公开(公告)号：WO2012015267A3

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/KR2011/005600

申请日：2011-07-29

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  홍병희 ,  안종현 ,  배수강 ,  정명희 ,  김혜리 ,  김상진

Inventor： 홍병희 ,  안종현 ,  배수강 ,  정명희 ,  김혜리 ,  김상진

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/513 ,  H01L31/04

Abstract: 본원은 기재(substrate) 상에 탄소 소스를 포함하는 반응 가스 및 열을 제공하여 반응시킴으로써 상기 기재 상에서 그래핀을 형성하는 것을 포함하는, 그래핀의 제조 방법, 상기 제조방법에 의해 형성되는 그래핀 시트 및 이를 이용한 소자를 제공한다.

公开(公告)号：WO2012008789A9

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/KR2011/005213

申请日：2011-07-15

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  삼성테크윈 주식회사 ,  홍병희 ,  안종현 ,  유지범 ,  배수강 ,  정명희 ,  장호욱 ,  이영빈 ,  김상진

Inventor： 홍병희 ,  안종현 ,  유지범 ,  배수강 ,  정명희 ,  장호욱 ,  이영빈 ,  김상진

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50

Abstract: 본원은 그래핀의 저온 형성 방법, 및 이를 이용한 그래핀 직접 전사 방법 및 그래핀 시트에 관한 것으로서, 상기 그래핀의 저온 형성 방법은 기재 상에 형성된 그래핀 성장용 금속 촉매층에 탄소 소스-함유 가스를 공급하고 유도결합플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD)에 의하여 500℃ 이하의 저온에서 그래핀을 형성하는 것을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR101652787B1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020090109283

申请日：2009-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 우윤성 ,  서형석 ,  배수강 ,  서순애 ,  정현종 ,  강새라 ,  허진성 ,  정명희

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26

CPC classification number: C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041

Abstract: 대면적그라핀전사방법및 제조방법이개시된다. 개시된대면적그라핀전사방법은, 기판상에그라핀층, 보호층및 접착층을순차적으로형성한다음, 상기기판을제거한다. 이어서, 전사기판상에상기그라핀층이접촉되게상기그라핀층을정렬하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020110052300A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020090109283

申请日：2009-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 우윤성 ,  서형석 ,  배수강 ,  서순애 ,  정현종 ,  강새라 ,  허진성 ,  정명희

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26

CPC classification number: C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041 ,  C01B32/194 ,  B82B3/0061 ,  C23C16/26

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing large-sized graphene and a method for transferring the large-sized graphene are provided to easily separate the large-sized graphene from a catalyst layer. CONSTITUTION: A method for transferring large-sized graphene includes the following: A graphene layer(120) is formed on a substrate. A protective layer(130) and an adhesive layer(140) are successively formed on the graphene layer. The exposed surface of the substrate is cut. Hydrophilic liquid applied to the substrate, and the substrate is eliminated from the graphene layer. The protective layer and the adhesive layer are eliminated.

Abstract translation: 目的：提供大型石墨烯的制造方法和转印大尺寸石墨烯的方法，以容易地将大型石墨烯与催化剂层分离。 构成：用于转移大尺寸石墨烯的方法包括以下：在基板上形成石墨烯层（120）。 在石墨烯层上依次形成保护层（130）和粘合剂层（140）。 切割基板的露出表面。 施加到基板上的亲水性液体，从石墨烯层除去基板。 消除了保护层和粘合剂层。

公开(公告)号：KR101269606B1

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：KR1020120039935

申请日：2012-04-17

Applicant: 에스 알 씨 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김강형 ,  맹관섭 ,  박철우 ,  차세원 ,  홍세연 ,  홍병희 ,  정명희 ,  김경은 ,  박수범

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B01J23/72

Abstract: 본 발명은 단일 방위의 면을 가지는 면심입방격자 금속촉매상에서 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것으로 좀 더 자세하게는 펄스 파형 전류로 전해도금하고 이를 어닐링하여 단일방위를 가지는 촉매금속박을 이용하여 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 제조된 그래핀은 균일하고 애피택셜하게 성장할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130045147A

