公开(公告)号：WO2013129746A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/KR2012/006823

申请日：2012-08-27

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  심일운 ,  박종필 ,  송미연 ,  정원목

Inventor： 심일운 ,  박종필 ,  송미연 ,  정원목

IPC: C07F7/22 ,  H01L31/042 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F7/2268 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628

Abstract: 본 발명은, 중심 원자 Sn; 중심 원자에 공유결합된 제1 원소군; 중심 원자에 배위결합된 제2 원소군을 포함하며, 제1 원소군은 S이고, 제2 원소권은 S 및 N으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이고, 제1 원소군에 속하는 원자는 아래의 조건 (1) 또는 (2)를 만족하고, (1) 제1 원소군에 속하는 원자끼리 연결되어 고리 구조를 형성하거나, (2) 제1 원소군에 속하는 원자와 제2 원소군에 속하는 원자가 연결되어 고리 구조를 형성하고, 제1 원소군과 제2 원소군에 속하는 원자는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환되는 황화주석 전구체, 상기 전구체를 이용하여 제조한 박막에 관한 것으로, 고순도의 황화주석 박막을 형성할 수 있고, 제조된 박막은 다양한 전자재료로 활용 가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及硫化锡前体和使用前体制备的薄膜，硫化锡前体包含：Sn，中心原子; 与中心原子共价键合的第一个原子基团; 和与中心原子共价键合的第二原子团，其中第一原子团为S，第二原子团为选自S和N的一个或多个基团，属于第一个原子基团的原子满足 条件（1）或（2），其中（1）属于第一原子团的原子彼此连接形成环状结构，或（2）属于第一原子的原子和属于 第二原子团彼此连接形成环状结构，属于第一原子团和第二原子基团的原子与C1-C4烷基独立地取代或未取代。 可以制备高纯度硫化锡薄膜，制备的薄膜可用作各种电子材料。

公开(公告)号：KR101125227B1

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020090057036

申请日：2009-06-25

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 심일운 ,  곽호영 ,  옥강민 ,  정한철 ,  강기문 ,  박재영 ,  김신규 ,  박종필

IPC: C01G3/00 ,  C01G15/00 ,  C01B19/00 ,  B01J19/10

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 다중기포 음파발광을 이용한 칼코파이라이트계 입자의 제조 방법 및 상기 입자를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 유독성을 가지는 첨가제를 사용하지 않고, 온화한 조건에서 단시간 내에 나노크기의 균일한 칼코파이라이트계 입자를 효과적으로 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 방법에 의해 제조된 칼코파이라이트계 입자는, 예를 들면, 태양전지의 광흡수층에 적용되었을 때, 탁월한 효과를 나타낼 수 있다.
칼코파이라이트계 입자, 다중기포 음파발광, 열처리, 태양전지, 광흡수층

公开(公告)号：KR1020100094900A

公开(公告)日：2010-08-27

申请号：KR1020090014090

申请日：2009-02-19

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 심일운 ,  곽호영 ,  옥강민 ,  박종필 ,  김신규 ,  박재영 ,  김하나 ,  한소영

IPC: C01G45/02 ,  C01G51/04 ,  B01J19/10 ,  B82B3/00

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a metal oxide nanoparticle and a lithium nanoparticle is provided to use a MBSL(multi-bubble sonoluminescence) to uniformly manufacture the nanoparticle in a short time. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal oxide nanoparticle comprises the following steps: maintaining the multi-bubble sonoluminescence condition of a reaction system including a metal compound and a base within a solvent; and reacting the metal compound and the base. A manufacturing method of a lithium nanoparticle comprises a step of maintaining the multi-bubble sonoluminescence condition of a reaction system including a metal oxide nanoparticle and a lithium compound within a solvent, and reacting the metal oxide nanoparticle and the lithium compound.

Abstract translation: 目的：提供金属氧化物纳米颗粒和锂纳米颗粒的制造方法，以在短时间内使用MBSL（多气泡声发光）均匀地制造纳米颗粒。 构成：金属氧化物纳米颗粒的制造方法包括以下步骤：在溶剂中维持包括金属化合物和碱的反应体系的多气泡声发光条件; 并使金属化合物和碱反应。 锂纳米颗粒的制造方法包括在溶剂中维持包括金属氧化物纳米粒子和锂化合物的反应体系的多气泡声发光条件，使金属氧化物纳米粒子和锂化合物反应的工序。

