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公开(公告)号：WO2015141997A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/KR2015/002469
申请日：2015-03-13
Applicant: 주식회사 엘지화학 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , Y02T10/7011
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지를 제공하여 우수한 안전성을 나타내면서도 수명 특성 및 레이트 특성을 향상시킬 수 있다. Li[Li x M y M' (1-x-y) ]O 2-z A z (1) 상기 식에서, M은 Ru, Mo, Nb, Te, Re, Ir, Pt, Cr, S, W, Os, 및 Po으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이고; M'는 Ni, Ti, Co, Al, Mn, Fe, Mg, B, Cr, Zr, Zn 및 2주기 전이금속들로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이며; A는 -1 또는 -2가의 음이온이며; 0
Abstract translation: 本发明提供具有一种或多种选自化学式1的化合物的正极活性物质和包含该化合物的锂二次电池，其表现出优异的稳定性并且可以提高寿命和速率性能。 Li [LixMyM'（1-xy）] O 2 -zAz（1）其中M是选自Ru，Mo，Nb，Te，Re，Ir，Pt，Cr，S，W，Os中的一种或多种， 和宝; M'是选自Ni，Ti，Co，Al，Mn，Fe，Mg，B，Cr，Zr，Zn和第二时段过渡金属中的一种或多种; A是-1或-2带电的负离子; 0
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公开(公告)号：WO2020138982A1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：PCT/KR2019/018526
申请日：2019-12-26
Applicant: 한국생명공학연구원 , 한국과학기술연구원 , 서울대학교산학협력단
IPC: G01N33/68 , G01N33/551 , G01N27/30 , G01N27/407 , G01N33/12
Abstract: 본 발명은 그래핀 필름 및 상기 그래핀 필름에 고정화된 카다베린 후각 수용체를 포함하는 그래핀 채널 부재, 기판; 상기 그래핀 채널 부재; 및 한 쌍의 전극;을 포함하는 그래핀 트랜지스터, 및 이를 포함하는 바이오 센서에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2015137744A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/KR2015/002391
申请日：2015-03-12
Applicant: 주식회사 엘지화학 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/131 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/525 , C01G53/50 , C01G55/002 , C01P2006/40 , H01M4/131 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M2220/00 , Y02T10/7011
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지를 제공하여 우수한 안전성을 나타내면서도 수명 특성 및 레이트 특성을 향상시킬 수 있다. xLi 2 M y Mn (1-y) O 3-z A z *(1-x)LiM'O 2-z' A' z' (1) 상기 식에서, M은 Ru, Mo, Nb, Te, Re, Ir, Pt, Cr, S, W, Os, 및 Po으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이고; M'는 Ni, Ti, Co, Al, Mn, Fe, Mg, B, Cr, Zr, Zn 및 2주기 전이금속들로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이며; A 및 A'는 각각 독립적으로 -1 또는 -2가의 음이온이고; 0
Abstract translation: 本发明提供一种包含至少一种选自以下化学式1的化合物的阴极活性材料和包含该化合物的锂二次电池，从而提高寿命特性和速率特性，同时具有优异的安全性：xLi2MyMn（1-y）O3- zAz *（1-x）LiM'O2-z'A'z'（1）其中M为选自Ru，Mo，Nb，Te，Re，Ir，Pt，Cr，S， W，Os和Po; M'为选自Ni，Ti，Co，Al，Mn，Fe，Mg，B，Cr，Zr，Zn和周期II的过渡金属中的至少一种; A和A'各自独立地为负一价或二价阴离子; 0
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公开(公告)号：KR102210961B1
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：KR1020140007350
申请日：2014-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명의실시예에따른블록단위로소거되는불휘발성메모리장치의액세스방법은, 적어도하나의접근요청을수신하는단계, 상기접근요청을디코딩하여선택된메모리블록에대한접근바이어스레벨을정의하는접근모드를결정하는단계, 상기결정된접근모드에따라상기불휘발성메모리장치의접근바이어스레벨을조정하는단계, 그리고상기조정된접근바이어스레벨조건에서상기접근요청을수행하기위한명령어를상기불휘발성메모리장치에제공하는단계를포함하되, 상기선택된메모리블록은복수의소거모드에대응하는복수의소거전압셋들중 어느하나에의해서소거된메모리블록이고, 상기복수의소거전압셋들각각에의해서소거된메모리블록들은서로다른소거상태들을가지며, 서로다른유효소모값을할당받는다.
