公开(公告)号：KR101142998B1

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：KR1020040109061

申请日：2004-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이용욱 ,  정규하 ,  홍문표 ,  윤도영 ,  홍종인 ,  김지아

IPC: G03F7/004

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08B37/0006 ,  H01L21/312 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/052

Abstract: 본 발명은, 화학식 1 내지 5로 표시되는 유기 화합물로 이루어지는 유기 절연막과, 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선을 덮으며 화학식 1 내지 5로 표시되는 유기 화합물로 이루어지는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상부에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 및 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 데이터선과 마주하는 드레인 전극, 상기 데이터선 및 드레인 전극의 상부 또는 하부에 형성되어 있는 반도체층, 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공한다.
유기 절연막, 유기 박막 트랜지스터, 유전 상수, 용액 공정

公开(公告)号：KR1020060070353A

公开(公告)日：2006-06-23

申请号：KR1020040109061

申请日：2004-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이용욱 ,  정규하 ,  홍문표 ,  윤도영 ,  홍종인 ,  김지아

IPC: G03F7/004

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08B37/0006 ,  H01L21/312 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/052

Abstract: An insulating film according to an embodiment of the present invention has Chemical Formula 1 wherein the Rs are equal to or different from each other, m is an integer, the Rs have Chemical Formula 2: R= R 1 R 2 R 3 , (2) and R1, R2, and R3 in the Chemical Formula 2 are one selected from Chemical Formulae 3, 4 and 5, respectively (n is an integer):

公开(公告)号：KR101061844B1

公开(公告)日：2011-09-02

申请号：KR1020040049566

申请日：2004-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김보성 ,  이용욱

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244

Abstract: A method of manufacturing a thin film transistor panel is provided, which includes forming a first signal line on a substrate. The method also includes forming in sequence a first insulating layer and a semiconductor layer on the first signal line. The method further includes patterning the semiconductor layer and the first insulating layer through one photolithography process to form a patterned semiconductor layer and a patterned first insulating layer. The method also includes forming a second signal line on the patterned semiconductor layer and the patterned first insulating layer.

公开(公告)号：KR100691507B1

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020030086396

申请日：2003-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서종현 ,  이용욱 ,  홍문표

IPC: B32B27/06

Abstract: 플라스틱 기판의 표면에 표시 장치의 배선을 형성하기 위하여 플라스틱 기판을 캐리어 기판상에 적층하는 방법 및 이를 포함하는 유연성을 갖는 기판의 형성 방법이 개시되어 있다. 적층 방법은 캐리어 기판 상에 산화된 표면을 갖는 버퍼막을 형성하는 단계와 표면이 에칭 처리된 플라스틱 기판을 마련하는 단계 및 버퍼막과 에칭 처리된 플라스틱 기판의 표면이 마주보도록 밀착시킴으로서, 버퍼막에 플라스틱 기판이 기계적 및 화학적으로 결합하는 단계를 포함한다. 따라서, 상술한 방법은 캐리어 기판과 플라스틱 기판의 열팽창 계수의 차이로 인해 발생되는 잔류 응력의 완화 및 현재 액정 표시 장치를 양산하는 설비의 변형 없이도 적용된다.

公开(公告)号：KR1020060028537A

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020040077515

申请日：2004-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이우재 ,  이용욱 ,  김보성

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1086 ,  Y10T428/1095

Abstract: A method of manufacturing a flexible display is provided, which includes: adhering a plastic substrate on a supporter using an adhesive; forming a thin film pattern on the plastic substrate; and separating the plastic substrate from the supporter using a solvent including THF (tetrahydrofuran). In this manner, the plastic substrate may be tidily separated from the supporter by using THF.

公开(公告)号：KR1020060024128A

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：KR1020040073007

申请日：2004-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최태영 ,  김상일 ,  류민성 ,  서종현 ,  이용욱 ,  노수귀 ,  이우재 ,  홍문표

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/1218 ,  G02F1/133305 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/3244

Abstract: 본 발명은 플라스틱 기판을 이용하는 플렉서블 표시 장치에 있어서 플라스틱 기판의 각 모퉁이를 컷팅함으로써, 스핀 코팅시 포토레지스트 등의 막형성물질이 모퉁이에 집중 형성되는 것을 방지하여 플라스틱 기판의 모퉁이에 발생하는 빌드-업 현상을 개선시키는 효과를 발휘할 수 있다.
플라스틱 기판, 빌드-업(build-up) 현상, 모따기

Abstract translation: 本发明涉及一种使用塑料基板的柔性显示装置，其中切割塑料基板的每个角部，由此防止诸如光致抗蚀剂的成膜材料在旋涂期间集中在角落， 可以表现出改善现象的效果。

