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公开(公告)号：KR102225969B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020140083814A
申请日：2014-07-04
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G02B5/223 , C09B57/10 , G02B1/04 , G02F1/133514 , G03F7/0007
Abstract: 본 발명은 녹색 염료를 포함하여 이루어지고, 상기 녹색 염료는 하기 화학식 1:
화학식 1
(상기 화학식 1에서, 상기 M은 Zn, Cu, Ni, Co, Fe 및 Al으로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 R1 내지 R12는 각각 개별적으로 F, Cl, Br, 및 I으로 이루어진 군에서 선택된 할로겐기이고, 상기 R13 내지 R24는 각각 개별적으로 수소 또는 C
1 ~C
20 의 알킬기로 이루어짐)
로 표현되는 화합물로 이루어진 컬러 필터 및 그를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR102225981B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020140083821A
申请日：2014-07-04
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: C09B47/18 , G02B5/20 , G02F1/1335
CPC classification number: C09B47/18 , G02B5/20 , G02F1/133514
Abstract: 본 발명은 녹색 염료를 포함하여 이루어지고, 상기 녹색 염료는 하기 화학식 1:
화학식 1
(상기 화학식 1에서, 상기 M은 Zn, Cu, Ni, Co, Fe 및 Al으로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 R1 내지 R16은 각각 개별적으로 수소 또는 C
1 ~C
20 의 알킬기로 이루어짐)
로 표현되는 화합물로 이루어진 컬러 필터 및 그를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.-
公开(公告)号：WO2021020695A2
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：PCT/KR2020/005608
申请日：2020-04-28
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는, 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 비페로브스카이트계 양자점 또는 비페로브스카이트계 형광체를 동시에 포함하는 하이브리드 파장변환체 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 하이브리드 파장변환체는 분산매질 내에 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 비페로브스카이트계 양자점 또는 비페로브스카이트계 형광체를 동시에 포함함으로써 단일 여기광에 의해서 적색광과 녹색광으로 동시에 파장 변환이 가능하고, 기존의 양자점 파장변환체에 비해 낮은 카드뮴 함량으로도 발광 파장대의 변화 없이 광학적으로 안정하고 색순도 및 발광성능이 향상될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020184825A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/KR2019/018760
申请日：2019-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 상기 발광층은 제1 발광물질층과 제2 발광물질층이 교대로 배치되어 두 층 이상의 적층구조를 갖는 발광층을 포함하는 발광 소자에 관한 것으로, 상기 발광물질층은 페로브스카이트층 또는 유기물층으로, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제2 발광물질층은 서로 다른 밴드갭(band gap)을 갖는 것을 특징으로 한다. 제1 발광물질층과 제2 발광물질층을 교대로 배치하여 적층구조를 가짐으로써, 에너지 준위를 제어함으로써 발광 소자의 전자-정공 재조합 구역을 조절하여 전기발광 효율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다. 또한, 제1 발광물질층과 제2 발광물질층의 에너지 준위를 제어함으로써 백색 발광소자를 제작할수 있다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：WO2021125412A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：PCT/KR2019/018289
申请日：2019-12-23
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 결점이 제어된 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 물질, 이를 포함하는 파장 변환체 및 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 페로브스카이트 결정 내부에 포함된 중형의 1가 유기 양이온(A2)은 엔트로피적 효과로 인해 페로브스카이트 결정을 안정화시키고 결정 내부의 결점의 생성을 억제할 수 있으며, 페로브스카이트 결정 내부에 포함되지 못한 과량의 A2 양이온은 페로브스카이트 나노결정입자를 둘러싸는 형태의 구조를 형성하여 페로브스카이트 나노결정입자의 표면에서 생성되는 결점을 페시베이션함으로써, 광발광 양자효율, 발광 수명 및 안정성을 향상시키므로, 발광 소자의 발광층 또는 파장변환층에 유용하게 사용될 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2016088942A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/KR2015/002563
申请日：2015-03-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G06F17/00
CPC classification number: G06N7/005 , G06F17/18 , G06F17/3053 , G06N99/005
Abstract: 본 발명은 쌍별 비교 데이터를 이용한 다중랭킹 추정 방법 및 장치에 관한 것으로, 일 실시예에 따르면, 쌍별 비교 데이터에 관한 정보를 입력데이터로서 입력하는 단계; 및 상기 입력데이터에 기초하여 다중랭킹 데이터를 생성하는 단계;를 포함하고, 상기 입력데이터는, 복수의 응답자의 집합, 복수개의 아이템의 집합, 및 복수개의 아이템에 대한 복수개의 쌍별 비교 데이터의 집합을 포함하고, 상기 복수개의 쌍별 비교 데이터의 각각의 쌍별 비교 데이터는, 복수개의 판단기준 중 하나의 판단기준에 따라 두 개의 아이템 간의 선호도를 판단한 데이터인 것을 특징으로 하는 다중랭캥 추정 방법 및 이를 수행하는 장치를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用成对比较数据估计多重排序的方法和装置，根据一个实施例的方法包括以下步骤：输入成对比较数据作为输入的信息; 以及基于所述输入数据生成多级数据，其中所述输入数据包括多个受访者的集合，多个项目的集合以及所述多个项目的多个成对比较数据的集合 并且多个相同的成对比较数据的每个项目是指示从多个评估准则中根据评估标准确定的两个项目之间的偏好的数据。
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公开(公告)号：WO2020213814A1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：PCT/KR2019/018761
申请日：2019-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 페로브스카이트 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 페로브스카이트 박막 상에 패시베이션 층을 형성하여 상기 페로브스카이트 박막의 결함을 감소시킨 페로브스카이트 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 페로브스카이트 발광 소자 내의 패시베이션 층은 페로브스카이트 박막의 상부에 형성되어 페로브스카이트 나노결정입자의 결함을 제거해 주고 소자 내에서의 전하 불균형을 해소함으로써, 페로브스카이트 박막을 포함하는 발광 소자의 최대 효율 및 최대 휘도를 향상시킨다.
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公开(公告)号：KR102198069B1
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：KR1020160071197
申请日：2016-06-08
Applicant: 한국조선해양 주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은병렬식가스압축기시스템에관한것으로서, 보다구체적으로는가스압축기의서지현상발생시빠른시간내에정상의상태로회복할수 있도록운전의안정성을향상시킨병렬식가스압축기시스템에관한것이다. 이를위해, 복수개의가스압축기가병렬구조로이루어진병렬식가스압축기시스템에있어서, 각각의개별적인가스압축기는, 가스가유입되는흡입관에설치되고흡입관으로흡입되어이송된가스의유량을제어하기위한흡입밸브를포함하는흡입부; 상기흡입부에서이송되는가스를압축하기위한압축부; 상기압축부에서이송된가스를가스수요처로배출하기위한배출부; 가스압축기에서서지현상발생시 가스압력을재순환시켜정상압력을유지하도록하여서지현상으로부터회복시키기위한안티서지부; 상기배출부를통해배출되어수요처로이송되는가스의압력을측정후 수요처에서요구하는요구압력과비교하여압력값을보상하기위해제어하는압력보상부; 및상기압축부를거쳐토출되는토출유량을측정하여토출유량을제어하는유량제어부;를포함하는병렬식가스압축기시스템을제공한다.
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公开(公告)号：KR102122404B1
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：KR1020130143799
申请日：2013-11-25
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: C09B47/18 , C09B47/08 , G02B5/22 , G02F1/1335 , G02B1/04 , G02F1/13357
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