公开(公告)号：WO2010134684A2

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：PCT/KR2010/001044

申请日：2010-02-19

Applicant: 서강대학교산학협력단 ,  이희우 ,  최현상 ,  민성규 ,  김범석 ,  신보라

Inventor： 이희우 ,  최현상 ,  민성규 ,  김범석 ,  신보라

IPC: H01B3/18 ,  H01B3/02

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  H01B3/00 ,  H01B3/46 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  C08K5/5419

Abstract: 본 발명은 화학식 1로 표시되는 기공형성제와 폴리 알킬실세스퀴옥산 공중합체를 매트릭스로하는 혼합용액의 비율을 최적화하고, 여기에 열처리 중에 자외선 경화를 하는 초저유전막의 제조방법 및 이에 의한 초저유전막에 관한 것이다. 본 발명에 의한 초저유전막은 1~3nm의 기공이 10~30%로 균일하게 분포되고, 2.12~2.4의 낮은 유전율에 10.5~19GPa의 매우 높은 기계적 탄성율을 달성하므로 현재 사용되는 SiO2 유전막을 대체하여 차세대 반도체의 층간절연막으로 사용할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种超低介电常数膜的制造方法，其中在由聚（烷基倍半硅氧烷）共聚物和由化学式1表示的致孔剂组成的基质的混合溶液中优化比例， 其中该混合溶液在热处理期间经受紫外线固化。 本发明的超低介电常数膜可以用作下一代半导体的中间绝缘膜，代替目前使用的SiO 2绝缘膜，因为1〜3nm的孔均匀分布在10〜30nm 在2.12〜2.4的低介电常数下实现了10.5〜19GPa的非常高的机械弹性。

公开(公告)号：KR101264092B1

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：KR1020120068365

申请日：2012-06-26

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 이희우 ,  최현상 ,  민성규 ,  김범석 ,  신보라

IPC: H01B3/18 ,  H01B3/02 ,  C09D183/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  H01B3/00 ,  H01B3/46 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  C08K5/5419

Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는기공형성제와폴리메틸실세스퀴옥산공중합체를매트릭스로하는혼합용액의비율을최적화하고, 여기에열처리중에자외선경화를하는초저유전막의제조방법및 이에의한초저유전막에관한것이다. 본발명에의한초저유전막은 1~3nm의기공이 10~30%로균일하게분포되고, 2.12~2.4의낮은유전율에 10.5~19GPa의매우높은기계적탄성율을달성하므로현재사용되는 SiO2 유전막을대체하여차세대반도체의층간절연막으로사용할수 있다.

公开(公告)号：KR101207238B1

公开(公告)日：2012-12-03

申请号：KR1020100022665

申请日：2010-03-15

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 이희우 ,  최현상 ,  민성규 ,  김범석 ,  신보라

IPC: H01B3/18 ,  H01B3/02 ,  C09D183/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  H01B3/00 ,  H01B3/46 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  C08K5/5419

Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는기공형성제와폴리메틸실세스퀴옥산공중합체를매트릭스로하는혼합용액의비율을최적화하고, 여기에열처리중에자외선경화를하는초저유전막의제조방법및 이에의한초저유전막에관한것이다. 본발명에의한초저유전막은 1~3nm의기공이 10~30%로균일하게분포되고, 2.12~2.4의낮은유전율에 10.5~19GPa의매우높은기계적탄성율을달성하므로현재사용되는 SiO2 유전막을대체하여차세대반도체의층간절연막으로사용할수 있다.

公开(公告)号：KR1020120080157A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：KR1020120068365

申请日：2012-06-26

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 이희우 ,  최현상 ,  민성규 ,  김범석 ,  신보라

IPC: H01B3/18 ,  H01B3/02 ,  C09D183/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  H01B3/00 ,  H01B3/46 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  C08K5/5419

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of ultra-low dielectric membrane is provided to impart mechanical strength required for low dielectric membrane, and to provide extremely low dielectric constant, and to be used as an inter-layer insulative film for a semiconductor. CONSTITUTION: A manufacturing method of ultra-low dielectric membrane is manufactured by heat curing using an organic or inorganic matrix, and a reactive pore-former. The ultra-low dielectric membrane is manufactured by irradiation with UV rays of 200-300 nm at 400-450 °C for 5-30 minutes conducted with the heat curing at the same time. The matrix consists of 10-90 vol% of polymethylsilsesquioxane precursor or a copolymer thereof, and 10-90 vol% of a pore forming template in chemical formula 1: R1OCH2[CH(OR2)]nCH2OR3. In chemical formula 1, R1, R2, and R3 is respectively hydrogen, or A. A is R4Si(OR5)3, R4 and R5 is respectively a C1-5 alkyl group, and n is an integer from 2-4.

Abstract translation: 目的：提供超低介电膜的制造方法，以赋予低介电膜所需的机械强度，并提供极低的介电常数，并用作半导体的层间绝缘膜。 构成：通过使用有机或无机基体和反应性成孔剂进行热固化来制造超低介电膜的制造方法。 超低介电膜通过在400-450℃的紫外线照射5-30分钟同时进行热固化来制造。 该基质由10-90体积％的聚甲基倍半硅氧烷前体或其共聚物和10-90体积％的化学式1中的成孔模板：R1OCH2 [CH（OR2）] nCH2OR3组成。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3分别为氢或A。A为R 4 Si（OR 5）3，R 4和R 5分别为C 1-5烷基，n为2-4的整数。

公开(公告)号：KR1020100125173A

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：KR1020100022665

申请日：2010-03-15

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 이희우 ,  최현상 ,  민성규 ,  김범석 ,  신보라

IPC: H01B3/18 ,  H01B3/02 ,  C09D183/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  H01B3/00 ,  H01B3/46 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  C08K5/5419

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of an ultra-low-dielectric membrane, and the ultra-low-dielectric membrane are provided to offer the extremely low dielectric rate, and to provide nano-sized close pores. CONSTITUTION: A manufacturing method of an ultra-low-dielectric membrane comprises the following steps: forming a mixed solution by adding a compound marked with chemical formula 1: R1OCH2[CH(OR2)]nCH2OR3, and a poly alkylsilsesquioxan copolymer to an organic solvent; coating the mixed solution to a substrate, to form a thin film; heating the thin film to 200~300 deg C: heat-processing the thin film after heating into 350~500deg C; and irradiating ultraviolet rays while heat-processing for 5~30 minutes.

Abstract translation: 目的：提供超低电介质膜的制造方法和超低电介质膜，以提供极低的介电率，并提供纳米尺寸的近孔。 构成：超低电介质膜的制造方法包括以下步骤：通过将化学式1：R1OCH2 [CH（OR2）] nCH2OR3和聚烷基硅倍半氧烷共聚物加入有机溶剂中形成混合溶液 ; 将混合溶液涂布到基材上，形成薄膜; 将薄膜加热至200〜300℃：加热后加热至350〜500℃; 并在热处理5〜30分钟的同时照射紫外线。