公开(公告)号：KR101581690B1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020130167249

申请日：2013-12-30

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  송관훈

IPC: H01L21/336

Abstract: 측면확산 MOS 소자및 그의제조방법이개시된다. 측면확산 MOS 소자의제조방법은, 제 1 도전형반도체기판에이온주입(ion implantation)을수행하여제 1 도전형반도체기판의상단에제 2 도전형소스(source) 영역과제 2 도전형드레인(drain) 영역을각각형성하고, 제 1 도전형반도체기판에이온주입을수행하여제 2 도전형드레인영역의일측에제 2 도전형드리프트영역을형성하고, 제 2 도전형소스영역과제 2 도전형드리프트(drift) 영역간에위치한제 1 도전형반도체기판의상부에제 1 도전형도핑(doping)을수행하고, 제 2 도전형소스영역과제 2 도전형드리프트영역간에위치한제 1 도전형반도체기판의상부에산화막을형성하고, 제 1 도전형반도체기판과산화막간의계면에어닐링(annealing)을수행하며, 산화막상단에금속의게이트를형성한다.

公开(公告)号：KR1020150078132A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130167249

申请日：2013-12-30

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  송관훈

IPC: H01L21/336

Abstract: 측면확산 MOS 소자및 그의제조방법이개시된다. 측면확산 MOS 소자의제조방법은, 제 1 도전형반도체기판에이온주입(ion implantation)을수행하여제 1 도전형반도체기판의상단에제 2 도전형소스(source) 영역과제 2 도전형드레인(drain) 영역을각각형성하고, 제 1 도전형반도체기판에이온주입을수행하여제 2 도전형드레인영역의일측에제 2 도전형드리프트영역을형성하고, 제 2 도전형소스영역과제 2 도전형드리프트(drift) 영역간에위치한제 1 도전형반도체기판의상부에제 1 도전형도핑(doping)을수행하고, 제 2 도전형소스영역과제 2 도전형드리프트영역간에위치한제 1 도전형반도체기판의상부에산화막을형성하고, 제 1 도전형반도체기판과산화막간의계면에어닐링(annealing)을수행하며, 산화막상단에금속의게이트를형성한다.

Abstract translation: 公开了横向扩散MOS器件及其制造方法。 制造横向扩散MOS器件的方法分别通过在第一导电半导体衬底上注入离子而在第一导电半导体衬底的上侧形成第二导电源区域和第二导电漏极区域; 通过在第一导电半导体衬底上注入离子，在第二导电漏极区的一侧上形成第二导电漂移区; 在第二导电源区域和第二导电漂移区域之间的第一导电半导体衬底的上侧执行第一导电掺杂操作; 在位于第二导电源区域和第二导电漂移区域之间的第一导电半导体衬底的上侧形成氧化物膜; 退火氧化膜和第一导电半导体衬底之间的界面; 并且在氧化膜的上侧形成金属栅极。