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公开(公告)号：WO2012141387A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/KR2011/005931
申请日：2011-08-12
Applicant: 서강대학교산학협력단 , 이철수 , 김광수 , 허은영 , 김종민
CPC classification number: G01N30/88 , G01N2030/8868 , G01N2030/8881
Abstract: 본 발명은 방사성의약품 제조장치에 관한 것이다. 본 방사성의약품 제조장치는 방사성동위원소와 시약의 혼합에 의한 반응을 통해 합성되는 생성물을 획득하는 제1 모듈부, HPLC와 연동되어 상기 생성물을 정제하고 상기 정제된 생성물을 통해 방사성의약품을 제제하는 제2 모듈부, 그리고 상기 제1 모듈부, 상기 제2 모듈부, 및 상기 HPLC를 상기 방사성의약품의 제조를 위한 구동이 이루어지도록 제어하며, 상기 제1 모듈부, 상기 제2 모듈부, 및 상기 HPLC로부터 획득한 데이터를 외부제어장치로 전송하여 상기 외부제어장치에서 상기 제1 모듈부, 상기 제2 모듈부, 및 상기 HPLC의 상태에 대한 모니터링이 이루어지도록 하고, 상기 외부제어장치로부터 상기 합성을 수행하는 명령을 전송받아 상기 제1 모듈부로 전송하는 PLC를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造放射性药物的装置。 本发明的放射性药物的制造装置具有：通过由放射性同位素混合反应引起的反应获得合成产物的第一模块单元，与HPLC连通的第二模块单元，精炼产品，通过精制产品控制放射性药剂; 用于驱动第一模块单元，第二模块单元和HPLC以制造放射性药物的HPLC将从第一模块单元，第二模块单元和HPLC获取的数据发送到外部控制装置，监视状态 外部控制装置中的第一模块单元，第二模块单元和HPLC，并且将从外部控制装置接收的用于执行合成的命令发送到第一模块单元。
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公开(公告)号：KR1020160069701A
公开(公告)日：2016-06-17
申请号：KR1020140175604
申请日：2014-12-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/16 , H01L21/8258 , H01L29/06 , H01L29/1602
Abstract: 본발명은트렌치구조의전자축적을이용한 4H-실리콘카바이드 SBR(Super Barrier Rectifier) 소자및 그의제조방법에관한것으로, 기저에실리콘카바이드(Silicon Carbide; SiC)층을먼저형성하고, 그위에 N 형에피층(epi region)과 P-base층을순차로형성한후, P-base층의일측부분을에피층과맞닿을만큼식각하여트렌치(trench) 구조를형성하고, P-base층과상기트렌치구조와맞닿은일측벽면에경사각이온주입(tilt-implantation) 공정을이용하여축적 N 층(accumulation N layer)을형성한다. 다음에축적 N 층과에피층과맞닿은트렌치구조를따라산화물및 그위에폴리실리콘(Poly Si)을증착하고 P-base층부터폴리실리콘영역에이르는최상단을금속으로증착함으로써 4H-SiC SBR을제조한다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用沟槽结构的电子积累的4H-碳化硅（SiC）超级势垒整流器（SBR）器件及其制造方法。 制造4H SiC SBR的方法包括以下步骤：预先在衬底上形成SiC层，然后在其上依次形成N型外延区域和P基极层; 通过蚀刻P基层的一面与外延区域接触来形成沟槽结构; 通过在与P基层和沟槽结构接触的一侧的壁面上使用倾斜注入工艺形成堆积N层; 沿着与堆积N层和外延区接触的沟槽结构在氧化物上沉积氧化物，然后沉积氧化物; 以及在从P基层到多晶硅区域的最上部分上沉积金属。
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公开(公告)号：KR1020140047545A
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：KR1020130121029
申请日：2013-10-11
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: C12N5/074 , C12N5/02 , C07D311/00
CPC classification number: C12N5/0696 , C07D311/22 , C07D311/30 , C07D403/06 , C12N2500/76 , C12N2502/1347 , C12N2506/45
Abstract: The present invention relates to a method for producing a differentiated cell derived from induced a pluripotent stem cell from which an undifferentiated induced pluripotent stem cell (iPS) is eliminated. The method comprises the steps of: preparing a cell sample including undifferentiated iPSs and differentiated cells by differentiating iPSs; and selectively killing undifferentiated iPSs by treating quercetin of Chemical Formula 1 or YM-155 of Chemical Formula 2 on the byproduct of the step (a). According to the present invention, specific differentiated cells are differentiated from iPSs and are cultured in a culture medium for differentiation including quercetin or YM-155, so that only the undifferentiated iPSs can be effectively killed. The method according to the present invention selectively kills only the undifferentiated iPSs that cause the formation of teratomas in order not to affect the differentiated cells at all. Accordingly, the viability and functions of the differentiated cells are maintained so that the possibility of tumor formation can be prevented when the differentiated cells are used clinically as a cell therapy product and so that the stability can be ensured.
