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公开(公告)号：WO2010140719A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/KR2009/002941
申请日：2009-06-02
CPC classification number: G01K17/006 , G01N25/005
Abstract: 본 발명은 나노전자기계시스템 (NEMS) 처리 기술에 의해 구현되는 실리콘 니트라이드 박막 플랫폼 기반의 새로운 디자인을 가진 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 극미세물질의 비열측정장치를 위한 실리콘니트라이드 박막형 마이크로칼로리미터 소자에 관한 것으로, 특히 20 K 내지 800 K의 넓은 온도 구간에서 미세시료의 비열측정이 가능한 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 양면 연마된 실리콘 프레임(11a,11b)의 상면에 제 1실리콘니트라이드 박막(12a,12b)을 포함하고, 하면에는 제2실리콘니트라이드 박막(13)을 포함하되, 상기 제2실리콘니트라이드 박막(13)의 하면에는 전기인출선과 체결되는 히터/센서(14a, 14b)를 포함하고 그 상면에는 등온층(15)을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자를 제시한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有改进精度的微量热计装置，具有基于利用纳米机电系统（NEMS）处理技术实现的氮化硅薄膜平台的新设计。 更具体地，本发明涉及一种用于测量纳米物质的比热的装置的氮化硅薄膜型微量热计装置，以及精度高的微量热计装置，其测量在20K之间的温度下纳米物质的比热 到800K。 为此，本发明包括：在两面抛光的硅框架（11a，11b）的上侧上的第一氮化硅薄膜（12a，12b） 在所述硅框架的下侧上的第二氮化硅薄膜（13）; 连接到第二氮化硅薄膜（13）下侧的功率延长电缆的加热器/传感器（14a，14b）; 和第二氮化硅薄膜的上侧的等温层（15），从而提高微量热计装置的精度。
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公开(公告)号：KR101541529B1
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020130020594
申请日：2013-02-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 그래핀(graphene) 전계효과트랜지스터(field-effect transistor)에서의 P-N 접합유동성을높이고, 도핑효과를극대화하기위한그래핀소자및 그의제조방법이개시된다. 이를위해본 발명은그래핀전계효과트랜지스터에소정의위치로광원을입사시켜상기그래핀전계효과트랜지스터의하부에형성된게이트산화물의전하트랩사이트에갇힌전하량을조절하는그래핀소자가제공된다.
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公开(公告)号：KR1020140106263A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020594
申请日：2013-02-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: Disclosed are a graphene device for increasing P-N junction fluidity in a graphene field-effect transistor and maximizing a doping effect and a manufacturing method thereof. For this purpose, the present invention provides a graphene device which controls charges trapped in the charge trap sites of a gate oxide formed in the lower part of the graphene field-effect transistor by emitting a light source to a preset position of the graphene field-effect transistor.
Abstract translation: 公开了一种用于增加石墨烯场效应晶体管中的P-N结流动性并最大化掺杂效应的石墨烯装置及其制造方法。 为此，本发明提供一种石墨烯装置，其通过将光源发射到石墨烯场效应晶体管的预定位置来控制在石墨烯场效应晶体管的下部形成的栅极氧化物的电荷陷阱位置中的电荷， 效应晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101198985B1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020100100000
申请日：2010-10-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/302
CPC classification number: G11C11/18
Abstract: 본 발명은 압축변형율을 변화시켜 비정상 홀효과를 조절할 수 있도록 된 새로운 개념의 홀크로스구조에 관한 것이다.
본 발명에 따른 홀크로스구조에 따르면, 홀크로스(2)가 상부로 버클링되거나 하부로 늘어지게 되고, 이와같이 발생되는 홀크로스(2)의 압축변형율의 변화에 따라 비정상 홀효과가 조절되도록 하므로, 이를 이용하여 고집적도와 저전력, 저분산, 그리고 비 휘발성을 갖는 메모리를 개발할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020120038320A
公开(公告)日：2012-04-23
申请号：KR1020100100018
申请日：2010-10-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: C23C26/00 , B82B3/008 , C01B32/158 , C23C14/14 , G01N24/10
Abstract: PURPOSE: A thermo-mechanical stabilization method for the resonance response property of a metallic thin-film resonator by adding a CNT network is provided to minimize the change of the resonance response property of the metallic thin-film resonator by temperature. CONSTITUTION: A thermo-mechanical stabilization method for the resonance response property of a metallic thin-film resonator by adding a CNT network comprises the following steps: forming an aluminum foil with the thickness of 10nm on GaAs(gallium arse) using a plasma enhanced RF(Radio Frequency) sputter on a substrate; dipping the substrate coated with the aluminum foil into CNT solution formed by dispersing CNT in an organic solvent, dichlorobenzene; and drying the organic solvent using nitrogen.
