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公开(公告)号：KR1020150015137A
公开(公告)日：2015-02-10
申请号：KR1020130090755
申请日：2013-07-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G06F9/45533 , G06F9/5077 , G06F17/10 , G06F2009/4557
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따르면, 각각이 적어도 하나의 코어를 갖는 복수개의 프로세서를 포함하는 컴퓨팅 장치에서의 가상머신 할당 방법에 있어서, 각 가상머신에 대한 간섭강도 및 간섭민감도를 계산하는 단계; 및 계산된 상기 간섭강도 및 간섭민감도에 기초하여, 간섭강도가 높은 가상머신과 간섭민감도가 낮은 가상머신을 동일한 프로세서에 할당하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가상머신 할당 방법을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供了一种用于在包括分别具有至少一个核心的多个处理器的计算设备中分配虚拟机的方法。 该方法包括以下步骤：计算每个虚拟机的干扰强度和干扰灵敏度; 并且基于所计算的干扰强度和干扰灵敏度，向相同的处理器分配具有高干扰强度的虚拟机和具有低干扰灵敏度的虚拟机。 因此，可以最小化计算设备的整体降级速率。
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公开(公告)号：KR101125227B1
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020090057036
申请日：2009-06-25
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 다중기포 음파발광을 이용한 칼코파이라이트계 입자의 제조 방법 및 상기 입자를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 유독성을 가지는 첨가제를 사용하지 않고, 온화한 조건에서 단시간 내에 나노크기의 균일한 칼코파이라이트계 입자를 효과적으로 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 방법에 의해 제조된 칼코파이라이트계 입자는, 예를 들면, 태양전지의 광흡수층에 적용되었을 때, 탁월한 효과를 나타낼 수 있다.
칼코파이라이트계 입자, 다중기포 음파발광, 열처리, 태양전지, 광흡수층-
公开(公告)号：KR1020100094900A
公开(公告)日：2010-08-27
申请号：KR1020090014090
申请日：2009-02-19
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a metal oxide nanoparticle and a lithium nanoparticle is provided to use a MBSL(multi-bubble sonoluminescence) to uniformly manufacture the nanoparticle in a short time. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal oxide nanoparticle comprises the following steps: maintaining the multi-bubble sonoluminescence condition of a reaction system including a metal compound and a base within a solvent; and reacting the metal compound and the base. A manufacturing method of a lithium nanoparticle comprises a step of maintaining the multi-bubble sonoluminescence condition of a reaction system including a metal oxide nanoparticle and a lithium compound within a solvent, and reacting the metal oxide nanoparticle and the lithium compound.
Abstract translation: 目的：提供金属氧化物纳米颗粒和锂纳米颗粒的制造方法，以在短时间内使用MBSL（多气泡声发光）均匀地制造纳米颗粒。 构成：金属氧化物纳米颗粒的制造方法包括以下步骤：在溶剂中维持包括金属化合物和碱的反应体系的多气泡声发光条件; 并使金属化合物和碱反应。 锂纳米颗粒的制造方法包括在溶剂中维持包括金属氧化物纳米粒子和锂化合物的反应体系的多气泡声发光条件，使金属氧化物纳米粒子和锂化合物反应的工序。
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公开(公告)号：KR101502225B1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130090755
申请日：2013-07-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따르면, 각각이 적어도 하나의 코어를 갖는 복수개의 프로세서를 포함하는 컴퓨팅 장치에서의 가상머신 할당 방법에 있어서, 각 가상머신에 대한 간섭강도 및 간섭민감도를 계산하는 단계; 및 계산된 상기 간섭강도 및 간섭민감도에 기초하여, 간섭강도가 높은 가상머신과 간섭민감도가 낮은 가상머신을 동일한 프로세서에 할당하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가상머신 할당 방법을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101125226B1
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：KR1020090014090
申请日：2009-02-19
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 금속 산화물 및 리튬계 나노입자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 다중기포 음파발광을 이용하여 목적하는 크기의 균일한 나노입자를 온화한 조건 하에서 단시간 안에 제조할 수 있으며, 또한 이와 같이 제조된 나노입자 상에 또 다른 나노물질의 균일한 코팅층을 효율적으로 형성할 수 있다는 이점이 있다. 이에 따라 본 발명에서는 금속 산화물 나노입자 또는 리튬계 나노입자를 효과적으로 제조할 수 있으며, 이러한 제조 방법은 높은 재현성을 가지고, 또한 추가적인 첨가제 등의 사용도 불필요하다는 이점을 가진다.
다중기포 음파발광, 초음파, 금속 산화물 나노입자, 리튬계 나노입자, 화학전지-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100037320A
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020080096584
申请日：2008-10-01
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a highly pure CuInSe2 thin film and a CuInSe2 thin film for a solar cell manufactured by the same are provided to manufacture a thin film which has a fixed composition ratio despite evaporation under an argon state and a vacuum. CONSTITUTION: A manufacturing method of a highly pure CuInSe2 thin film comprises following steps. A copper foil is formed on a substrate by depositing asymmetry copper precursor under an argon state and a vacuum through a chemical vapor deposition process. The asymmetry copper precursor including indium-selenium is continuously deposited under a mild condition of 350~450°C temperature in the argon state and a vacuum. The continuous deposition process is enabled over 40 minutes.
