Abstract:
하기 화학식 1로 표현되는 유기 화합물, 상기 유기 화합물을 포함하는 유기 박막, 유기 박막 트랜지스터 및 전자 소자에 관한 것이다. [화학식 1] A - L - B 상기 화학식 1에서, L은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 2가의 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로알킬렌기, 산소 원자(O), 황 원자(S), 셀레늄 원자(Se), 텔루르 원자(Te) 또는 이들의 조합이고, A 모이어티 및 B 모이어티는 각각 독립적으로 4개 이상의 고리가 융합된 축합다환기로, 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표현되는 기이고, [화학식 2] [화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 2 내지 4에서, Ar 1 내지 Ar 5 , Ar 3 내지 Ar 5 , X 1 및 X 2 , R 1 내지 R 4 는 명세서에서 기재한 바와 같다.
Abstract:
본 발명의 다양한 실시예는 메시지를 처리하기 위한 전자 장치 및 그의 동작 방법에 관한 것이다. 이때 전자 장치는 디스플레이, 무선 통신 회로, 상기 통신 회로 및 디스플레이에 작동적으로 연결되는 프로세서, 및 상기 프로세서와 작동적으로 연결된 메모리를 포함하며, 상기 메모리는 SMS(short message service) 어플리케이션 프로그램인 제1 어플리케이션 프로그램 및 non-SMS 어플리케이션 프로그램인 제2 어플리케이션 프로그램을 저장하고, 상기 메모리는, 실행될 때 상기 프로세서로 하여금, 상기 제2 어플리케이션 프로그램을 이용하여 외부 서버로부터 상기 통신 회로를 통해 푸시 알림을 수신하고, 상기 푸시 알림은 상기 제1 어플리케이션 프로그램에 대한 메시지를 나타내고, 상기 제2 어플리케이션 프로그램을 이용하여, 상기 통신 회로를 통해, 상기 외부 서버로 상기 메시지에 대한 요청을 전송하고, 상기 제2 어플리케이션 프로그램을 이용하여 상기 통신 회로를 통해 상기 외부 서버로부터 상기 메시지를 수신하고, 상기 제2 어플리케이션 프로그램을 이용하여 상기 메시지를 상기 제1 어플리케이션 프로그램으로 제공하고, 상기 제1 어플리케이션 프로그램의 사용자 인터페이스를 이용하여 상기 메시지를 표시하도록 하는 인스트럭션들을 포함할 수 있다. 다른 실시 예들도 가능할 수 있다.
Abstract:
일 실시예에 따른 전자 장치는, 스크린을 통해 텍스트로 된 다이얼로그(dialog)를 출력하는 디스플레이 모듈; 컴퓨터로 실행 가능한 명령어들(computer-executable instructions)이 저장된 메모리; 및 메모리에 억세스(access)하여 명령어들을 실행하는 프로세서를 포함하고, 명령어들은 텍스트로 된 다이얼로그(dialog)가 디스플레이 모듈을 통해 출력되는 경우, 텍스트에 기초하여 결정된 키워드의 특징을 파악하고, 특징을 고려하여 시각적 효과를 결정하되, 키워드와 관련된 타겟 어플리케이션이 존재하는 경우 타겟 어플리케이션의 특징을 더 고려하여 시각적 효과를 결정하고, 텍스트를 출력할 때 시각적 효과를 적용하도록 구성된다. 그 외에도 다양한 실시예들이 가능할 수 있다.
Abstract:
폴리올레핀 다공성 기재, 및 상기 폴리올레핀 다공성 기재 상에 형성된 덴드라이트 성장 억제층을 포함하고, 상기 덴드라이트 성장 억제층은 이온성 폴리머, 무기 필러, 및 리튬염을 포함하는 조성물로 형성되는 것인 리튬 금속 전지용 분리막과 이를 포함하는 리튬 금속 전지에 관한 것이다.
Abstract:
A regioselectively lateral nanowire growth process is provided to improve integration degree of device by selecting desired location when nano device is manufactured and growing nanowire. A regioselectively lateral nanowire growth process comprises steps of: forming the first oxide silicon thin film on a silicon substrate; forming two or more long grooves; removing the remaining first oxide silicon thin film; forming a silicon core surrounded by the second oxide silicon thin film(3); etching perpendicularly a predetermined part of both sides of a silicon core surrounded by the second silicon thin film by patterning and removing it; forming a hollow channel of which the both sides are opened; depositing a catalyst metal layer on one end of the hollow channel; forming a protective film on a top surface of the catalyst metal layer; and growing nanowire in the hollow channel from the catalyst metal layer(7) to the silicon substrate in horizontal direction.
Abstract:
마이크로어레이 데이터 분석 시스템은 복수의 처리 중 i번째 처리에 대한 복수의 반복 중에서 j번째 반복에 포함된 복수의 유전자의 강도로 i번째 처리의 j번째 반복에 대한 표준 벡터를 생성하고, 복수의 i와 복수의 j에 대해서 복수의 표준 벡터를 생성한다. 그리고 시스템은 복수의 표준 벡터 중에서 두 표준 벡터 사이의 상관 계수를 계산하고, 상관 계수로 마이크로어레이 데이터의 품질 및 재현성을 분석한다. 마이크로어레이, 재현성, 품질, 상관, 콜모고로프-스미르노프, 검증
Abstract:
A method and a system for analyzing microarray data are provided to analyze quality of the microarray data objectively which is generated from a plurality of treatments by using a chip correlation coefficient according to the same or different treatment. A correlation module(10) generates a plurality of reference vectors according to treatments and treatment repetitions, generates the reference vector for m-th repetition of n-th treatment by using intensity of a plurality of genes included in the m-th repetition of the n-th treatment, and calculates a correlation coefficient between two reference vectors among a plurality of reference vectors. An analyzing module(20) analyzes microarray data by using the correlation coefficient. The analyzing module compares the quality of the first and second treatments by comparing the correlation coefficient of a correlation group in the repeated treatments of the first treatment with the correlation coefficient of the correlation group in the repeated treatments of the second treatment.