Abstract translation: 本发明涉及一种从诱导未分化诱导的多能干细胞（iPS）的多能干细胞衍生的分化细胞的制备方法。 该方法包括以下步骤：通过区分iPS来制备包含未分化的iPS和分化细胞的细胞样品; 并且通过处理步骤（a）的副产物的化学式2的化学式1的槲皮素或化学式2的YM-155选择性地杀死未分化的iPS。 根据本发明，将特异性分化细胞与iPS分化，并在包括槲皮素或YM-155的分化培养基中培养，使得只有未分化的iPS才能被有效杀死。 根据本发明的方法选择性地仅杀死导致畸胎瘤形成的未分化的iPS，以便不影响分化的细胞。 因此，维持分化细胞的存活力和功能，使得当分化细胞在临床上用作细胞治疗产品时可以预防肿瘤形成的可能性，从而可以确保稳定性。
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公开(公告)号：KR101358749B1
公开(公告)日：2014-02-10
申请号：KR1020120051681
申请日：2012-05-15
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 방사성 의약품 합성수율 측정기에 관한 것으로, 본 발명의 방사성 의약품 합성수율 측정기는, 하우징; 상기 하우징에 결합되고, 방사성 의약품이 전개된 박막이 장착되는 장착부; 상기 하우징의 내부에 설치되고, 상기 박막에 전개된 방사성 의약품의 합성수율을 측정하는 측정부; 상기 측정부에서 측정된 합성수율의 측정값을 출력하는 출력부; 및 상기 측정값이 출력되도록 상기 출력부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 방사성 의약품 합성수율을 측정할 수 있는 센서가 포함된 측정부는 고정되고, 방사성 의약품이 전개된 박막이 장착된 장착부가 이동하여 방사성 의약품의 합성수율을 측정하기 때문에 센서의 이동으로 발생할 수 있는 오차를 최소화할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR101298737B1
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：KR1020120005128
申请日：2012-01-17
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 마이크로파를 이용한 시료 가열장치에 사용되는 시료 가열용 초소형 반응기에 대한 것으로, 본 발명의 마이크로파를 이용한 시료 가열장치용 반응기는, 외부로부터 마이크로파를 수신하고, 수신된 마이크로파를 공진시킬 수 있도록 내부에 일정 공간이 형성되며, 상부가 개방된 공동공진부; 및 상기 공동공진부 내부로 마이크로파의 여진을 위한 상기 공동공진부의 측면에 배치된 프로브를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성을 갖춘 본 발명에 따른 마이크로파를 이용한 시료 가열장치용 반응기에 의하면, 프로브를 이용하여 마이크로파의 여진에 의해 시료를 가열할 수 있어 다양한 다른 장비에 결합하여 적용할 수 있어 시료 가열장치용 반응기의 활용도를 보다 높일 수 있는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102244200B1
公开(公告)日：2021-04-26
申请号：KR1020190156978
申请日：2019-11-29
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/737 , H01L29/66 , H01L29/43 , H01L29/423 , H01L21/225
Abstract: 본발명의일 실시예에따른 MOSFET 소자는제1 금속층을포함하는반도체기판과, 상기반도체기판상부에형성된 p-타입필라와, 상기 p-타입필라상에형성된 p-타입폴리실리콘층과, 상기 p-타입폴리실리콘층양측에지부상부에형성된제1 및제2 게이트패턴과, 상기제1 및제2 게이트패턴들사이에매립되며, 상기 p-타입필라와접촉하는제2 금속층을포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101780436B1
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：KR1020160182704
申请日：2016-12-29
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/73 , H01L29/47 , H01L27/095 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66643 , H01L27/095 , H01L29/0626 , H01L29/0634 , H01L29/4236 , H01L29/47 , H01L29/7308
Abstract: 본발명은슈퍼정션(Super-Junction) MOSFET에관한것으로서, 드리프트영역, 상기드리프트영역상단에형성되는제 1 소스부및 제 2 소스부, 상기제 1 소스부로부터상기드리프트영역방향으로삽입되어형성되는두 개의제 1 필라(Pillar), 상기제 2 소스부로부터상기드리프트영역방향으로삽입되어형성되는제 2 필라, 및상기제 1 소스부와제 2 소스부사이에형성되는게이트부를포함하고, 상기제 1 소스부는, 상기두 개의제 1 필라사이에트렌치로형성되어상기드리프트영역과쇼트키장벽을형성하는금속층을포함하는것을특징으로함으로써작은역회복전하(Reverse-Recovery Charge) 및역회복시간(Reverse-Recovery Time)을구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明超结（超结）涉及一种MOSFET，漂移区，所述第一源和所述第二源极区形成在所述漂移区的顶部上，即从形成被插入到漂移区方向上的第一源极区 包括两个第一支柱（支柱），从将要形成被插入到所述漂移区方向上的源单元中的第二所述第二支柱和所述第一源极部分和第二部分的栅极形成的源极副，该第一 源单元，通过其特征在于，它是在两个第一柱之间的沟槽形成包括形成所述漂移区和所述肖特基势垒小的反向恢复电荷（反向恢复电荷）mityeok恢复时间的金属层（反向恢复 可以实现时间）。
