公开(公告)号：KR101354489B1

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020120000056

申请日：2012-01-02

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 오세용 ,  양의열 ,  이태연

IPC: C07C251/20 ,  H01L31/042 ,  H01L29/43

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 전하착체 화합물, 그 합성방법 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것으로 태양전지와 같은 전자소자에 포함되는 유기층과 금속전극의 계면에서 접촉저항과 전자 주입능력을 개선할 수 있는 전하착체 화합물, 그 합성방법 및 이를 버퍼층으로 포함하는 태양전지에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 금속전극과 유기층 계면의 접촉저항이 개선되고 금속과 유기층 사이의 에너지 장벽이 낮아져 전자 주입이 용이하게 되어 고효율의 전자소자를 얻을 수 있다. 특히 태양전지에 있어서 광활성층(유기층)과 금속전극 사이에 전하착체 화합물을 유기 버퍼층으로 사용함으로써 광활성층과 금속전극 간의 접촉 저항을 감소시키고, 고전도성을 갖는 유기-금속 화합물을 형성하여 직렬저항, 단락전류 값, 개방전압 및 필팩터(fill factor) 값을 개선시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101287368B1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：KR1020110108842

申请日：2011-10-24

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 오세용 ,  민현식 ,  이태연

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명은 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전도성 고분자 트랜지스터 제작시 금속과 계면사이에 DCNQI를 포함하는 버퍼층을 삽입하여 접촉저항과 전자 주입능력을 개선할 수 있는 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 유기 활성층과 금속 전극사이의 접촉저항이 개선되고 전자 주입능력이 향상되어 저전압으로 고효율을 얻을 수 있다. 또한 본 발명에 따르면 종래의 가로형 트랜지스터와 달리 세로형 적층구조를 적용함으로써 고속도(high speed), 고전력(high power)의 소자를 얻을 수 있다

公开(公告)号：KR1020130078904A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：KR1020120000056

申请日：2012-01-02

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 오세용 ,  양의열 ,  이태연

IPC: C07C251/20 ,  H01L31/042 ,  H01L29/43

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: A charge transfer complex is provided to improve contact resistance and electron injection ability on the interface between an organic layer and a metal electrode. CONSTITUTION: A manufacturing method of a charge transfer complex represented by chemical formula 1 comprises a step of manufacturing a metal carbonyl group-containing solution by conducting a reaction of a metal compound, a reducer, a weak acid, and an oxidizer; a step of manufacturing a benzoquinone compound by conduct a reaction of a compound represented by chemical formula 2: R5C≡CH into a metal carbonyl group-containing solution at a specific temperature; a step of removing a metal carbonyl from the benzoquinone compound; and a step of conduct a reaction of the benzoquinone compound with a compound having a carbodiimide group.

Abstract translation: 目的：提供电荷转移络合物，以提高有机层和金属电极之间的界面上的接触电阻和电子注入能力。 构成：由化学式1表示的电荷转移络合物的制造方法包括通过金属化合物，还原剂，弱酸和氧化剂的反应来制造含有金属羰基的溶液的工序; 通过在特定温度下将由化学式2表示的化合物：R 5C≡CH的化合物与含金属羰基的溶液反应制造苯醌化合物的步骤; 从苯醌化合物中除去金属羰基的步骤; 以及使苯醌化合物与具有碳二亚胺基的化合物进行反应的工序。

公开(公告)号：KR1020130044666A

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：KR1020110108842

申请日：2011-10-24

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 오세용 ,  민현식 ,  이태연

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0562 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/057 ,  H01L51/105

Abstract: PURPOSE: A transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve electron injection performance and to reduce a contact resistance by inserting a buffer layer with a charge transfer compound between an organic active layer and a metal electrode. CONSTITUTION: A drain electrode is formed on a semiconductor substrate. A first organic active layer(20) is formed on the drain electrode. A gate electrode(30) is formed on the first organic active layer. A second organic active layer(40) is formed on the gate electrode. A buffer layer(50) including a compound is formed on the second organic active layer. A source electrode(60) is formed on the buffer layer. An organic metal compound layer is formed on an interface between the source electrode and the buffer layer in a source electrode forming process.

Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法，以通过在有机活性层和金属电极之间插入电荷转移化合物的缓冲层来提高电子注入性能并降低接触电阻。 构成：在半导体衬底上形成漏电极。 在漏电极上形成有第一有机活性层（20）。 栅电极（30）形成在第一有机层上。 在栅电极上形成第二有机活性层（40）。 在第二有机活性层上形成包含化合物的缓冲层（50）。 源电极（60）形成在缓冲层上。 在源电极形成工序中，在源电极与缓冲层的界面上形成有机金属化合物层。