公开(公告)号：KR101198985B1

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：KR1020100100000

申请日：2010-10-13

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박윤 ,  양찬욱 ,  김태훈

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/302

CPC classification number: G11C11/18

Abstract: 본 발명은 압축변형율을 변화시켜 비정상 홀효과를 조절할 수 있도록 된 새로운 개념의 홀크로스구조에 관한 것이다.
본 발명에 따른 홀크로스구조에 따르면, 홀크로스(2)가 상부로 버클링되거나 하부로 늘어지게 되고, 이와같이 발생되는 홀크로스(2)의 압축변형율의 변화에 따라 비정상 홀효과가 조절되도록 하므로, 이를 이용하여 고집적도와 저전력, 저분산, 그리고 비 휘발성을 갖는 메모리를 개발할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020120038310A

公开(公告)日：2012-04-23

申请号：KR1020100100000

申请日：2010-10-13

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박윤 ,  양찬욱 ,  김태훈

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/302

CPC classification number: G11C11/18

Abstract: PURPOSE: A hole cross structure for controlling an anomalous hole effect by using the change of a compressive strain is provided to easily develop a nonvolatile memory with high integration and low power consumption by controlling the anomalous hole effect according to the change of the compressive strain of a hole cross. CONSTITUTION: A sacrificial layer(1) is formed by an etching process. A hole cross(2) passes through the upper side of the sacrificial layer. The hole cross is formed by mutually intersecting beams(3). A piezo material is deposited on the upper side of the beam.

Abstract translation: 目的：提供一种用于通过使用压缩应变的变化来控制异常孔效应的孔交叉结构，以通过根据压缩应变的变化控制异常空穴效应来容易地开发具有高集成度和低功耗的非易失性存储器 一个洞十字架。 构成：通过蚀刻工艺形成牺牲层（1）。 孔交叉（2）穿过牺牲层的上侧。 孔交叉由相互交叉的梁（3）形成。 压电材料沉积在梁的上侧。