公开(公告)号：KR101687812B1

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：KR1020150067280

申请日：2015-05-14

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 장호원 ,  남기태 ,  최재호 ,  박승학

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/316

Abstract: 본발명은비휘발성저항스위칭특성을갖는메모리소자및 이의제조방법에관한것으로, 더욱구체적으로기판; 상기기판상부에형성된하부전극; 상기하부전극상부에형성된페로브스카이트구조를갖는유무기박막층; 및상기유무기박막층상부에형성된상부전극;을포함하는비휘발성저항스위칭특성을갖는메모리소자및 이의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 具有非易失性电阻切换特性的存储器件及其制造方法技术领域本发明涉及具有非易失性电阻切换特性的存储器件及其制造方法， 形成在衬底上的下电极; 在下部电极上形成具有钙钛矿结构的有机薄膜层， 以及形成在有机薄膜层上的上电极及其制造方法。

公开(公告)号：KR101782379B1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：KR1020160062638

申请日：2016-05-23

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 장호원 ,  남기태 ,  최재호 ,  박승학

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/14 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

Abstract: 본발명은유연성기판; 상기유연성기판상부에형성된하부전극; 상기하부전극상부에적층되고, 페로브스카이트구조로형성되며구동되는전류의제한에따라다중저항을갖는유무기박막층; 및상기박막층상부에형성된상부전극;을포함하는다중저항스위칭특성을가지는유연성메모리소자및 이의제조방법을제공한다. 따라서메모리소자에다양한곡률을가질수 있는유연성을부과하여다양한형태및 크기를가지는메모리소자를제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160134976A

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：KR1020150067280

申请日：2015-05-14

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 장호원 ,  남기태 ,  최재호 ,  박승학

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/316

Abstract: 본발명은비휘발성저항스위칭특성을갖는메모리소자및 이의제조방법에관한것으로, 더욱구체적으로기판; 상기기판상부에형성된하부전극; 상기하부전극상부에형성된페로브스카이트구조를갖는유무기박막층; 및상기유무기박막층상부에형성된상부전극;을포함하는비휘발성저항스위칭특성을갖는메모리소자및 이의제조방법에관한것이다.