公开(公告)号：KR1020050118359A

公开(公告)日：2005-12-19

申请号：KR1020040043462

申请日：2004-06-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류민성 ,  최태영 ,  이용욱 ,  이우재 ,  김보성

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L27/12

Abstract: A method of manufacturing a thin film transistor array panel includes: forming a gate line on a substrate; forming a gate insulating layer on the gate line; forming a data line and a drain electrode on the gate insulating layer; depositing an organic semiconductor layer on the data line, the drain electrode and exposed portions of the gate insulating layer; depositing a protection layer on the organic semiconductor layer; forming a photoresist on the protection layer, the photoresist having positive photosensitivity; etching the protection layer and the organic semiconductor layer using the photoresist as an etch mask; forming a passivation layer on the protection layer, the data line, and the drain electrode, the passivation layer having a contact hole exposing a portion of the drain electrode; and forming a pixel electrode on the passivation layer, the pixel electrode electrically connected to the drain electrode via the contact hole.

Abstract translation: 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：在衬底上形成栅极线; 在栅极线上形成栅极绝缘层; 在栅绝缘层上形成数据线和漏电极; 在数据线，漏电极和栅极绝缘层的暴露部分上沉积有机半导体层; 在有机半导体层上沉积保护层; 在保护层上形成光刻胶，光刻胶具有正光敏性; 使用光刻胶作为蚀刻掩模来蚀刻保护层和有机半导体层; 在所述保护层，所述数据线和所述漏电极上形成钝化层，所述钝化层具有暴露所述漏电极的一部分的接触孔; 以及在钝化层上形成像素电极，像素电极经由接触孔电连接到漏电极。

公开(公告)号：KR100532290B1

公开(公告)日：2005-11-29

申请号：KR1020030005629

申请日：2003-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용욱

IPC: H04B7/155

Abstract: 본 발명은, 지피에스로부터 클럭을 수신하는 이동통신 시스템의 기지국에서 상기 지피에스 수신 클럭에 따라 동기를 맞추는 장치에 있어서, 다수의 트렁크 라인을 통해 외부 장치와 데이터를 송신 및 수신하고, 다수의 트렁크 라인들에서 각각 복구 클럭을 검출하는 다수의 프레이머와, 상기 복구 클럭을 수신하고 상기 트렁크 라인들을 감시하여 정상적인 하나의 트렁크 라인의 복구 클럭을 선택하는 트렁크 라인 선택부와, 상기 지피에스 클럭 상태에 따라 상기 지피에스 수신 클럭 또는 상기 복구 클럭을 선택하는 모드 선택부와, 상기 선택된 클럭의 잡음을 정제하여 상기 프레이머로 전송하는 피엘엘 로직부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이로 인해 GPS 수신 모드와 트렁크 종속 모드간의 모드 변환이 용이하고 다수의 참조 트렁크 라인을 사용하므로 트렁크 라인의 통신이 안정적으로 수행될 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050077525A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：KR1020040005068

申请日：2004-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용욱 ,  김보성 ,  류민성 ,  최태영

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0011 ,  H01L51/0016

Abstract: 유기 반도체 패턴의 형성 방법과 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법이 개시되어 있다. 기판 상에 마스크층을 형성한 후, 상기 마스크층을 패터닝하여 유기 반도체 패턴이 형성될 기판을 노출시킨다. 패터닝된 마스크층 및 노출된 기판 상에 유기 반도체층을 증착한다. 패터닝된 마스크층을 제거하면서 패터닝된 마스크층 위의 유기 반도체층을 리프트-오프하여 노출된 기판 상에만 유기 반도체층을 잔존시킨다. 기존의 섀도우 마스크를 이용한 증착 공정의 진행시 섀도우 마스크와 기판 간의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생되는 미스얼라인 및 들뜸 현상을 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050077514A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：KR1020040005044

申请日：2004-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용욱

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0545

Abstract: 유기 박막 트랜지스터가 개시되어 있다. 기판 상에 게이트 전극이 형성된다. 상기 게이트 전극 및 기판 상에 제1 절연층이 형성된다. 상기 제1 절연층 상에 제1 전극이 형성된다. 상기 제1 절연층 상에 상기 제1 전극의 일부분과 오버랩되도록 제1 절연층이 형성된다. 상기 제2 절연층 상에 제2 전극이 형성된다. 상기 제1 전극, 제2 절연층 및 제2 전극 상의 상기 게이트 전극에 대응되는 영역에 유기 액티브 패턴이 형성된다. 유기 박막 트랜지스터의 채널 길이가 제2 절연층의 두께로 정의되기 때문에, 채널 길이를 용이하게 조절할 수 있다.