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公开(公告)号：KR1020150108761A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020150034721
申请日：2015-03-13
Applicant: 주식회사 엘지화학 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , Y02T10/7011
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지를 제공하여 우수한 안전성을 나타내면서도 수명 특성 및 레이트 특성을 향상시킬 수 있다.
Li[Li
x M
y M'
(1-xy) ]O
2-z A
z (1)
상기 식에서,
M은 Ru, Mo, Nb, Te, Re, Ir, Pt, Cr, S, W, Os, 및 Po으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이고;
M'는 Ni, Ti, Co, Al, Mn, Fe, Mg, B, Cr, Zr, Zn 및 2주기 전이금속들로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이며;
A는 -1 또는 -2가의 음이온이며;
0Abstract translation: 本发明提供具有选自化学式1的一种或多种化合物的正极活性物质和包含正极活性物质的锂二次电池，其表现出优异的稳定性并且可以提高寿命和速率性能。 Li [Li_xM_yM'_（1-x-y）] O_（2-z）A_z（1）。 在化学式1中，M是选自Ru，Mo，Nb，Te，Re，Ir，Pt，Cr，S，W，Os和Po中的一种或多种元素; M'是选自Ni，Ti，Co，Al，Mn，Fe，Mg，B，Cr，Zr，Zn和第二周期过渡金属中的一种或多种元素; A是-1或-2带电的负离子; 并且0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150106851A
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020150034294
申请日：2015-03-12
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 주식회사 엘지화학
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/131 , H01M10/052 , H01M2/10
CPC classification number: H01M4/525 , C01G53/50 , C01G55/002 , C01P2006/40 , H01M4/131 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M2220/00 , Y02T10/7011 , H01M2/1016 , H01M2220/20
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지를 제공하여 우수한 안전성을 나타내면서도 수명 특성 및 레이트 특성을 향상시킬 수 있다.
xLi
2 M
y Mn
(1-y) O
3-z A
z * (1-x) LiM'O
2-z' A'
z' (1)
상기 식에서,
M은 Ru, Mo, Nb, Te, Re, Ir, Pt, Cr, S, W, Os, 및 Po으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이고;
M'는 Ni, Ti, Co, Al, Mn, Fe, Mg, B, Cr, Zr, Zn 및 2주기 전이금속들로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이며;
A 및 A'는 각각 독립적으로 -1 또는 -2가의 음이온이고;
0Abstract translation: 本发明提供包含至少一种选自以下化学式1的化合物的阴极活性材料和包含该化合物的锂二次电池，从而提高寿命特性和速率特性，同时具有优异的安全性：xLi_2MyMn_（1-y）O_3- zA_z *（1-x）LiM'O_2-z'A_'z'（1）。 在式xLi2MyMn（1-y）O3-zAz *（1-x）LiM'O2-z'A'z'（1）中，M是选自Ru，Mo，Nb，Te ，Re，Ir，Pt，Cr，S，W，Os和Po; M'为选自Ni，Ti，Co，Al，Mn，Fe，Mg，B，Cr，Zr，Zn和周期II的过渡金属中的至少一种; A和A'各自独立地为负一价或负二价阴离子; 0
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公开(公告)号：KR101861184B1
公开(公告)日：2018-05-28
申请号：KR1020110113217
申请日：2011-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C16/349 , G06F13/1689
Abstract: 스토리지의동작성능조절방법및 그에따른반도체저장장치가개시된다. 스토리지의동작성능조절방법은, 현재주기에서인가된워크로드에따라스토리지가동작될때 상기스토리지의한 주기동안의평균데이터처리량을일단계산한다. 그리고, 상기계산된평균데이터처리량과상기스토리지의수명을일정기간보장하기위해미리설정된기준의평균데이터처리량이서로비교되고, 상기비교결과에따라다음주기에서상기스토리지의동작성능이조절된다. 본발명의실시예적인구성에따르면, 스토리지의동작성능이워크로드의변화에따라예측적으로조절되므로, 스토리지또는반도체저장장치의수명이미리정해진수명까지보장되거나증가된다.
