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公开(公告)号：KR1020100033262A
公开(公告)日：2010-03-29
申请号：KR1020080092350
申请日：2008-09-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for forming a cobalt alloy based multi-layered diffusion barrier through electroless plating is provided to improve oxidation resistance of copper wires and to minimize damages of the wires by improving properties between the copper wires and the diffusion barrier. CONSTITUTION: A method for forming a cobalt alloy based multi-layered diffusion barrier through electroless plating comprises a step for performing an electroless plating process on the surface of copper layers and a step for successively forming the cobalt alloy based multi-layered diffusion barrier having different compositions. The bottom layer of the diffusion barrier is formed to the cobalt alloy based multi-layered diffusion barrier. The cobalt alloy based multi-layered diffusion barrier has good resistance comparing to the resistance of electromigration of the copper wires.
Abstract translation: 目的：提供一种通过化学镀形成基于钴合金的多层扩散阻挡层的方法，以提高铜线的抗氧化性，并通过改善铜线和扩散阻挡层之间的性能来最小化电线损伤。 构成：通过无电解电镀形成基于钴合金的多层扩散阻挡层的方法包括在铜层表面进行化学镀处理的步骤和连续形成具有不同的钴合金的多层扩散阻挡层的步骤 成分。 扩散阻挡层的底层形成为基于钴合金的多层扩散阻挡层。 与钴线的电迁移电阻相比，基于钴合金的多层扩散阻挡层具有良好的电阻。
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公开(公告)号：KR101048744B1
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020080092350
申请日：2008-09-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 다층 확산방지막 형성방법은, 구리배선의 표면에 2단계의 무전해 도금을 통해 서로 다른 조성을 가지는 2층의 코발트 합금계열의 확산방지막을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 한다. 이러한 예로서, 상기 확산방지막의 하부층은 Co-WP 합금으로 이루어지고, 상기 확산방지막의 상부층은 Co-B 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 금속 배선 물질인 구리 또는 그의 합금의 신뢰성을 높이기 위해 화학적-기계적 연마 이후 공기 중에 노출되는 구리 배선의 상부 표면에 형성하는 무전해 도금 확산방지막의 성능을 개선시킬 수 있다. 구체적으로 구리 배선의 산화에 대한 저항성이 개선되고, 구리 배선과 확산방지막의 계면 사이의 특성을 개선하여 일렉트로마이그레이션(electromigration) 에 의한 배선의 손상을 최소화시킬 수 있다.
구리배선, 일렉트로마이그레이션, 산화, 무전해 도금, 코발트-
公开(公告)号：KR1020100082172A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：KR1020090001531
申请日：2009-01-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A copper wiring formation method is provided to perform electroplating or electroless plating directly on ruthenium film surface and to perform preprocessing using a chemical technique. CONSTITUTION: A copper wiring formation method comprises next steps. The oxide film on the anti-diffusion film formed in a substrate is eliminated using aqueous solution and copper ion is reduced on the anti-diffusion film. A copper layer is formed on the anti-diffusion film on which the copper ion has been reduced. The aqueous solution comprises copper salt, reducing agent, complexing agent, Ph controlling agent. The anti-diffusion film is formed from ruthenium. The copper layer is formed using electroplating or electroless plating. The copper salt is copper sulfate pentahydrate. The Ph controlling agent is NaOH, KOH, TMAH(Tetramethylammonium hydroxide) or H3BO3.
Abstract translation: 目的：提供一种铜布线形成方法，用于直接在钌膜表面进行电镀或化学镀，并使用化学技术进行预处理。 构成：铜布线形成方法包括以下步骤。 使用水溶液除去形成在基板中的防扩散膜上的氧化膜，并在抗扩散膜上减少铜离子。 在其上减少了铜离子的防扩散膜上形成铜层。 该水溶液包括铜盐，还原剂，络合剂，Ph控制剂。 抗扩散膜由钌形成。 使用电镀或无电镀形成铜层。 铜盐是五水合硫酸铜。 Ph控制剂为NaOH，KOH，TMAH（四甲基氢氧化铵）或H3BO3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120041289A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：KR1020100083085
申请日：2010-08-26
Applicant: 주식회사 케이씨 , 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A capping composition for post copper CMP(Chemical Mechanical Polishing) is provided to form a capping layer at the normal temperature and secure the uniformity of a capping layer. CONSTITUTION: A capping composition for post copper CMP comprises a cobalt compound of 0.01-1M, a complexing agent of 0.02-2, a borane reducing agent of 10mM-70M, and a borohydride reducing agent of 10mM-50mM. The cobalt compound is cobalt sulfate(CoSO4) or cobalt chloride(CoCl2) that dissolves in aqueous solution. The borane reducing agent is one or more selected from the group consisting of DMAB, TMAB, tBuNH2-BH3, THF-BH3, C5H5N-BH3, NH3-BH3, borane, diborane, a derivative thereof, a composite thereof, or a combination thereof.