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：KR1020120039935

申请日：2012-04-17

Applicant: 에스 알 씨 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김강형 ,  맹관섭 ,  박철우 ,  차세원 ,  홍세연 ,  홍병희 ,  정명희 ,  김경은 ,  박수범

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B01J23/72

CPC classification number: C01B32/188 ,  B01J23/72 ,  C23C16/26

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of graphene is provided to uniformly grow the graphene by providing energy of metal catalyst substrate with a uniform state of a single defense texture side. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene comprises a catalyst metal foil, and the catalyst metal foil comprises a single defense by electroplating with pulse wavelike current and annealing. The temperature of the annealing is 600-1,070 degree Celsius. The ratio of current supplying time of the pulse wavelike current to a resting time is 15:85-85:15. The pulse wavelike current is 1-10A/dm^2. The catalyst metal foil is face-centered cubic lattice(FCC). The catalyst metal foil is a FCC metal foil obtained by plating in the cathode rotary drum.

Abstract translation: 目的：提供石墨烯的制造方法以通过提供具有单一防御纹理侧的均匀状态的金属催化剂基材的能量来均匀地生长石墨烯。 构成：石墨烯的制造方法包括催化剂金属箔，催化剂金属箔包括通过电脉冲波浪电流和退火的单一防御。 退火温度为600-1.070摄氏度。 脉冲波形电流的电流供应时间与静止时间的比例为15：85-85：15。 脉冲波形电流为1-10A / dm ^ 2。 催化剂金属箔是面心立方晶格（FCC）。 催化剂金属箔是通过在阴极旋转鼓中电镀获得的FCC金属箔。

公开(公告)号：KR101165354B1

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：KR1020110108462

申请日：2011-10-24

Applicant: 에스 알 씨 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김강형 ,  맹관섭 ,  박철우 ,  차세원 ,  홍세연 ,  홍병희 ,  정명희 ,  김경은 ,  박수범

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B01J23/72

Abstract: 본 발명은 단일 방위의 면을 가지는 면심입방격자 금속촉매상에서 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 (100) 또는 (111) 결정구조를 가지는 금속촉매상에서 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 제조된 그래핀은 균일하고 애피택셜하게 성장할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110140115A

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：KR1020110108462

申请日：2011-10-24

Applicant: 에스 알 씨 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김강형 ,  맹관섭 ,  박철우 ,  차세원 ,  홍세연 ,  홍병희 ,  정명희 ,  김경은 ,  박수범

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B01J23/72

CPC classification number: C01B32/188 ,  B01J23/72 ,  C01B2204/02 ,  C23C16/26

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing graphene on a face centered cubic metal catalyst with a single oriented texture is provided to epitaxially grow graphene by securing a single oriented crystal texture to a metal catalyst substrate. CONSTITUTION: A method for manufacturing graphene manufactures the graphene on a face centered cubic metal catalyst with a single oriented texture. The cold rolling reduction rate of the metal catalyst is more than or equal to 85%. The thickness of the metal catalyst is lower than or equal to 50um. The metal catalyst is re-crystallization annealed under hydrogen atmosphere and is re-heated under methane and hydrogen atmosphere to grow graphene. The metal catalyst is one or the alloy of copper, silver, or gold.

Abstract translation: 目的：提供一种在具有单一定向结构的面心立方金属催化剂上制造石墨烯的方法，以通过将单一取向晶体结构固定在金属催化剂基底上来外延生长石墨烯。 构成：用于制造石墨烯的方法在具有单一取向纹理的面心立方金属催化剂上制造石墨烯。 金属催化剂的冷轧压下率大于等于85％。 金属催化剂的厚度小于或等于50um。 金属催化剂在氢气氛下再结晶退火，并在甲烷和氢气氛下再加热以生长石墨烯。 金属催化剂是一种或铜，银或金的合金。