公开(公告)号：KR101800783B1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：KR1020160133720

申请日：2016-10-14

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  배동우

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/16 ,  H01L27/092 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24

Abstract: 본발명은실리콘카바이드기반의트랜지스터및 이를제조하는방법에관한것으로, 실리콘카바이드기반의트랜지스터는기판, 상기기판의상부에서상호맞닿는제1 및제2 타입의웰들(wells) 및상기제1 및제2 타입의웰들의상호맞닿는부위에서각 타입에따른수직고농도도핑영역들을통해정의되는항복전압개선영역을포함한다.

Abstract translation: 本发明中，基于碳化硅的晶体管基板，相互邻接第一mitje的在衬底（阱）和第一mitje第二类型涉及一种方法，用于生产基于碳化硅的晶体管的顶部第二型阱，并且这 在阱的相互邻接部分根据每种类型形成重掺杂区域。