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公开(公告)号：KR102227981B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020130071162A
申请日：2013-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L27/305 , H01L27/32 , H01L51/502 , H04B10/70 , B82Y20/00 , H01L27/288 , H01L51/004 , H01L51/006 , H01L51/4213 , H01L51/426 , H01L51/52
Abstract: 단일 광자 소자, 단일 광자 방출 전달 장치, 단일 광자 소자의 제조 및 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 단일 광자 소자는 기판 상에 구비된 캐리어 수송층과 상기 캐리어 수송층 상에 존재하는 적어도 하나의 양자점을 포함한다. 상기 캐리어 수송층은 홀 수송층일 수 있다. 상기 캐리어 수송층 상에 상기 적어도 하나의 양자점을 포함하는 양자점막이 구비될 수 있다. 단일 광자 방출 전달 장치는 단일 광자 소자와, 상기 단일 광자 소자에 단일 전하를 주입하는 수단과, 상기 단일 광자 소자로부터 방출되는 광을 집광하는 집광부와, 상기 집광부에 집광된 광을 상기 집광부 밖으로 전달하는 광 운반수단을 포함하고, 상기 단일 광자 소자는 상기한 바와 같을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090022086A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087146
申请日：2007-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L31/035281 , H01L33/08 , H01L33/20 , Y10S977/70 , Y10S977/762 , Y10S977/84
Abstract: A regioselectively lateral nanowire growth process is provided to improve integration degree of device by selecting desired location when nano device is manufactured and growing nanowire. A regioselectively lateral nanowire growth process comprises steps of: forming the first oxide silicon thin film on a silicon substrate; forming two or more long grooves; removing the remaining first oxide silicon thin film; forming a silicon core surrounded by the second oxide silicon thin film(3); etching perpendicularly a predetermined part of both sides of a silicon core surrounded by the second silicon thin film by patterning and removing it; forming a hollow channel of which the both sides are opened; depositing a catalyst metal layer on one end of the hollow channel; forming a protective film on a top surface of the catalyst metal layer; and growing nanowire in the hollow channel from the catalyst metal layer(7) to the silicon substrate in horizontal direction.
Abstract translation: 提供区域选择性横向纳米线生长工艺，以通过在纳米器件制造和生长纳米线时选择所需位置来提高器件的集成度。 区域选择性横向纳米线生长方法包括以下步骤：在硅衬底上形成第一氧化硅薄膜; 形成两个或多个长槽; 去除剩余的第一氧化硅薄膜; 形成由所述第二氧化硅薄膜（3）包围的硅芯; 通过图案化和除去由第二硅薄膜包围的硅芯的两侧的预定部分垂直蚀刻; 形成两侧打开的中空通道; 在所述中空通道的一端上沉积催化剂金属层; 在催化剂金属层的顶表面上形成保护膜; 并在中空通道中从水平方向从催化剂金属层（7）到硅衬底生长纳米线。
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公开(公告)号：KR101345456B1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：KR1020070087146
申请日：2007-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L31/035281 , H01L33/08 , H01L33/20 , Y10S977/70 , Y10S977/762 , Y10S977/84
Abstract: 본발명은위치선택적수평형나노와이어의성장방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것으로, 더욱상세하게는소자제작시 원하는위치를선택하여기판과수평방향으로일정한길이와직경을갖는나노와이어를성장시킴으로써, 소자의집적도를향상시킬수 있는위치선택적수평형나노와이어의성장방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170101732A
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020160024717
申请日：2016-02-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/0354 , G02B13/00