公开(公告)号：KR101062398B1

公开(公告)日：2011-09-05

申请号：KR1020080096584

申请日：2008-10-01

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 심일운 ,  옥강민 ,  박종필 ,  김신규

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명은 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체를 화학증기증착법으로 증착하여 기판 상에 구리 박막을 제조한 후, 상기 구리 박막이 형성된 기판에 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체를 온화한 온도 및 시간 조건 하에서 연속 증착하여, 구리: 인듐: 셀레늄의 비율이 1:1:2를 충족하는 단일상의 고순도 CuInSe
2 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 CuInSe
2 박막에 관한 것이다.
본 발명의 제조방법은 비대칭 전구체를 이용하고 화학증기증착법으로 증착함으로써, 종래보다 상대적으로 낮은 온도 및 단축된 시간 내에 조성의 변화 없이 일정하고, 불순물의 유입없이 고순도의 CuInSe
2 박막을 제조할 수 있으며, 제조된 고순도의 CuInSe
2 박막은 태양전지의 광흡수 박막층, 양자점 또는 LED 박막분야에 유용하게 적용될 수 있다. 나아가, 본 발명의 고순도의 CuInSe
2 박막은 초박막 광흡수층 태양전지(Extremely Thin Absorber layer Solar cells, ETA Solar Cells) 분야에 활용할 수 있다.
화학증기증착법, 비대칭 구리전구체, 인듐, 셀레늄, 태양전지소자

公开(公告)号：KR1020100138483A

公开(公告)日：2010-12-31

申请号：KR1020090057036

申请日：2009-06-25

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 심일운 ,  곽호영 ,  옥강민 ,  정한철 ,  강기문 ,  박재영 ,  김신규 ,  박종필

IPC: C01G3/00 ,  C01G15/00 ,  C01B19/00 ,  B01J19/10

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A producing method of a chalcopyrite particle, and a solar battery including thereof are provided to effectively produce the nano-sized chalcopyrite particle without using a toxic additive. CONSTITUTION: A producing method of a chalcopyrite particle comprises the following steps: reacting a copper particle(1), an aluminum family element, and a chalcogen compound, by maintaining a reactor in a multi-bubble sonoluminescence state; and heat-processing the obtained reactant. The multi-bubble sonoluminescence state is formed by maintaining the temperature of 10~50deg C and the pressure of 1~4atm, and applying an ultrasonic wave.

Abstract translation: 目的：提供黄铜矿颗粒的制造方法以及包含其的太阳能电池，以有效地制造纳米级黄铜矿颗粒而不使用有毒添加剂。 构成：黄铜矿颗粒的制备方法包括以下步骤：通过将反应器保持在多气泡声发光状态使铜颗粒（1），铝族元素和硫属化合物反应; 并对所得到的反应物进行热处理。 通过保持10〜50℃的温度和1〜4atm的压力，并施加超声波形成多气泡发声状态。

公开(公告)号：KR101125226B1

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：KR1020090014090

申请日：2009-02-19

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 심일운 ,  곽호영 ,  옥강민 ,  박종필 ,  김신규 ,  박재영 ,  김하나 ,  한소영

IPC: C01G45/02 ,  C01G51/04 ,  B01J19/10 ,  B82B3/00

Abstract: 본 발명은 금속 산화물 및 리튬계 나노입자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 다중기포 음파발광을 이용하여 목적하는 크기의 균일한 나노입자를 온화한 조건 하에서 단시간 안에 제조할 수 있으며, 또한 이와 같이 제조된 나노입자 상에 또 다른 나노물질의 균일한 코팅층을 효율적으로 형성할 수 있다는 이점이 있다. 이에 따라 본 발명에서는 금속 산화물 나노입자 또는 리튬계 나노입자를 효과적으로 제조할 수 있으며, 이러한 제조 방법은 높은 재현성을 가지고, 또한 추가적인 첨가제 등의 사용도 불필요하다는 이점을 가진다.
다중기포 음파발광, 초음파, 금속 산화물 나노입자, 리튬계 나노입자, 화학전지

公开(公告)号：KR1020100037320A

公开(公告)日：2010-04-09

申请号：KR1020080096584

申请日：2008-10-01

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 심일운 ,  옥강민 ,  박종필 ,  김신규

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/52

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a highly pure CuInSe2 thin film and a CuInSe2 thin film for a solar cell manufactured by the same are provided to manufacture a thin film which has a fixed composition ratio despite evaporation under an argon state and a vacuum. CONSTITUTION: A manufacturing method of a highly pure CuInSe2 thin film comprises following steps. A copper foil is formed on a substrate by depositing asymmetry copper precursor under an argon state and a vacuum through a chemical vapor deposition process. The asymmetry copper precursor including indium-selenium is continuously deposited under a mild condition of 350~450°C temperature in the argon state and a vacuum. The continuous deposition process is enabled over 40 minutes.

