09-04

    Inventor: 박재진

    CPC classification number: H04N5/361 H04N5/3575

    Abstract: PURPOSE: A device and method for compensating a dark level in an image sensor using dark pixel sensor metric are provided to compensate dark level offset to improve a black signal of an image. CONSTITUTION: A CMOS image sensor includes a CMOS pixel sensor array(110) and a dark level compensation circuit(130). The CMOS pixel sensor array has a plurality of CMOS pixel sensor rows(111) each of which includes at least one dark pixel sensor(112,114). The dark level compensation circuit controls an offset applied to an image signal generated according to the CMOS pixel sensors of the CMOS pixel array in response to aggregate dark level metric obtained from a dark pixel image generated by the dark pixel sensors. The dark level compensation circuit decides an average dark level from the dark pixel image signals and controls the offset applied to the image signal in response to the decided average dark level.

    Abstract translation: 目的:提供使用暗像素传感器度量来补偿图像传感器中的暗电平的装置和方法,以补偿暗电平偏移以改善图像的黑色信号。 构成:CMOS图像传感器包括CMOS像素传感器阵列(110)和暗电平补偿电路(130)。 CMOS像素传感器阵列具有多个CMOS像素传感器行(111),每行包括至少一个暗像素传感器(112,114)。 黑电平补偿电路响应于由暗像素传感器产生的暗像素图像获得的聚集暗电平,控制施加到根据CMOS像素阵列的CMOS像素传感器产生的图像信号的偏移。 暗电平补偿电路根据所确定的平均暗电平来决定来自暗像素图像信号的平均暗电平,并控制施加到图像信号的偏移。

    디지털 위상 주파수 검출기, 이를 포함하는 디지털 위상 고정 루프 및 디지털 위상 주파수 검출 방법
    8.
    发明授权
    디지털 위상 주파수 검출기, 이를 포함하는 디지털 위상 고정 루프 및 디지털 위상 주파수 검출 방법 有权
    数字相位频率检测器,包括它的数字锁相环和数字相位频率检测方法

    公开(公告)号:KR101750414B1

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:KR1020110003401

    申请日:2011-01-13

    CPC classification number: H03L7/113 H03L7/085 H03L7/1077

    Abstract: 디지털위상주파수검출기는검출부, 위상비교부및 리셋부를포함한다. 검출부는기준신호및 피드백입력신호의에지를검출하여기준에지신호및 피드백에지신호를발생한다. 리셋부는기준에지신호및 피드백에지신호에기초하여리셋신호를발생한다. 위상비교부는기준에지신호및 피드백에지신호에기초하여제1 위상비교신호및 제2 위상비교신호를발생하며, 제1 플립플롭, 제2 플립플롭및 래치블록을포함한다. 제1 플립플롭은기준에지신호를수신하는데이터입력단및 피드백에지신호를수신하는클럭입력단을구비하고, 제2 플립플롭은피드백에지신호를수신하는데이터입력단및 상기기준에지신호를수신하는클럭입력단을구비한다.

    Abstract translation: 数字相位频率检测器包括检测单元,相位比较单元和重置单元。 检测单元检测参考信号和反馈输入信号的边缘以生成参考边缘信号和反馈边缘信号。 重置部分基于参考边缘信号和反馈边缘信号生成重置信号。 参考边沿信号和反馈信号边缘的基础上,相位比较单元,并且产生第一相位比较信号和第二相位比较信号;第一触发器,第二触发器和锁存器模块。 第一触发器具有数据输入端和用于接收具有用于接收数据输入端子和用于接收参考边沿信号和第二触发器接收反馈边沿信号反馈边沿信号的时钟输入端的参考边缘信号的时钟输入 和。

    위상 동기 루프 회로, 락 검출 방법 및 이를 포함한 시스템
    9.
    发明授权
    위상 동기 루프 회로, 락 검출 방법 및 이를 포함한 시스템 有权
    相位锁定环路检测方法和系统

    公开(公告)号:KR101631164B1

    公开(公告)日:2016-06-16

    申请号:KR1020100024402

    申请日:2010-03-18

    CPC classification number: H03L7/095

    Abstract: 본발명은위상동기루프회로및 이를포함한시스템를공개한다. 이장치는기준클럭에동기되고일정한주파수를갖는출력클럭을생성하는클럭생성회로와, 상기기준클럭및 출력클럭의위상차가제1 기준값이내인경우락(lock) 상태로판단하고, 상기기준클럭및 출력클럭의위상차가제2 기준값보다큰 경우언-락(un-lock) 상태로판단하여락 검출신호를생성하는락 검출기와, 상기락 상태에서상기출력클럭에동기하여내부동작을수행하는내부회로로구성되어있다.

    딜레이 셀 및 이를 적용하는 지연 동기 루프 회로와 위상 동기 루프 회로
    10.
    发明公开
    딜레이 셀 및 이를 적용하는 지연 동기 루프 회로와 위상 동기 루프 회로 审中-实审
    延迟电池和延迟锁定环路电路和相位锁定环路采用相同方式

    公开(公告)号:KR1020160012560A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:KR1020140094155

    申请日:2014-07-24

    CPC classification number: H03K5/135 H03K2005/00013 H03L7/0812

    Abstract: 딜레이셀 및이를적용하는지연동기루프회로와위상동기루프회로에관하여개시한다. 딜레이셀은제1단자는전원전압단자에연결되고, 제2단자는출력단자에연결되고, 게이트단자는입력단자에연결되는제1트랜지스터및, 제1단자는접지단자에연결되고, 제2단자는상기출력단자에연결되고, 게이트단자는상기입력단자에연결되는제2트랜지스터를포함하고, 상기제1트랜지스터및 제2트랜지스터는완전공핍형실리콘온 인슐레이터(FD-SOI) 구조를갖고, 상기제1트랜지스터또는제2트랜지스터의적어도하나의바디에지연시간을조절하기위한제어전압을인가하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 公开了一种延迟单元,以及应用该延迟单元的延迟和锁相环电路。 延迟单元包括:第一晶体管,其中第一端子连接到电源电压端子,第二端子连接到输出端子,栅极端子连接到输入端子; 以及第二晶体管,其中第一端子连接到接地端子,第二端子连接到输出端子,并且栅极端子连接到输入端子。 第一和第二晶体管具有完全耗尽的绝缘体上硅(FD-SOI)结构。 控制电压被施加到第一晶体管或第二晶体管的至少一个主体以控制延迟时间。

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