公开(公告)号：KR101287368B1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：KR1020110108842

申请日：2011-10-24

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 오세용 ,  민현식 ,  이태연

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명은 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전도성 고분자 트랜지스터 제작시 금속과 계면사이에 DCNQI를 포함하는 버퍼층을 삽입하여 접촉저항과 전자 주입능력을 개선할 수 있는 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 유기 활성층과 금속 전극사이의 접촉저항이 개선되고 전자 주입능력이 향상되어 저전압으로 고효율을 얻을 수 있다. 또한 본 발명에 따르면 종래의 가로형 트랜지스터와 달리 세로형 적층구조를 적용함으로써 고속도(high speed), 고전력(high power)의 소자를 얻을 수 있다

公开(公告)号：KR1020130044666A

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：KR1020110108842

申请日：2011-10-24

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 오세용 ,  민현식 ,  이태연

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0562 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/057 ,  H01L51/105

Abstract: PURPOSE: A transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve electron injection performance and to reduce a contact resistance by inserting a buffer layer with a charge transfer compound between an organic active layer and a metal electrode. CONSTITUTION: A drain electrode is formed on a semiconductor substrate. A first organic active layer(20) is formed on the drain electrode. A gate electrode(30) is formed on the first organic active layer. A second organic active layer(40) is formed on the gate electrode. A buffer layer(50) including a compound is formed on the second organic active layer. A source electrode(60) is formed on the buffer layer. An organic metal compound layer is formed on an interface between the source electrode and the buffer layer in a source electrode forming process.

Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法，以通过在有机活性层和金属电极之间插入电荷转移化合物的缓冲层来提高电子注入性能并降低接触电阻。 构成：在半导体衬底上形成漏电极。 在漏电极上形成有第一有机活性层（20）。 栅电极（30）形成在第一有机层上。 在栅电极上形成第二有机活性层（40）。 在第二有机活性层上形成包含化合物的缓冲层（50）。 源电极（60）形成在缓冲层上。 在源电极形成工序中，在源电极与缓冲层的界面上形成有机金属化合物层。