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公开(公告)号：KR102244200B1
公开(公告)日：2021-04-26
申请号：KR1020190156978
申请日：2019-11-29
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/737 , H01L29/66 , H01L29/43 , H01L29/423 , H01L21/225
Abstract: 본발명의일 실시예에따른 MOSFET 소자는제1 금속층을포함하는반도체기판과, 상기반도체기판상부에형성된 p-타입필라와, 상기 p-타입필라상에형성된 p-타입폴리실리콘층과, 상기 p-타입폴리실리콘층양측에지부상부에형성된제1 및제2 게이트패턴과, 상기제1 및제2 게이트패턴들사이에매립되며, 상기 p-타입필라와접촉하는제2 금속층을포함하는것을특징으로한다.
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