公开(公告)号：KR101791052B1

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：KR1020160003235

申请日：2016-01-11

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식 ,  박웅규

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  G03F1/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은 (a)석영기판위에차례로적층된크롬(Cr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr)의삼중층을일정한간격으로패턴화하는단계; (b)상기알루미늄(Al)의측벽을에칭하는단계; (c)상기에칭후 상기삼중층표면에원자층증착(atomic layer deposition)방법으로비정질산화알루미늄 (AlO) 박막을증착시키는단계; (d)상기증착후 패턴화된삼중층사이간격인트렌치내부및 삼중층의최상부에수직으로크롬을증착시키는단계및 (e)상기삼중층의알루미늄(Al)층을에칭하여제거(lift-off)하는단계로구성될수 있는크롬나노갭제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020170083848A

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：KR1020160003235

申请日：2016-01-11

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식 ,  박웅규

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  G03F1/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은 (a)석영기판위에차례로적층된크롬(Cr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr)의삼중층을일정한간격으로패턴화하는단계; (b)상기알루미늄(Al)의측벽을에칭하는단계; (c)상기에칭후 상기삼중층표면에원자층증착(atomic layer deposition)방법으로비정질산화알루미늄 (AlO) 박막을증착시키는단계; (d)상기증착후 패턴화된삼중층사이간격인트렌치내부및 삼중층의최상부에수직으로크롬을증착시키는단계및 (e)상기삼중층의알루미늄(Al)층을에칭하여제거(lift-off)하는단계로구성될수 있는크롬나노갭제조방법에관한것이다.

Abstract translation: （A）以规则的间隔图案化顺序地堆叠在石英衬底上的铬（Cr），铝（Al）和铬（Cr）三层; （b）蚀刻铝（Al）的侧壁; （c）通过原子层沉积法在蚀刻之后在三层的表面上沉积非晶氧化铝（AlO）薄膜; （d）在沟槽的顶部和沟槽的顶部垂直沉积铬，沟槽的顶部是沉积后图案化的三重态层之间的间距，以及（e）蚀刻铝（Al） 本发明还涉及一种制造铬纳米间隙的方法。