公开(公告)号：WO2022092449A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：PCT/KR2021/001601

申请日：2021-02-08

Applicant: 서울과학기술대학교 산학협력단 ,  앨로힘 주식회사

Inventor： 안지환 ,  김사라은경 ,  고도현 ,  신정우

IPC: H01L49/02 ,  H01L21/02 ,  C23C16/56

Abstract: 본 발명은 3차원 구조물 상 증착 박막에 기반한 실리콘 커패시터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 3차원 구조로 식각되어 표면적이 증가된 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판 상에 단일 성분의 유전체가 결정 구배형으로 형성된 유전 박막이 구비된 커패시터, 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 ALD 및 PEALD 공정을 활용한 캐패시터 수동소자 제작 기술로서, 이는 기존 기술에 비해 소자의 주요 성능인 유전 용량(nF/mm2), 누설 전류 밀도(A/cm2), 항복 전압(MV/cm)을 개선시킬 수 있으며, 구체적으로, 제조시에 플라즈마를 이용함으로써 불순물이 적고 결정성이 높은 박막을 증착할 수 있어 유전율 및 유전 용량을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 박막의 두께와 조성을 정밀하게 조절할 수 있어서, 유전용량, 누설 전류, 항복 전압 면에서 최적 성능을 보이는 소재 또는 구조에 대한 조합 구현이 가능하고, 대면적을 균일하게 증착할 수 있어 추후 양산 공정 대응이 간편한 효과가 있다.

公开(公告)号：KR102074346B1

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：KR1020170120564

申请日：2017-09-19

Applicant: 서울과학기술대학교 산학협력단

Inventor： 안지환 ,  유진근 ,  오성국 ,  김형준 ,  신정우 ,  양병찬 ,  고도현

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR102252797B1

公开(公告)日：2021-05-17

申请号：KR1020200123336

申请日：2020-09-23

Applicant: 서울과학기술대학교 산학협력단

Inventor： 안지환 ,  이성제 ,  계승현 ,  심상일 ,  조소라 ,  양병찬 ,  고도현 ,  최학영

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/503 ,  C23C16/52

Abstract: 원자층을증착하는증착장치는처리챔버및 증착샘플을증착하는기판, 기판의하부에배치되며기판에증착된증착샘플의온도를조절하는히터및 기판의상부에배치되며증착샘플을고정하는커버를포함하도록처리챔버의내부에설치된블록부를포함하고, 블록부는복수개로구성되고, 복수개의블록부는각 블록부가블록형식으로조립이가능하도록구성될수 있다.