公开(公告)号：KR1020140090716A

公开(公告)日：2014-07-18

申请号：KR1020120151337

申请日：2012-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종렬 ,  신하철 ,  송인경

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/06 ,  B01J6/00

CPC classification number: H01L29/66742 ,  C01B32/184 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02612 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78684 ,  B01J6/00 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/22 ,  C23C16/06

Abstract: Provided are a method of manufacturing a graphene structure, the graphene structure and a graphene device including the same. The method of manufacturing a graphene structure includes a step of depositing a metal layer on a silicon carbide substrate; and a step of forming a composite layer, including the metal, and a graphene layer on the silicon carbide substrate by heat treating the metal layer-deposited silicon carbide at a first temperature.

Abstract translation: 提供了一种制造石墨烯结构的方法，石墨烯结构和包括该石墨烯结构的石墨烯装置。 制造石墨烯结构的方法包括在碳化硅衬底上沉积金属层的步骤; 以及通过在第一温度下对金属层沉积的碳化硅进行热处理，在碳化硅衬底上形成包括金属的复合层和石墨烯层的步骤。

公开(公告)号：KR101984697B1

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：KR1020120151337

申请日：2012-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종렬 ,  신하철 ,  송인경

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/06 ,  B01J6/00