公开(公告)号：KR1020150078759A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130168450

申请日：2013-12-31

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  김병수

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/326 ,  H01L29/47

Abstract: 실리콘카바이드쇼트키다이오드및 그의제조방법이개시된다. 실리콘카바이드쇼트키다이오드의제조방법은, N형 SiC 기판위에 N형에피층을성장시키고, 이온주입을이용하여 N형에피층위에 N형도핑층을형성하고, N형도핑층을포함하여 N형에피층을에칭함으로써트렌치구조를형성하고, 이온주입을이용하여트렌치구조의바닥영역에 P형도핑층을형성하며, 에칭한트렌치구조를감싸도록금속을증착시킨다.

Abstract translation: 公开了一种SiC肖特基势垒二极管及其制造方法。 制造SiC肖特基势垒二极管的方法包括在N型SiC衬底上生长N型外延层，通过使用离子注入在N型外延层上形成N型掺杂层，通过蚀刻N型外延形成沟槽结构 层，包括N型掺杂层，通过使用离子注入在沟槽结构的底部区域中形成P型掺杂层，并且沉积金属以包围蚀刻的沟槽结构。