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公开(公告)号：WO2014133295A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/KR2014/001502
申请日：2014-02-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/403 , G01N27/407 , G01N27/416
CPC classification number: G01N27/4141
Abstract: 본 발명은 3차원 핀펫형 가스 감지소자에 관한 것으로, 수평 방향으로 형성된 플로팅 전극 구조를 가짐으로써, 종래 수직방향으로 적층된 플로팅 전극, 감지물질층, 제어 전극을 갖는 가스 감지소자에 비해 잡음감소, 공정단순화, 오염방지, 감지속도개선, 다양한 감지물질 적용 가능, 기계적 안정성 등의 장점을 갖고, 다양한 감지 기작으로 동작하는 복수 개의 가스 감지소자를 하나의 기판에 쉽게 구현할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及三维FinFET型气体感测装置。 由于具有在水平方向上形成的浮动电极结构，与具有在垂直方向上堆叠的浮置电极，感测材料层和控制电极的常规气体感测装置相比，三维FinFET型 根据本发明的气体感测装置具有减少噪声，简化工艺，防止污染，提高感测速度，应用各种感测材料，实现机械稳定性等优点。 气体感测装置具有容易地实现在一个基板上在各种感测机构中操作的多个气体感测装置的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130052528A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020120126853
申请日：2012-11-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4143
Abstract: PURPOSE: A FET(Field-Effect Transistor) type gas sensing device with a lateral floating gate is provided to reduce reaction time remarkably as reaction gas is vertically penetrated into or absorbed to or attached/detached to/from a sensing material layer. CONSTITUTION: A FET type gas sensing device with a lateral floating gate comprises a semiconductor substrate, a semiconductor body, an isolated insulating layer, a gate insulating layer, a floating electrode(3), a control electrode(2), a sensing material layer(6), a source, and a drain region(5a). The semiconductor substrate is formed to be protruded in the semiconductor substrate. The isolated insulating layer is formed on the lateral surface of the semiconductor body or on the semiconductor substrate. The gate insulating layer is formed on the semiconductor substrate. The floating electrode is formed on the gate insulating layer and the isolated insulating layer. The control electrode faces at least one surface of the floating electrode, is separated in a horizontal direction and formed on the isolated insulating layer. The sensing material layer is formed between the control electrode and the floating electrode.
Abstract translation: 目的：提供具有侧向浮动栅极的FET（场效应晶体管）型气体感测装置，用于当反应气体垂直地穿透或从感测材料层吸收或附着/分离到感测材料层上时，显着地减少反应时间。 构造：具有横向浮动栅极的FET型气体感测装置包括半导体衬底，半导体本体，隔离绝缘层，栅极绝缘层，浮动电极（3），控制电极（2），感测材料层 （6），源极和漏极区域（5a）。 半导体衬底形成为在半导体衬底中突出。 隔离绝缘层形成在半导体本体的侧表面或半导体衬底上。 栅极绝缘层形成在半导体衬底上。 浮置电极形成在栅极绝缘层和隔离绝缘层上。 控制电极面对浮动电极的至少一个表面，在水平方向上分离并形成在隔离的绝缘层上。 感测材料层形成在控制电极和浮动电极之间。
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公开(公告)号：KR101489177B1
公开(公告)日：2015-02-09
申请号：KR1020130167591
申请日：2013-12-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/223 , Y02E10/28 , F03B13/264 , F03B3/145 , F05B2220/706
Abstract: 본 발명의 일실시예에 따른 플랩타입의 조류발전장치(100)는, 조류(F)가 빠르게 흐르는 바다에 바디부(110)를 설치하고, 상기 바디부(110)의 일측에 슬라이드부(120)를 결합ㆍ장착하여, 상기 슬라이드부(120)에 연결되는 블레이드부(140)에 대하여, 공급되는 조류(F)로부터 효율적으로 전기를 생산할 수 있도록, 최적의 각도를 유지하도록 블레이드부(140)의 블레이드(141)의 받음각을 설정할 수 있도록 받음각설정부(130)을 구비함으로써, 크랭크축(200)을 통하여 연결되는 발전기(300)로 하여금, 조류(F)의 흐름에 따른 양력을 활용하여 전기를 생산할 수 있는 기계장치이다.
