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公开(公告)号:KR1020170130784A
公开(公告)日:2017-11-29
申请号:KR1020160061422
申请日:2016-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/16 , C01B31/04 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L29/772
Abstract: 그래핀층이형성되는기판을점착력(adhesion force)이큰 물질을사용하여, 그래핀층상에형성되는유전체층을균일하게형성할수 있는그래핀기판과그 제조방법및 그래핀기판을포함하는트랜지스터가개시된다. 개시된그래핀기판은 0.08nN/nm 이상의점착력(adhesion force)을갖는기판, 상기기판에구비된그래핀층및 상기그래핀층에구비된유전체층;을포함하며, 상기기판의점착력은실리콘팁(Si tip)을이용하여측정된다.
Abstract translation: 包括其上形成有石墨烯层的基板的石墨烯基板的晶体管可以由使用具有粘附力的材料在石墨烯层上形成的介电层均匀地形成,其制造方法和石墨烯基板。 所公开的石墨烯衬底包括具有0.08nN / nm或更大的粘附力的衬底,设置在衬底上的石墨烯层和设置在石墨烯层上的介电层, 它是通过使用所测量的。
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公开(公告)号:KR1020200145236A
公开(公告)日:2020-12-30
申请号:KR1020190073959
申请日:2019-06-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본원은특정방향에대해서압전성이발현되지않는물질및 상기특정방향에대해서압전성이발현되지않는물질상에형성된점 결함(point defect)을포함하는것인, 압전물질에관한것이다.
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公开(公告)号:KR102220805B1
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:KR1020190073959
申请日:2019-06-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본원은특정방향에대해서압전성이발현되지않는물질및 상기특정방향에대해서압전성이발현되지않는물질상에형성된점 결함(point defect)을포함하는것인, 압전물질에관한것이다.
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