CPC classification number: G06K9/222 , G06F3/03545 , G06F3/038 , G06F3/0383 , H04N5/2257 , H04N5/23296
Abstract: 광학줌 기능을지닌전자펜장치가개시된다. 개시된전자펜장치는제 1영역에광학줌 기능을지닌다수의렌즈들을포함하는광학계와상기광학계를통과한광에의한영상신호를전기신호로변환하는이미지센서를포함할수 있다. 그리고, 상기전자펜장치의제 2영역에는전자기기와상호작용을할 수있는제어보드및 카메라모듈에의해측정되는영상및 사진을확인하고, 광학줌을전자기기에서조절할수 있도록전자기기와유무선으로통신할수 있는통신모듈이포함될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种具有光学变焦功能的电子笔装置。 所公开的电子笔设备可以包括光学系统，该光学系统包括在第一区域中的具有光学变焦功能的多个透镜以及用于将通过光学系统的光的图像信号转换为电信号的图像传感器。 在电子笔设备的第二区域中，检查由控制板和能够与电子设备交互的照相机模块测量的图像和图片，并且电子缩放由电子设备以及有线和无线 可以包含可沟通的通信模块。
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公开(公告)号：KR1020170007250A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020167028292
申请日：2014-05-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G3/002 , G02B27/02 , G02B27/22 , G02C7/04 , G02C7/041 , G06F1/163 , G06F3/011 , G06F3/013 , G06F3/147 , G06T3/0012 , G06T3/40 , G09G5/391 , G09G2340/0407 , G09G2354/00
Abstract: 영상표시장치는사용자의눈에착용되는렌즈(eye wearable lens); 상기렌즈내부에임베드(embed) 되거나또는렌즈표면에배치되는것으로, 사용자의망막에투사할영상을형성하기위한복수의광소자가어레이되며, 상기복수의광소자가형성하는영상의해상도는망막중심부가주변부보다높도록상기복수의광소자가구성되는표시패널부; 상기표시패널부에표시할영상정보에따라영상신호를생성하고, 상기영상신호에따라상기복수의광소자각각의온/오프를제어하는영상신호처리부;를포함한다.
Abstract translation: 一种图像显示装置，包括：眼睛佩戴透镜; 显示面板单元，其嵌入在所述透镜内部或者设置在所述透镜的表面上，并且具有用于形成要投影到用户的视网膜的图像的多个光学元件的阵列，所述多个光学元件被配置为使得由 多个光学元件在视网膜的中心部分具有比在其周边部分更高的分辨率; 以及图像信号处理单元，用于根据关于要在显示面板单元上显示的图像的信息生成图像信号，并根据图像信号控制每个光学元件的开/关。
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公开(公告)号：KR101675109B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020100075983
申请日：2010-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/502 , H01L27/3211 , H01L51/5048 , H01L51/5262
Abstract: 표면플라즈몬공명현상을이용하여발광특성이향상된양자점발광소자또는유기발광소자및 그의제조방법이개시된다. 개시된발광소자는기판, 제 1 전극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자수송층내에매립된나노-플라즈모닉입자, 및제 2 전극을포함할수 있다. 전자수송층내부에매립된나노-플라즈모닉입자는발광층으로부터입사한광에의해국소표면플라즈몬공명을일으켜, 그주위에강한전자기장을발생시킨다. 나노-플라즈모닉입자에의해발생한강한전자기장은발광층내부의양자점또는유기발광재료를더욱여기시켜발광특성을향상시킬수 있다. 또한, 나노-플라즈모닉입자주위에형성된전기장에의해전극으로부터발광층으로의전자주입이더욱강화된다. 따라서, 개시된발광소자는발광효율및 휘도가더욱향상될수 있다.
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公开(公告)号：KR101636907B1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：KR1020090121410
申请日：2009-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/0665 , H01L31/035209 , H01L31/035227
Abstract: 다공성나노구조체및 그제조방법에대해개시된다. 개시된다공성나노구조체는나노와이어또는나노튜브의표면및 내부에공동이형성된것으로, 공동이나노구조체내부를관통하여형성된구조의나노구조체에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160063003A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140166443
申请日：2014-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L35/30
Abstract: 열공급부, 상기열 공급부의일면에위치하는열전소자, 그리고상기열전소자의일면에위치하는열 교환기를포함하고, 상기열 교환기의적어도어느일면은제1 매질인대기와접촉하여위치하고대기이외의유체를포함하는제2 매질에대하여흡착성을가지는매질흡착부를가지는열전장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及通过有效地将介质供应到热交换器来使形成在热电元件中的温差最大化的热电装置。 热电装置包括：供热单元; 位于所述供热单元的一个表面上的热电元件; 以及位于所述热电元件的一个表面上的热交换器。 热交换器的至少任何一个表面被定位成与作为第一介质的空气接触，并且包括在包括除了空气之外的流体的第二介质上具有吸附的介质吸附单元。
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