따라서, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 일실시예에 따른 플랩타입의 조류발전장치(100)에 따르면, 날씨 영향을 많이 받지않고 연중 내내 예측가능한 전력 생산이 가능할 뿐만 아니라, 전력난과 환경훼손 우려를 동시에 잠재울수 있으되, 수차를 돌리는 방법이 아닌 스트로크 운동을 활용하면서도, 연속적으로 출력을 얻을 수 있는 효과가 있다.Abstract translation: 根据本发明的实施例，使用潮汐流的翼片型发生装置（100）包括：主体单元（110），其安装在潮汐流（F）强的海中; 滑动单元（120），其联接到所述主体单元（110）的一侧; 连接到所述滑动单元（120）的刀片单元（140）; 以及设定所述叶片单元（140）中的叶片（141）的迎角的角度设定单元（130），以设定用于从供给的潮汐流（F）有效发电的最佳角度。 以及通过曲轴（200）连接的发电机（300），以通过利用根据潮汐流（F）的流动的升力来发电。 因此，使用潮汐流的翼片型发电装置（100）可以在一年中产生可预测的电力，而不受天气的影响，可以同时消除对电力短缺和环境损害的担心，并且可以不利用 水轮但中风运动并确保连续发电。
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公开(公告)号：KR1020140106335A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020763
申请日：2013-02-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/403 , G01N27/407 , G01N27/416
CPC classification number: G01N27/4141
Abstract: The present invention relates to a three-dimensional FinFET type gas-sensitive device. The three-dimensional FinFET type gas-sensitive device has a horizontal floating electrode structure. Therefore, the three-dimensional FinFET type gas-sensitive device has advantages of reducing noises, simplifying a process, preventing contamination, improving detecting speeds, applying various sensitive materials, and mechanical stability, etc., compared to a conventional gas-detective device with a control electrode, a sensitive material layer, and a floating electrode arranged on top of each other and can easily form gas-detective elements operated by various sensing mechanisms on one substrate.
Abstract translation: 本发明涉及三维FinFET型气敏元件。 三维FinFET型气体敏感元件具有水平浮动电极结构。 因此，与现有的气体检测装置相比，三维FinFET型气体敏感装置具有减少噪声，简化工艺，防止污染，提高检测速度，应用各种敏感材料和机械稳定性等优点， 控制电极，敏感材料层和布置在彼此顶部的浮动电极，并且可以容易地形成由一个基板上的各种感测机构操作的气体检测元件。
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公开(公告)号：KR101427348B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020120126853
申请日：2012-11-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4143
Abstract: 본 발명은 FET형 가스 감지소자에 관한 것으로, 수평 방향으로 형성된 플로팅 전극 구조를 가짐으로써, 종래 수직방향으로 적층된 플로팅 전극, 감지물질층, 제어 전극을 갖는 가스 감지소자에 비해 잡음감소, 공정단순화, 오염방지, 감지속도개선, 다양한 감지물질 적용 가능, 기계적 안정성 등의 장점을 갖고, 다양한 감지 기작으로 동작하는 복수 개의 가스 감지소자를 하나의 기판에 쉽게 구현할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101495627B1
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130020763
申请日：2013-02-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/403 , G01N27/407 , G01N27/416
CPC classification number: G01N27/4141
Abstract: 본 발명은 3차원 핀펫형 가스 감지소자에 관한 것으로, 수평 방향으로 형성된 플로팅 전극 구조를 가짐으로써, 종래 수직방향으로 적층된 플로팅 전극, 감지물질층, 제어 전극을 갖는 가스 감지소자에 비해 잡음감소, 공정단순화, 오염방지, 감지속도개선, 다양한 감지물질 적용 가능, 기계적 안정성 등의 장점을 갖고, 다양한 감지 기작으로 동작하는 복수 개의 가스 감지소자를 하나의 기판에 쉽게 구현할 수 있는 효과가 있다.
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