公开(公告)号：WO2021125412A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/KR2019/018289

申请日：2019-12-23

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이태우 ,  김주성 ,  김성진 ,  허정민 ,  김영훈 ,  박진우

IPC: C09K11/08 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 본 발명은 결점이 제어된 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 물질, 이를 포함하는 파장 변환체 및 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 페로브스카이트 결정 내부에 포함된 중형의 1가 유기 양이온(A2)은 엔트로피적 효과로 인해 페로브스카이트 결정을 안정화시키고 결정 내부의 결점의 생성을 억제할 수 있으며, 페로브스카이트 결정 내부에 포함되지 못한 과량의 A2 양이온은 페로브스카이트 나노결정입자를 둘러싸는 형태의 구조를 형성하여 페로브스카이트 나노결정입자의 표면에서 생성되는 결점을 페시베이션함으로써, 광발광 양자효율, 발광 수명 및 안정성을 향상시키므로, 발광 소자의 발광층 또는 파장변환층에 유용하게 사용될 수 있다.