Abstract translation: 目的：提供一种高纯度CuInSe 2薄膜和由其制造的太阳能电池用CuInSe 2薄膜的制造方法，以制造即使在氩气和真空下蒸发也具有固定组成比的薄膜。 构成：高纯度CuInSe 2薄膜的制造方法包括以下步骤。 通过在氩气状态和真空下通过化学气相沉积工艺沉积不对称铜前体，在基底上形成铜箔。 包括铟硒在内的不对称铜前体在350〜450℃的温度条件下在氩气和真空下连续沉积。 连续沉积工艺可在40分钟以上使用。
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7.发明公开동적 전압 및 주파수 스케일링(DVFS)에 따른 컴퓨터 프로세서의 성능 변화 예측 방법 및 이를 이용한 프로세서 동작속도 조절 방법 有权使用该方法预测计算机处理器性能的方法和调整频率的方法
公开(公告)号：KR1020150009823A
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020130084229
申请日：2013-07-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G06F17/14
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따르면, 동적 전압 및 주파수 스케일링(DVFS)에 따른 컴퓨터 프로세서의 성능 변화 예측 방법에 있어서, 프로세서 동작속도(f)에서의 멈춤상태 시간(T
stall (f))을 산출하는 단계; 및 상기 멈춤상태 시간에 기초하여 총 실행시간(T
total (f))을 산출하는 단계;를 포함하고, 상기 멈춤상태 시간(T
stall (f))은 컴퓨터의 주기억장치로부터 응답이 돌아올 때까지 상기 프로세서의 계산동작을 멈추는 시간인 것을 특징으로 하는 프로세서 성능 변화 예측 방법을 개시한다.Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，一种用于根据动态电压和频率缩放（DVFS）预测计算机处理器的性能变化的方法包括以下步骤：计算所述停止状态时间（T_stall（f）） 处理器运行速度（f）; 以及基于所计算的停止状态时间计算总运行时间（T_total（f）），其中停止状态时间（T_stall（f））是当处理器的计算操作停止直到响应从 一台电脑的主内存
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8.发明授权동적 전압 및 주파수 스케일링(DVFS)에 따른 컴퓨터 프로세서의 성능 변화 예측 방법 및 이를 이용한 프로세서 동작속도 조절 방법 有权DVFS使用该方法预测计算机处理器性能的方法和调整频率的方法
公开(公告)号：KR101543074B1
公开(公告)日：2015-08-10
申请号：KR1020130084229
申请日：2013-07-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명의일 실시예에따르면, 동적전압및 주파수스케일링(DVFS)에따른컴퓨터프로세서의성능변화예측방법에있어서, 프로세서동작속도(f)에서의멈춤상태시간(T(f))을산출하는단계; 및상기멈춤상태시간에기초하여총 실행시간(T(f))을산출하는단계;를포함하고, 상기멈춤상태시간(T(f))은컴퓨터의주기억장치로부터응답이돌아올때까지상기프로세서의계산동작을멈추는시간인것을특징으로하는프로세서성능변화예측방법을개시한다.
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公开(公告)号：KR101062398B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020080096584
申请日：2008-10-01
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체를 화학증기증착법으로 증착하여 기판 상에 구리 박막을 제조한 후, 상기 구리 박막이 형성된 기판에 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체를 온화한 온도 및 시간 조건 하에서 연속 증착하여, 구리: 인듐: 셀레늄의 비율이 1:1:2를 충족하는 단일상의 고순도 CuInSe
2 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 CuInSe
2 박막에 관한 것이다.
본 발명의 제조방법은 비대칭 전구체를 이용하고 화학증기증착법으로 증착함으로써, 종래보다 상대적으로 낮은 온도 및 단축된 시간 내에 조성의 변화 없이 일정하고, 불순물의 유입없이 고순도의 CuInSe
2 박막을 제조할 수 있으며, 제조된 고순도의 CuInSe
2 박막은 태양전지의 광흡수 박막층, 양자점 또는 LED 박막분야에 유용하게 적용될 수 있다. 나아가, 본 발명의 고순도의 CuInSe
2 박막은 초박막 광흡수층 태양전지(Extremely Thin Absorber layer Solar cells, ETA Solar Cells) 분야에 활용할 수 있다.
화학증기증착법, 비대칭 구리전구체, 인듐, 셀레늄, 태양전지소자-
公开(公告)号：KR1020100138483A
公开(公告)日：2010-12-31
申请号：KR1020090057036
申请日：2009-06-25
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A producing method of a chalcopyrite particle, and a solar battery including thereof are provided to effectively produce the nano-sized chalcopyrite particle without using a toxic additive. CONSTITUTION: A producing method of a chalcopyrite particle comprises the following steps: reacting a copper particle(1), an aluminum family element, and a chalcogen compound, by maintaining a reactor in a multi-bubble sonoluminescence state; and heat-processing the obtained reactant. The multi-bubble sonoluminescence state is formed by maintaining the temperature of 10~50deg C and the pressure of 1~4atm, and applying an ultrasonic wave.
Abstract translation: 目的：提供黄铜矿颗粒的制造方法以及包含其的太阳能电池，以有效地制造纳米级黄铜矿颗粒而不使用有毒添加剂。 构成：黄铜矿颗粒的制备方法包括以下步骤：通过将反应器保持在多气泡声发光状态使铜颗粒（1），铝族元素和硫属化合物反应; 并对所得到的反应物进行热处理。 通过保持10〜50℃的温度和1〜4atm的压力，并施加超声波形成多气泡发声状态。
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