Abstract translation: 目的：提供通过添加CNT网络来实现金属薄膜谐振器的共振响应特性的热机械稳定化方法，以使金属薄膜谐振器的谐振响应特性随温度的变化最小化。 构成：通过添加CNT网络的金属薄膜谐振器的共振响应特性的热机械稳定化方法包括以下步骤：使用等离子体增强RF（GaAs）形成厚度为10nm的铝（镓锑） （射频）溅射在基板上; 将涂有铝箔的基材浸渍在通过将CNT分散在有机溶剂二氯苯中形成的CNT溶液中; 并用氮气干燥有机溶剂。
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公开(公告)号：KR101223233B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020100100002
申请日：2010-10-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 마이크로/나노 역학 구조의 역학적 측정 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기존의 상용중인 마이크로/나노 역학 구조인 캔틸레버(Cantilever)나 빔 (beam)의 외부 스트레스나 환경변화에 따른 미세 역학적 변위를 측정하기 위하여 반도체 나노선을 결합하여 외부 측정 장비인 레이져나 외부 광원이 필요없이 극미세 역학적 변위를 측정하는 변위측정방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 나노선을 역학구조에 결합시킴으로써 기존 역학 소자의 미세 변위 측정 시그널 크기 및 분해능의 변동을 최대한 줄임으로써 안정적인 측정 시그널과 분해능을 가질 수 있게 된다. 반도체 나노선의 특이 광학적 특성인 도파관 성질을 이용하게 되면 반도체 나노선의 끝단이 놓여있는 역학 소자의 특정 부분에만 광자가 방출되게 되어 복잡한 광학 정렬이 필요 없이 간단한 절차를 통하여 항상 동일한 분해능과 민감도를 가질 수 있게 된다.
이러한 특성을 이용한 반도체 나노선 역학 구조는 광학적 회절 한계를 뛰어 넘을 수 있으므로 역학적 소자의 크기를 반도체 나노선 크기만큼 줄일 수 있어 기존 시스템의 변위, 힘, 질량 민감도를 크게 향상 시킬 수 있다. 또한 크기가 작아짐에 따라 동역학적 반응이 커지게 역학 반응의 시간 분해능을 더욱 높일 수 있다.
또한 광결정 구조를 반도체 나노선 주위에 위치 시킴으로서 반도체 나노선의 광자 방출의 효율을 극대화 시키며 선택적으로 파장을 선택함으로서 역학소자의 기능성을 다양화시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120038312A
公开(公告)日：2012-04-23
申请号：KR1020100100002
申请日：2010-10-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: An ultra fine kinetic displacement measuring method of a micro/nano dynamic structure in which a semiconductor nanowire is joined is provided to obtain the same resolving power and sensibility all the times through a simple process without a complex optical alignment because a photon is emitted to the specific segment of the dynamic device where an endmost part of the semiconductor nanowire. CONSTITUTION: An ultra fine kinetic displacement measuring method of a micro/nano dynamic structure in which a semiconductor nanowire is joined comprises next steps. A Cds power is heated in high temperatures by using a Chemical Vapor Deposition method so that a nanowire is connected to a nano Au catalysis formed on the Si substrate. The nanowire perpendicularly formed on the Si substrate is dipped into the ethanol as a whole substrate, thereby being divided into a substrate and nanowiere by using ultra waves. The ethanol-nanowire solution is dispersed into the dynamic structure to form by using a micro picket after eliminating the substrate from the ethanol solution and dried by using a nitrogen gas after dispersing so that the dynamic structure and the nanowire are joined by using the vander. The valence band electron field is metastasized to the semiconductor nanowire and the photon is emitted in the electron-hole recombination.
Abstract translation: 目的：提供一种其中连接有半导体纳米线的微/纳米动态结构的超细动力位移测量方法，以便通过简单的工艺通过简单的工艺获得相同的分辨力和灵敏度，而不需要复杂的光学对准，因为发射光子 到最终部分半导体纳米线的动态装置的特定部分。 构成：其中连接半导体纳米线的微/纳米动态结构的超细动力学位移测量方法包括以下步骤。 通过使用化学气相沉积法在高温下加热Cds功率，使得纳米线连接到在Si衬底上形成的纳米Au催化剂。 将在Si衬底上垂直形成的纳米线作为整个衬底浸入乙醇中，由此通过使用超声波将其分为衬底和纳米线。 将乙醇 - 纳米线溶液分散到动态结构中，通过在从乙醇溶液中除去底物后通过使用微型固定剂形成，并通过使用分散后的氮气进行干燥，从而使动态结构和纳米线通过使用该范围进行接合。 价带电子场转移到半导体纳米线，并且在电子 - 空穴复合中发射光子。
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公开(公告)号：KR1020120038310A
公开(公告)日：2012-04-23
申请号：KR1020100100000
申请日：2010-10-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/302
CPC classification number: G11C11/18
Abstract: PURPOSE: A hole cross structure for controlling an anomalous hole effect by using the change of a compressive strain is provided to easily develop a nonvolatile memory with high integration and low power consumption by controlling the anomalous hole effect according to the change of the compressive strain of a hole cross. CONSTITUTION: A sacrificial layer(1) is formed by an etching process. A hole cross(2) passes through the upper side of the sacrificial layer. The hole cross is formed by mutually intersecting beams(3). A piezo material is deposited on the upper side of the beam.
Abstract translation: 目的：提供一种用于通过使用压缩应变的变化来控制异常孔效应的孔交叉结构，以通过根据压缩应变的变化控制异常空穴效应来容易地开发具有高集成度和低功耗的非易失性存储器 一个洞十字架。 构成：通过蚀刻工艺形成牺牲层（1）。 孔交叉（2）穿过牺牲层的上侧。 孔交叉由相互交叉的梁（3）形成。 压电材料沉积在梁的上侧。
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