Abstract:
본 개시는 LTE(Long Term Evolution)와 같은 4G(4 th generation) 통신 시스템 이후 보다 높은 데이터 전송률을 지원하기 위한 5G(5 th generation) 또는 pre-5G 통신 시스템에 관련된 것이다. 본 개시는 무선 통신 시스템에서 빔 운용(beam management)에 관한 것으로, 기지국의 동작 방법은, 제1 종(type) 기준 신호들을 송신하는 과정과, 상기 제1 종 기준 신호들에 대한 피드백 정보를 수신하는 과정과, 상기 피드백 정보에 기반하여 할당된 제2 종 기준 신호들을 위한 자원에 대한 정보를 적어도 하나의 단말에게 송신하는 과정과, 상기 자원을 통해 상기 제2 종 기준 신호들을 송신하는 과정을 포함하며, 상기 제2 종 기준 신호들은, 상기 기지국에서 고정된 송신 빔을 이용하여 송신될 수 있다. 본 연구는 2017년도 정부(과학기술정보통신부)의 재원으로 '범부처 Giga KOREA 사업'의 지원을 받아 수행된 연구이다(No.GK17N0100, 밀리미터파 5G 이동통신 시스템 개발).
Abstract:
A data storage system including a buffer for a non-volatile memory and the buffer for a disk, and a data access method thereof are provided to reduce a data access time for data stored in the non-volatile memory and the disk by using a non-volatile memory buffer and a disk buffer. A data storage system is equipped with a non-volatile memory(170), a disk(180), a non-volatile memory buffer(130), and a disk buffer(140). The non-volatile memory buffer stores a part of areas of the non-volatile memory between a host(110) and the non-volatile memory. The disk buffer stores a part of disks between the host and the disk. The data storage system checks a device corresponding to an access address received from the host in order of the non-volatile memory buffer, the non-volatile memory, the disk buffer, and the disk. The data corresponding to the access address is returned to the host if the access address is found.
Abstract:
본 발명은 기입 단위가 서로 다른 호스트와 낸드 플래시 메모리에 있어서, 낸드 플래시 메모리에 데이터를 기입하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 상기 호스트로부터 제 1 단위의 데이터를 받아들여 저장하는 단계와 더미 동작을 수행하는 단계가 이루어진다. 이러한 동작은 N-1번째 제 1 단위의 데이터가 받아들여질 때까지 행하여진다. 그리고 N번째 제 1 단위의 데이터가 받아들여질 때 상기 더미 동작이 수행된 데이터와 N번째 데이터가 낸드 플래시 메모리에 제공된다.
Abstract:
본 발명에 따른 소모 레벨링(Wear leveling) 방식에 따른 어드레스 사상법을 사용하고, 플래시 메모리 장치를 사용하는 시스템의 블록 맵핑 테이블의 복구 방법은: (a) 플래시 메모리 장치로부터 상기 소모 레벨링을 위한 블록 정렬 정보(WSBL)를 읽어 오는 단계; (b) 상기 블록 정렬 정보(WSBL)에 포함되는 할당 블록 정보(Alloc)를 참조하여 상기 블록 맵핑 테이블을 복구하는 단계; 및 (c) 상기 블록 정렬 정보(WSBL)에 포함되는 소거 블록 정보(Free)를 참조하여 소거된 블록들의 스페어 영역에 포함되는 어드레스 할당 정보를 검색하고, 상기 검색된 정보에 따라 상기 블록 맵핑 테이블을 갱신하는 단계를 포함한다. 상술한 블록 맵핑 테이블의 복구 방법에 따르면, 전원 오류 발생 후의 재부팅시, 플래시 메모리 전체의 블록 영역을 검색하지 않고도 어드레스의 맵핑 테이블의 신속한 복구가 가능하다.
Abstract:
A flash memory system and a garbage collection method thereof are provided to perform garbage collection in a high speed as uniformly distributing erase period over the whole region of a flash memory. According to a garbage collection method of a flash memory system, garbage collection cost is calculated by applying weight to each of more than two coefficients. A hash table is constituted with the calculated garbage collection cost. A block having the lowest garbage collection cost in the hash table is searched. Garbage collection is performed with the searched block.
Abstract:
A system including a flash memory device and a data recovery method thereof are provided to offer a cache memory device capable of increasing speed for recovering the flash memory device by recovering mapping data at a high speed when unexpected power failure and reduce overhead of caching operation without storing the mapping information in the flash memory device. A hybrid hard disk(100) stores data and includes a non-volatile cache memory(102). A RAM(120) stores a block mapping table for assigning a physical block address of the non-volatile cache memory corresponding to a logical block address provided from a CPU(110). The CPU recovers the block mapping table by referring to block allocation information included in a WSBL(Wear-leveling Sorted Block List) of the non-volatile cache memory, searches address information included a spare area of erased blocks by referring to erased block information, and updates the block mapping table according to the searched information when the system is rebooted by power failure. The hybrid hard disk device includes a magnetic disk(103) storing cache data of the non-volatile cache memory and a disk controller(101) flushing the cache data of the non-volatile cache memory to the magnetic disk.
Abstract:
본 발명은 기입 단위가 서로 다른 호스트와 낸드 플래시 메모리에 있어서, 낸드 플래시 메모리에 데이터를 기입하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 상기 호스트로부터 제 1 단위의 데이터를 받아들여 저장하는 단계와 더미 동작을 수행하는 단계가 이루어진다. 이러한 동작은 N-1번째 제 1 단위의 데이터가 받아들여질 때까지 행하여진다. 그리고 N번째 제 1 단위의 데이터가 받아들여질 때 상기 더미 동작이 수행된 데이터와 N번째 데이터가 낸드 플래시 메모리에 제공된다.