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公开(公告)号：KR101637898B1
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020150034721
申请日：2015-03-13
Applicant: 주식회사 엘지화학 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , Y02T10/7011
Abstract: 본발명은하기화학식 1에서선택되는하나이상의화합물을포함하는것을특징으로하는양극활물질및 이를포함하는리튬이차전지를제공하여우수한안전성을나타내면서도수명특성및 레이트특성을향상시킬수 있다.Li[LiMM’]OA(1)상기식에서, M은 Ru, Mo, Nb, Te, Re, Ir, Pt, Cr, S, W, Os, 및 Po으로이루어진군에서선택되는 1종이상이고;M’는 Ni, Ti, Co, Al, Mn, Fe, Mg, B, Cr, Zr, Zn 및 2주기전이금속들로이루어진군에서선택되는 1종이상이며;A는 -1 또는 -2가의음이온이며;0
Abstract translation: 本文公开了一种正极活性物质，其包含选自下述通式1所示的化合物中的至少一种和包含该锂二次电池的锂二次电池，其能够提高寿命特性和速率特性，同时具有优异的安全性：Li [LixMyM'（1 - 氧）] O 2 -ZAz（1）其中M是选自Ru，Mo，Nb，Te，Re，Ir，Pt，Cr，S，W，Os和Po，M中的至少一种元素 '是选自由Ni，Ti，Co，Al，Mn，Fe，Mg，B，Cr，Zr，Zn和第二行过渡金属组成的组中的至少一种元素，A是负的一价或二价阴离子， 0
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公开(公告)号：KR1020150087008A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020140007357
申请日：2014-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F3/0652 , G06F3/0616 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/72
Abstract: 본발명의실시예에불휘발성메모리장치의소거방법은, 소거요청을수신하는단계, 메모리컨트롤러에의해서관리되는상기불휘발성메모리장치의접근조건을참조하여상기소거요청된메모리블록에대한소거모드를결정하는단계, 그리고상기결정된소거모드에따라상기메모리블록을소거하도록상기불휘발성메모리장치를제어하는단계를포함하되, 상기소거모드는상기메모리블록에대한소거시간이기준시간보다짧은고속소거모드와, 상기메모리블록에대한소거시간이기준시간보다긴 저속소거모드로구분된다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，非易失性存储装置中使用的消除方法包括以下步骤：接收消除请求; 通过参考由存储器控制器管理的非易失性存储器件的访问条件来确定被请求消除的存储块的消除模式; 以及非易失性存储器件，以根据确定的消除模式来消除存储块。 消除模式可以是具有比参考时间段短的存储块消除时间段的高速消除模式和具有比参考时间段长的存储块消除时间段的低速消除模式。
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公开(公告)号：KR102218735B1
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：KR1020140007357
申请日：2014-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G06F12/00
Abstract: 본발명의실시예에불휘발성메모리장치의소거방법은, 소거요청을수신하는단계, 메모리컨트롤러에의해서관리되는상기불휘발성메모리장치의접근조건을참조하여상기소거요청된메모리블록에대한소거모드를결정하는단계, 그리고상기결정된소거모드에따라상기메모리블록을소거하도록상기불휘발성메모리장치를제어하는단계를포함하되, 상기소거모드는상기메모리블록에대한소거시간이기준시간보다짧은고속소거모드와, 상기메모리블록에대한소거시간이기준시간보다긴 저속소거모드로구분된다.
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