公开(公告)号：KR100703007B1

公开(公告)日：2007-04-06

申请号：KR1020050110044

申请日：2005-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤상웅 ,  이종찬 ,  권기옥 ,  차상호 ,  허근

IPC: G03F7/027

Abstract: 감광성 유기 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법에서, 폴리머막 형성용 조성물은 에폭시기와 산 발생제(PGA)에 의해 분해가 일어나는 산 분해형 열 가교제 0.5 내지 5중량%와 안트라센을 함유하는 아크릴레이트 단량체 또는 안트라센을 함유하는 메타 아크릴레이트 단량체를 포함하는 공중합체 수지 10 내지 22중량%와 광산 발생제 0.1 내지 1중량% 및 여분의 용매를 포함하는 조성을 갖는다. 상기 폴리머막을 식각하여 폴리머막 패턴을 형성한다. 상기한 조성물은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상공정을 수행할 때 함께 현상되는 감광성 유기 반사 방지막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 在组合物中的光敏有机防反射膜，并使用相同的用于形成聚合物层的形成，它包含0.5％至5％的酸可分解的热交联剂（重量）蒽的发生通过与环氧基如权利要求所产生的酸分解的丙烯酸类的组合物的图案形成方法（PGA） 它具有包括单体或甲基丙烯酸酯单体的共聚物树脂10〜22％（重量），0.1至1％（重量）的光酸产生剂和包含含有蒽多余的溶剂的组合物。 聚合物膜被蚀刻以形成聚合物膜图案。 上述组合物可形成光敏有机防反射膜，当进行形成光致抗蚀剂图案的显影工艺时，光敏有机防反射膜与光致抗蚀剂图案一起显影。