Abstract translation: 目的：提供用于后铜CMP（化学机械抛光）的封盖组合物，以在常温下形成覆盖层并确保覆盖层的均匀性。 构成：用于后铜CMP的封端组合物包含0.01-1M的钴化合物，0.02-2的络合剂，10mM-70M的硼烷还原剂和10mM-50mM的硼氢化物还原剂。 钴化合物是溶解在水溶液中的硫酸钴（CoSO 4）或氯化钴（CoCl 2）。 硼烷还原剂是选自DMAB，TMAB，tBuNH2-BH3，THF-BH3，C5H5N-BH3，NH3-BH3，硼烷，乙硼烷，其衍生物，其复合物或其组合中的一种或多种 。
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公开(公告)号：KR101200137B1
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：KR1020100083085
申请日：2010-08-26
Applicant: 주식회사 케이씨 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 코발트 화합물 0.01 M 내지 1 M; 착화제 0.02 M 내지 2 M; 및 보란 환원제 10 mM 내지 70 mM을 포함하고, pH 11 내지 13인 구리 CMP 후 캡핑 조성물이 개시된다.
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公开(公告)号：KR101105088B1
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：KR1020090107548
申请日：2009-11-09
Applicant: 주식회사 케이씨 , 서울대학교산학협력단
IPC: C09K3/14
Abstract: 코발트 화합물 0.01 M 내지 1 M, 착화제 0.02 M 내지 2 M 및 적어도 2종 이상의 환원제 0.01 M 내지 0.11 M을 포함하고, pH 11 내지 13인 구리 CMP 후 캡핑 조성물이 개시된다.
Abstract translation: 公开了铜CMP后的封端组合物，其中含有0.01M至1M的钴化合物，0.02M至2M的络合剂和0.01M至0.11M的至少两种还原剂和pH11至13。
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公开(公告)号：KR101100084B1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：KR1020090001531
申请日：2009-01-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 구리배선 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 구리염과 환원제와 착물형성제와 pH 조절제를 포함하는 수용액으로 기판에 형성된 확산방지막 상의 산화막을 제거하고 확산방지막 상에 구리 이온을 환원시키는 단계와; 구리 이온이 환원된 확산방지막 상에 구리층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 얇고 연속적인 씨앗층 혹은 금속 박막을 루테늄과 같은 확산방지막 위에 형성할 수 있으므로, 씨앗층의 연속성 문제를 해결할 수 있고, (무)전해 도금을 루테늄 박막 표면에 직접 수행할 수 있으며, 화학적 방법을 이용해 전처리를 진행하므로 전해도금에 비해 대면적 기판에서의 공정에 활용도가 크다.
구리배선, 확산방지막, 전처리, 씨앗층, (무)전해 도금-
公开(公告)号：KR1020110050942A
公开(公告)日：2011-05-17
申请号：KR1020090107548
申请日：2009-11-09
Applicant: 주식회사 케이씨 , 서울대학교산학협력단
IPC: C09K3/14
Abstract: PURPOSE: A capping composition for post CU CMP(chemical mechanical polishing) is provided to form a capping layer at room temperature without separate temperature increase. CONSTITUTION: A capping composition for post CU CMP(chemical mechanical polishing) comprises 0.01-1 M of cobalt compound, 0.02-2 M of complexing agent, and 0.01-0.11 M of at least two kinds of reducing agents. A method for preparing copper wires comprises the steps of: performing chemical mechanical polishing of the copper surface in a copper wiring process; capping the chemical mechanical polished copper surface using the capping composition; and washing the copper surface with a washing solution.
Abstract translation: 目的：提供用于后CU CMP（化学机械抛光）的封盖组合物，以在室温下形成封盖层，而不需要单独的温度升高。 构成：用于后CMP（化学机械抛光）的封盖组合物包含0.01-1M的钴化合物，0.02-2M的络合剂和0.01-0.11M的至少两种还原剂。 一种制备铜线的方法包括以下步骤：在铜布线工艺中进行铜表面的化学机械抛光; 使用封盖组合物覆盖化学机械抛光铜表面; 并用洗涤液洗涤铜表面。
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