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公开(公告)号：KR101685572B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020140177787
申请日：2014-12-10
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 본발명은바닥산화막의전계를감소시키는실리콘카바이드모스펫소자및 그의제조방법에관한것으로, 실리콘카바이드모스펫소자는, 제 1 도전형 SiC 기판, 제 1 도전형 SiC 기판위에성장시킨제 1 도전형에피(epi)층, 제 1 도전형에피층위에증착된제 2 도전형바디(body)층, 제 2 도전형바디층을관통하여제 1 도전형에피층까지부분식각을통해형성된 1차트렌치(trench) 구조, 1차트렌치구조의바닥면에형성된트렌치바닥층, 트렌치바닥층을포함하여 1차트렌치구조의내측을감싸도록증착되는게이트전극(gate electrode), 1차트렌치구조를제외한제 2 도전형바디의상단에증착되는소스전극(source electrode) 및제 1 도전형 SiC 기판의하단에증착되는드레인전극(drain electrode)을포함하되, 트렌치바닥층은하이(high) K 물질로구성되거나트렌치바닥층에 2차트렌치구조를형성함으로써게이트산화막(gate oxide)의전계(electric field)를감소시킨다.
Abstract translation: 本发明涉及用于减小底部氧化物层的电场的碳化硅（SiC）MOSFET器件及其制造方法。 SiC MOSFET器件包括第一导电SiC衬底，在第一导电SiC衬底上生长的第一导电外延层，沉积在第一导电外延衬底上的第二导电体层，穿过第二导电体层的第一沟槽结构，以及 通过部分蚀刻形成在第一导电外延层上，形成在第一沟槽结构的底表面上的沟槽底层，沉积为围绕包括沟槽底层的第一沟槽结构的内侧的栅电极，沉积的源电极 在除了第一沟槽结构之外的第二导电体层的上端; 以及沉积在第一导电SiC衬底的下端上的漏电极。 沟槽底层由高K材料制成或在沟槽底层上形成第二沟槽结构以减少栅极氧化物层的电场。
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公开(公告)号：KR101661551B1
公开(公告)日：2016-09-30
申请号：KR1020140175604
申请日：2014-12-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본발명은트렌치구조의전자축적을이용한 4H-실리콘카바이드 SBR(Super Barrier Rectifier) 소자및 그의제조방법에관한것으로, 기저에실리콘카바이드(Silicon Carbide; SiC)층을먼저형성하고, 그위에 N 형에피층(epi region)과 P-base층을순차로형성한후, P-base층의일측부분을에피층과맞닿을만큼식각하여트렌치(trench) 구조를형성하고, P-base층과상기트렌치구조와맞닿은일측벽면에경사각이온주입(tilt-implantation) 공정을이용하여축적 N 층(accumulation N layer)을형성한다. 다음에축적 N 층과에피층과맞닿은트렌치구조를따라산화물및 그위에폴리실리콘(Poly Si)을증착하고 P-base층부터폴리실리콘영역에이르는최상단을금속으로증착함으로써 4H-SiC SBR을제조한다.
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10.发明公开
公开(公告)号：KR1020160066811A
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020140172044
申请日：2014-12-03
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/872 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/265 , H01L29/808 , H01L29/8725
Abstract: 본발명은실리콘카바이드트렌치모스장벽쇼트키다이오드및 그의제조방법에관한것으로, 기판위에 N형에피층(epilayer)을성장시키고, 마스크(mask)를사용하여에피층을식각(etching)함으로써트렌치(trench) 구조를형성하고, 마스크를유지한채로트렌치구조의내측벽면에도핑층을형성하고, 도핑층을포함하여트렌치구조의내측벽면과바닥면을감싸도록산화막을증착하고, 트렌치구조의노출된상단과산화막을감싸도록전하인가층을증착하며, 전하인가층의상단과기판하단에각각애노드(anode) 금속접합과캐소드(cathode) 금속접합을형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种SiC沟槽MOS势垒肖特基二极管及其制造方法。 该方法包括：在衬底上具有n型外延层生长; 使用掩模蚀刻外延层以形成沟槽结构; 在保持掩模的情况下在沟槽结构的内壁上形成掺杂层; 沉积氧化物膜以覆盖包括掺杂层的沟槽结构的内壁和底表面; 沉积电荷施加层以覆盖所述沟槽结构和所述氧化物膜的暴露的顶端; 以及在所述电荷施加层的顶端和所述衬底的底端上分别形成阳极金属结和阴极金属结。
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