Abstract translation: 目的：提供一种高纯度CuInSe 2薄膜和由其制造的太阳能电池用CuInSe 2薄膜的制造方法，以制造即使在氩气和真空下蒸发也具有固定组成比的薄膜。 构成：高纯度CuInSe 2薄膜的制造方法包括以下步骤。 通过在氩气状态和真空下通过化学气相沉积工艺沉积不对称铜前体，在基底上形成铜箔。 包括铟硒在内的不对称铜前体在350〜450℃的温度条件下在氩气和真空下连续沉积。 连续沉积工艺可在40分钟以上使用。

公开(公告)号：KR101212015B1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：KR1020110034610

申请日：2011-04-14

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  박종필 ,  황차환 ,  송미연

IPC: H01L21/20

Abstract: 본발명은다중기포음파발광조건에서초음파발광법을이용하여 II 내지 VI 족반도체양자점또는나노입자를제조하는방법및 상기양자점또는나노입자의크기를제어하는방법에관한것으로, 다중기포음파발광조건에서초음파발광법을이용하여어떠한전처리및/또는고온조건없이편리하고간단한원팟반응을통해고 수율의 II 내지 VI 족화합물의양자점을제조할수 있다. 또한, 상기양자점을소성하여나노입자로전환시킬수 있다. 아울러, 상기초음파처리조건또는소성조건을제어하여상기양자점또는나노입자의크기를제어하는효과가있다.

公开(公告)号：KR100789064B1

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：KR1020060066427

申请日：2006-07-14

Applicant: 중앙대학교 산학협력단 ,  삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 심일운 ,  이승수 ,  서국원 ,  박종필

IPC: C23C16/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  C23C16/305 ,  Y02E10/541

Abstract: A method of manufacturing a CuInS2 thin film by metal organic chemical vapor deposition and a CuInS2 thin film manufactured by the method are provided to achieve high purity and desired composition of CuInS2 thin film, a method of manufacturing an In2S3 thin film by additionally depositing a precursor comprising In-S onto the CuInS2 thin film manufactured is provided. A method of manufacturing a CuInS2 thin film comprises steps of: depositing a copper precursor of an asymmetrical structure selected from copper ethylbutyrylacetate and copper ethylisobutyrylacetate onto a substrate by metal organic chemical vapor deposition to manufacture a copper thin film; and depositing a precursor comprising In-S onto the copper thin film by metal organic chemical vapor deposition. The manufacturing method further comprises a heat treatment process after the second step. A CuInS2 thin film manufactured by the manufacturing method has a band gap of 1.4 1.6 eV. A method of manufacturing an In2S3 thin film comprises heat-treating the CuInS2 thin film at 350 to 450 deg.C for 60 to 180 minutes, and additionally depositing a precursor comprising In-S onto the heat-treated In2S3 thin film by metal organic chemical vapor deposition.

Abstract translation: 提供了通过金属有机化学气相沉积制造CuInS 2薄膜的方法和通过该方法制造的CuInS 2薄膜，以实现CuInS 2薄膜的高纯度和期望组成，通过另外沉积前体制备In 2 S 3薄膜的方法 提供了在制造的CuInS 2薄膜上的In-S。 制造CuInS 2薄膜的方法包括以下步骤：通过金属有机化学气相沉积将选自乙基丁酰乙酸铜和乙基异丁酰乙酸铜的不对称结构的铜前体沉积在基底上，制造铜薄膜; 以及通过金属有机化学气相沉积将包含In-S的前体沉积到铜薄膜上。 制造方法还包括在第二步骤之后的热处理过程。 通过该制造方法制造的CuInS 2薄膜的带隙为1.4±1.6eV。 制造In2S3薄膜的方法包括在350至450℃下对CuInS 2薄膜进行热处理60至180分钟，并且通过金属有机化学品另外将包含In-S的前体沉积到经热处理的In 2 S 3薄膜上 气相沉积。

公开(公告)号：KR1020130097904A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020120019547

申请日：2012-02-27

Applicant: 중앙대학교 산학협력단

Inventor： 심일운 ,  박종필 ,  송미연 ,  정원목

IPC: C07F7/22 ,  C23C16/06 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C07F7/2284 ,  C23C16/305 ,  H01L31/0392

Abstract: PURPOSE: A tin sulfide thin film containing a precursor is provided to obtain a high purity tin sulfide thin film of a single phase through chemical vapor deposition. CONSTITUTION: A precursor for forming a tin sulfide thin film contains a structure of chemical formula 1. The precursor is an asymmetric structure. A method for manufacturing the thin film comprises the step of forming the thin film through deposition of the precursor. The deposition is a chemical vapor deposition.

Abstract translation: 目的：提供含有前体的硫化锡薄膜，以通过化学气相沉积获得单相的高纯度硫化锡薄膜。 构成：用于形成锡硫化物薄膜的前体包含化学式1的结构。前体是不对称结构。 制造薄膜的方法包括通过沉积前体形成薄膜的步骤。 沉积是化学气相沉积。